| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 46401 | 2N4400 | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Honey Technology |
| 46402 | 2N4400 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНЫЕ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | Micro Electronics |
| 46403 | 2N4400 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 46404 | 2N4400 | Кремни-3pitaksial6noe PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 46405 | 2N4400 | Общего назначения Кремний Transistors(NPN) | ON Semiconductor |
| 46406 | 2N4400 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN EXPITAXIAL | Semtech |
| 46407 | 2N4400 | 0.625W Переключение NPN Пластиковые Этилированный транзистор. 40V VCEO, 0.600A Ic, 20 HFE. | Continental Device India Limited |
| 46408 | 2N4400 | Planar эпитаксиальных пассивированы кремния NPN транзистор. 40V, 600мА. | General Electric Solid State |
| 46409 | 2N4400 | Генеральный транзистор цель. Напряжение коллектор-эмиттер: 40V = VCEO. Напряжения коллектор-база: 60V = VCBO. Рассеиваемая Коллекционер: ПК | USHA India LTD |
| 46410 | 2N4400BU | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46411 | 2N4400TA | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46412 | 2N4400TAR | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46413 | 2N4400TF | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46414 | 2N4400TFR | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46415 | 2N4400_D81Z | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46416 | 2N4401 | Транзисторы переключения NPN | Philips |
| 46417 | 2N4401 | Генералитет Пупосе Усилитель NPN | Fairchild Semiconductor |
| 46418 | 2N4401 | Транзисторы > малый сигнал двухполярное
Transistors(up к 0.6W) | ROHM |
| 46419 | 2N4401 | Малый Транзистор Сигнала (NPN) | Vishay |
| 46420 | 2N4401 | МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА (NPN) | General Semiconductor |
| 46421 | 2N4401 | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Honey Technology |
| 46422 | 2N4401 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНЫЕ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | Micro Electronics |
| 46423 | 2N4401 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Micro Commercial Components |
| 46424 | 2N4401 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 46425 | 2N4401 | Малое General purpose NPN Сигнала | ON Semiconductor |
| 46426 | 2N4401 | Кремни-3pitaksial6noe PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 46427 | 2N4401 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN EXPITAXIAL | Semtech |
| 46428 | 2N4401 | Транзисторы Пластмасс-Pome5ennye TO-92 | TRANSYS Electronics Limited |
| 46429 | 2N4401 | 0.625W Переключение NPN Пластиковые Этилированный транзистор. 40V VCEO, 0.600A Ic, 40 HFE. | Continental Device India Limited |
| 46430 | 2N4401 | Planar эпитаксиальных пассивированы кремния NPN транзистор. 40V, 600мА. | General Electric Solid State |
| 46431 | 2N4401 | Vce = 1,0 транзистор | MCC |
| 46432 | 2N4401 | Генеральный транзистор цель. Напряжение коллектор-эмиттер: 40V = VCEO. Напряжения коллектор-база: 60V = VCBO. Рассеиваемая Коллекционер: ПК | USHA India LTD |
| 46433 | 2N4401-D | Общего назначения Кремний Transitors NPN | ON Semiconductor |
| 46434 | 2N4401BU | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46435 | 2N4401NLBU | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 46436 | 2N4401RLRA | Малое General purpose NPN Сигнала | ON Semiconductor |
| 46437 | 2N4401RLRAG | Общего назначения Транзисторы | ON Semiconductor |
| 46438 | 2N4401RLRAG | Общего назначения Транзисторы | ON Semiconductor |
| 46439 | 2N4401RLRM | Малое General purpose NPN Сигнала | ON Semiconductor |
| 46440 | 2N4401RLRP | Малое General purpose NPN Сигнала | ON Semiconductor |
| | | |
