Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
46081 | 2N4104 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
46082 | 2N4104 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
46083 | 2N4113 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
46084 | 2N4113 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
46085 | 2N4114 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
46086 | 2N4117 | General purpose Amplifier/Switch
Н-Kanala JFET | Calogic |
46087 | 2N4117 | Кремния узел полевой транзистор N-Channel | InterFET Corporation |
46088 | 2N4117 | Ультра-высокий входной импеданс N-канальный JFET | Linear Systems |
46089 | 2N4117A | Ультра Низкая Утечка, Н-Kanal JFETs | Vishay |
46090 | 2N4117A | General purpose Amplifier/Switch
Н-Kanala JFET | Calogic |
46091 | 2N4117A | Ультра Высокий Н-Kanal JFET
Amplifier(SMT) Импеданса Входного сигнала | Linear Systems |
46092 | 2N4117A | Кремния узел полевой транзистор N-Channel | InterFET Corporation |
46093 | 2N4118 | General purpose Amplifier/Switch
Н-Kanala JFET | Calogic |
46094 | 2N4118 | УЛЬТРАВЫСОКИЙ ИМПЕДАНС N-CHANNEL JFET
ВХОДНОГО СИГНАЛА | Linear Systems |
46095 | 2N4118 | Кремния узел полевой транзистор N-Channel | InterFET Corporation |
46096 | 2N4118A | Ультра Низкая Утечка, Н-Kanal JFETs | Vishay |
46097 | 2N4118A | General purpose Amplifier/Switch
Н-Kanala JFET | Calogic |
46098 | 2N4118A | Ультра Высокий Н-Kanal JFET
Amplifier(SMT) Импеданса Входного сигнала | Linear Systems |
46099 | 2N4118A | Кремния узел полевой транзистор N-Channel | InterFET Corporation |
46100 | 2N4119 | General purpose Amplifier/Switch
Н-Kanala JFET | Calogic |
46101 | 2N4119 | УЛЬТРАВЫСОКИЙ ИМПЕДАНС N-CHANNEL JFET
ВХОДНОГО СИГНАЛА | Linear Systems |
46102 | 2N4119 | Кремния узел полевой транзистор N-Channel | InterFET Corporation |
46103 | 2N4119A | Ультра Низкая Утечка, Н-Kanal JFETs | Vishay |
46104 | 2N4119A | General purpose Amplifier/Switch
Н-Kanala JFET | Calogic |
46105 | 2N4119A | Ультра Высокий Н-Kanal JFET
Amplifier(SMT) Импеданса Входного сигнала | Linear Systems |
46106 | 2N4119A | Кремния узел полевой транзистор N-Channel | InterFET Corporation |
46107 | 2N4123 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
46108 | 2N4123 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛА | Micro Electronics |
46109 | 2N4123 | Транзистор 625mW Кремния NPN Общего
назначения | Micro Commercial Components |
46110 | 2N4123 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
46111 | 2N4123 | Общего назначения Кремний Transistors(NPN) | ON Semiconductor |
46112 | 2N4123 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ
UHF ТЮНЕРА OSC/MIX | Samsung Electronic |
46113 | 2N4123 | Planar эпитаксиальных пассивированы кремния NPN транзистор. 30В, 200 мА. | General Electric Solid State |
46114 | 2N4123 | Ic = 200 мА, Vce = 1,0 транзистор | MCC |
46115 | 2N4123 | Генеральный транзистор цель. Напряжение коллектор-эмиттер: 30V = VCEO. Напряжения коллектор-база: 40V = VCBO. Рассеиваемая Коллекционер: ПК | USHA India LTD |
46116 | 2N4123-D | Общего назначения Кремний Транзисторов NPN | ON Semiconductor |
46117 | 2N4123BU | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
46118 | 2N4123RLRA | Общего назначения Транзистор - NPN | ON Semiconductor |
46119 | 2N4123RLRM | Общего назначения Транзистор - NPN | ON Semiconductor |
46120 | 2N4123TA | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| | | |