| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 435561 | GA1F4N-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
| 435562 | GA1F4Z | ПРЕССФОРМА СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРА ТИПА NPN РЕЗИСТОРА
BUILT-IN ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИ МИНИАЯ | NEC |
| 435563 | GA1F4Z-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
| 435564 | GA1F4Z-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
| 435565 | GA1L3M | ПРЕССФОРМА СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРА ТИПА NPN РЕЗИСТОРА
BUILT-IN ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИ МИНИАЯ | NEC |
| 435566 | GA1L3M-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
| 435567 | GA1L3M-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
| 435568 | GA1L3N | ПРЕССФОРМА СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРА ТИПА NPN РЕЗИСТОРА
BUILT-IN ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИ МИНИАЯ | NEC |
| 435569 | GA1L3N-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
| 435570 | GA1L3N-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
| 435571 | GA1L3Z | ПРЕССФОРМА СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРА ТИПА NPN РЕЗИСТОРА
BUILT-IN ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИ МИНИАЯ | NEC |
| 435572 | GA1L3Z-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
| 435573 | GA1L3Z-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
| 435574 | GA1L4L | ПРЕССФОРМА СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРА ТИПА NPN РЕЗИСТОРА
BUILT-IN ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИ МИНИАЯ | NEC |
| 435575 | GA1L4L-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
| 435576 | GA1L4L-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
| 435577 | GA1L4M | ПРЕССФОРМА СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРА ТИПА NPN РЕЗИСТОРА
BUILT-IN ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИ МИНИАЯ | NEC |
| 435578 | GA1L4M-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
| 435579 | GA1L4M-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
| 435580 | GA1L4Z | ПРЕССФОРМА СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРА ТИПА NPN РЕЗИСТОРА
BUILT-IN ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИ МИНИАЯ | NEC |
| 435581 | GA1L4Z-T1 | Гибридный транзистор | NEC |
| 435582 | GA1L4Z-T2 | Гибридный транзистор | NEC |
| 435583 | GA200 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
| 435584 | GA200A | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
| 435585 | GA200HS60S | Половин-Most IGBT 600V DC-1
килогерца (стандартный) в Vnutrenne-$$$-Pak пакете | International Rectifier |
| 435586 | GA200NS61U | chop с IGBT 600V UltraFast
10-30 килогерц Hs в Vnutrenne-$$$-Pak пакете | International Rectifier |
| 435587 | GA200SA60S | 600V DC-1 килогерц (стандартное) одиночное
IGBT в пакете SOT-227 | International Rectifier |
| 435588 | GA200SA60U | 600V UltraFast 10-30 килогерцев
определяют IGBT в пакете SOT-227 | International Rectifier |
| 435589 | GA200TD120U | Половин-Most IGBT 1200V UltraFast
10-30 килогерц в двойном Vnutrenne-$$$-Pak пакете | International Rectifier |
| 435590 | GA200TS60U | Половин-Most IGBT 600V UltraFast
10-30 килогерц в Vnutrenne-$$$-Pak пакете | International Rectifier |
| 435591 | GA201 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
| 435592 | GA201A | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
| 435593 | GA250TD120U | Половин-Most IGBT 1200V UltraFast
10-30 килогерц в двойном Vnutrenne-$$$-Pak пакете | International Rectifier |
| 435594 | GA250TS60U | Половин-Most IGBT 600V UltraFast
10-30 килогерц в Vnutrenne-$$$-Pak пакете | International Rectifier |
| 435595 | GA300 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
| 435596 | GA300A | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
| 435597 | GA300TD60U | Половин-Most IGBT 600V UltraFast
10-30 килогерц в двойном Vnutrenne-$$$-Pak пакете | International Rectifier |
| 435598 | GA301 | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
| 435599 | GA301A | Тиристоры Триода Controlled Выпрямителей тока
Кремния Обратные Преграждая | Microsemi |
| 435600 | GA3201 | Programmable Гибрид DynamEQ II | Gennum Corporation |
| | | |
