| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 45721 | 2N3866 | Транзисторы верхнего слоя кремния плоскостные
эпитаксиальные | Philips |
| 45722 | 2N3866 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45723 | 2N3866 | ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ NPN | Advanced Semiconductor |
| 45724 | 2N3866 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ RF & МИКРОВОЛНЫ ДИСКРЕТНЫЕ
НИЗКИЕ | Microsemi |
| 45725 | 2N3866 | Полярность 1007 Геометрии Типа 2C3866ЈA
Обломока NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45726 | 2N3866A | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ RF & МИКРОВОЛНЫ ДИСКРЕТНЫЕ
НИЗКИЕ | Microsemi |
| 45727 | 2N3866A | Полярность 1007 Геометрии Типа 2C3866ЈA
Обломока NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45728 | 2N3866AF | Чип: геометрия 1007; Полярность NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45729 | 2N3866AUB | Полярность 1007 Геометрии Типа 2C3866ЈA
Обломока NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45730 | 2N3867 | Транзисторы PNP | Microsemi |
| 45731 | 2N3867 | Транзисторы PNP | Microsemi |
| 45732 | 2N3867 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45733 | 2N3867 | 1.000W общего назначения PNP Металл Может транзистора. 40V VCEO, 3.000A Ic, 40 - 200 HFE. | Continental Device India Limited |
| 45734 | 2N3867S | Транзисторы PNP | Microsemi |
| 45735 | 2N3868 | Транзисторы PNP | Microsemi |
| 45736 | 2N3868 | Транзисторы PNP | Microsemi |
| 45737 | 2N3868 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 45738 | 2N3868S | Транзисторы PNP | Microsemi |
| 45739 | 2N3870 | Кремний Controlled Rectifiers(Reverse
Преграждая Тиристоры Триода) | Motorola |
| 45740 | 2N3870 | 35А кремния тиристор. Vrsom (не реп) 150V. | General Electric Solid State |
| 45741 | 2N3871 | Кремний Controlled Rectifiers(Reverse
Преграждая Тиристоры Триода) | Motorola |
| 45742 | 2N3871 | 35А кремния тиристор. Vrsom (не реп) 330V. | General Electric Solid State |
| 45743 | 2N3872 | Кремний Controlled Rectifiers(Reverse
Преграждая Тиристоры Триода) | Motorola |
| 45744 | 2N3872 | 35А кремния тиристор. Vrsom (не реп) 660. | General Electric Solid State |
| 45745 | 2N3873 | Кремний Controlled Rectifiers(Reverse
Преграждая Тиристоры Триода) | Motorola |
| 45746 | 2N3873 | 35А кремния тиристор. Vrsom (не реп) 700V. | General Electric Solid State |
| 45747 | 2N3878 | ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ
NPN СБОРНИКА ПЛОСКОСТНЫЕ | General Electric Solid State |
| 45748 | 2N3878 | ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ
NPN СБОРНИКА ПЛОСКОСТНЫЕ | General Electric Solid State |
| 45749 | 2N3879 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
| 45750 | 2N3879 | Высокая скорость, эпитаксиальных коллектор кремния NPN плоская транзистор. | General Electric Solid State |
| 45751 | 2N3884 | Средний Scr 175 Amoeres Управлением
Участка 1200 Вольтов | Powerex Power Semiconductors |
| 45752 | 2N3884-2N3895 | Средний Scr 175 Amoeres Управлением
Участка 1200 Вольтов | Powerex Power Semiconductors |
| 45753 | 2N3885 | Средний Scr 175 Amoeres Управлением
Участка 1200 Вольтов | Powerex Power Semiconductors |
| 45754 | 2N3886 | Средний Scr 175 Amoeres Управлением
Участка 1200 Вольтов | Powerex Power Semiconductors |
| 45755 | 2N3887 | Средний Scr 175 Amoeres Управлением
Участка 1200 Вольтов | Powerex Power Semiconductors |
| 45756 | 2N3888 | Средний Scr 175 Amoeres Управлением
Участка 1200 Вольтов | Powerex Power Semiconductors |
| 45757 | 2N3889 | Средний Scr 175 Amoeres Управлением
Участка 1200 Вольтов | Powerex Power Semiconductors |
| 45758 | 2N3890 | Средний Scr 175 Amoeres Управлением
Участка 1200 Вольтов | Powerex Power Semiconductors |
| 45759 | 2N3891 | Средний Scr 175 Amoeres Управлением
Участка 1200 Вольтов | Powerex Power Semiconductors |
| 45760 | 2N3892 | Средний Scr 175 Amoeres Управлением
Участка 1200 Вольтов | Powerex Power Semiconductors |
| | | |
