Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
42921 | 28LV256SM-4 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс. | Turbo IC |
42922 | 28LV256SM-5 | Скорость: 300 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42923 | 28LV256SM-5 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 300 нс. | Turbo IC |
42924 | 28LV256SM-6 | Скорость: 400 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42925 | 28LV256SM-6 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 400 нс. | Turbo IC |
42926 | 28LV256TC-3 | Скорость: 200 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42927 | 28LV256TC-3 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс. | Turbo IC |
42928 | 28LV256TC-4 | Скорость: 250 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42929 | 28LV256TC-4 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс. | Turbo IC |
42930 | 28LV256TC-5 | Скорость: 300 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42931 | 28LV256TC-5 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 300 нс. | Turbo IC |
42932 | 28LV256TC-6 | Скорость: 400 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42933 | 28LV256TC-6 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 400 нс. | Turbo IC |
42934 | 28LV256TI-3 | Скорость: 200 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42935 | 28LV256TI-3 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс. | Turbo IC |
42936 | 28LV256TI-4 | Скорость: 250 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42937 | 28LV256TI-4 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс. | Turbo IC |
42938 | 28LV256TI-5 | Скорость: 300 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42939 | 28LV256TI-5 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 300 нс. | Turbo IC |
42940 | 28LV256TI-6 | Скорость: 400 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42941 | 28LV256TI-6 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 400 нс. | Turbo IC |
42942 | 28LV256TM-3 | Скорость: 200 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42943 | 28LV256TM-3 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 200 нс. | Turbo IC |
42944 | 28LV256TM-4 | Скорость: 250 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42945 | 28LV256TM-4 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 250 нс. | Turbo IC |
42946 | 28LV256TM-5 | Скорость: 300 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42947 | 28LV256TM-5 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 300 нс. | Turbo IC |
42948 | 28LV256TM-6 | Скорость: 400 нс, низкого напряжения CMOS 256 K электрически стираемая программируемая ROM 32K х 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42949 | 28LV256TM-6 | Низкие CMOS напряжения. 256 электрически стираемая программируемая ROM. 32K х 8 бит EEPROM. Время доступа 400 нс. | Turbo IC |
42950 | 28LV64 | 64K-BIT CMOS ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ EEPROM | Catalyst Semiconductor |
42951 | 28LV64A | Продукт Note:This становил ' устаревает ' и
no longer не предложен по мере того как жизнеспособным
приспособлением для design.28LV64ЈA будет 64K бит cmos
параллельное EEPROM организованный как слова 8K 8 битами.
28LV64ЈA достигано как статический ШТОССЕЛЬ для читать или
пишет цикл | Microchip |
42952 | 28LV64A-20/L | 64K (напряжение тока cmos EEPROM 8K
x 8) низкое | Microchip |
42953 | 28LV64A-20/P | 64K (напряжение тока cmos EEPROM 8K
x 8) низкое | Microchip |
42954 | 28LV64A-20/SO | 64K (напряжение тока cmos EEPROM 8K
x 8) низкое | Microchip |
42955 | 28LV64A-20/TS | 64K (напряжение тока cmos EEPROM 8K
x 8) низкое | Microchip |
42956 | 28LV64A-20/VS | 64K (напряжение тока cmos EEPROM 8K
x 8) низкое | Microchip |
42957 | 28LV64A-20I/L | 64K (напряжение тока cmos EEPROM 8K
x 8) низкое | Microchip |
42958 | 28LV64A-20I/P | 64K (напряжение тока cmos EEPROM 8K
x 8) низкое | Microchip |
42959 | 28LV64A-20I/SO | 64K (напряжение тока cmos EEPROM 8K
x 8) низкое | Microchip |
42960 | 28LV64A-20I/TS | 64K (напряжение тока cmos EEPROM 8K
x 8) низкое | Microchip |
| | | |