|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1148 | 1149 | 1150 | 1151 | 1152 | 1153 | 1154 | 1155 | 1156 | 1157 | 1158 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
460812N4104Двухполярное приспособление NPN в герметично загерметизированном пакете металла TO3SemeLAB
460822N4104Двухполярное приспособление NPN в герметично загерметизированном пакете металла TO3SemeLAB
460832N4113Двухполярное приспособление NPN в герметично загерметизированном пакете металла TO3SemeLAB
460842N4113Двухполярное приспособление NPN в герметично загерметизированном пакете металла TO3SemeLAB
460852N4114Двухполярное приспособление NPN в герметично загерметизированном пакете металла TO3SemeLAB
460862N4117General purpose Amplifier/Switch Н-Kanala JFETCalogic
460872N4117Кремния узел полевой транзистор N-ChannelInterFET Corporation
460882N4117Ультра-высокий входной импеданс N-канальный JFETLinear Systems
460892N4117AУльтра Низкая Утечка, Н-Kanal JFETsVishay
460902N4117AGeneral purpose Amplifier/Switch Н-Kanala JFETCalogic
460912N4117AУльтра Высокий Н-Kanal JFET Amplifier(SMT) Импеданса Входного сигналаLinear Systems
460922N4117AКремния узел полевой транзистор N-ChannelInterFET Corporation
460932N4118General purpose Amplifier/Switch Н-Kanala JFETCalogic
460942N4118УЛЬТРАВЫСОКИЙ ИМПЕДАНС N-CHANNEL JFET ВХОДНОГО СИГНАЛАLinear Systems
460952N4118Кремния узел полевой транзистор N-ChannelInterFET Corporation
460962N4118AУльтра Низкая Утечка, Н-Kanal JFETsVishay
460972N4118AGeneral purpose Amplifier/Switch Н-Kanala JFETCalogic
460982N4118AУльтра Высокий Н-Kanal JFET Amplifier(SMT) Импеданса Входного сигналаLinear Systems
460992N4118AКремния узел полевой транзистор N-ChannelInterFET Corporation
461002N4119General purpose Amplifier/Switch Н-Kanala JFETCalogic
461012N4119УЛЬТРАВЫСОКИЙ ИМПЕДАНС N-CHANNEL JFET ВХОДНОГО СИГНАЛАLinear Systems
461022N4119Кремния узел полевой транзистор N-ChannelInterFET Corporation
461032N4119AУльтра Низкая Утечка, Н-Kanal JFETsVishay
461042N4119AGeneral purpose Amplifier/Switch Н-Kanala JFETCalogic
461052N4119AУльтра Высокий Н-Kanal JFET Amplifier(SMT) Импеданса Входного сигналаLinear Systems
461062N4119AКремния узел полевой транзистор N-ChannelInterFET Corporation
461072N4123Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN Общего назначенияFairchild Semiconductor
461082N4123ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ГЕРМЕТИЧНО ЗАГЕРМЕТИЗИРОВАННОМ СЛУЧАЕ МЕТАЛЛАMicro Electronics
461092N4123Транзистор 625mW Кремния NPN Общего назначенияMicro Commercial Components
461102N4123Освинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
461112N4123Общего назначения Кремний Transistors(NPN)ON Semiconductor
461122N4123ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
461132N4123Planar эпитаксиальных пассивированы кремния NPN транзистор. 30В, 200 мА.General Electric Solid State
461142N4123Ic = 200 мА, Vce = 1,0 транзисторMCC
461152N4123Генеральный транзистор цель. Напряжение коллектор-эмиттер: 30V = VCEO. Напряжения коллектор-база: 40V = VCBO. Рассеиваемая Коллекционер: ПКUSHA India LTD
461162N4123-DОбщего назначения Кремний Транзисторов NPNON Semiconductor
461172N4123BUДержатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN Общего назначенияFairchild Semiconductor
461182N4123RLRAОбщего назначения Транзистор - NPNON Semiconductor
461192N4123RLRMОбщего назначения Транзистор - NPNON Semiconductor
461202N4123TAДержатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN Общего назначенияFairchild Semiconductor
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1148 | 1149 | 1150 | 1151 | 1152 | 1153 | 1154 | 1155 | 1156 | 1157 | 1158 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com