| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 47321 | 2N5323 | ТРАНЗИСТОРЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ (КРЕМНИЙ PNP) | Boca Semiconductor Corporation |
| 47322 | 2N5323 | ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ СРЕДСТВ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ НАПРЯЖЕНИЯ
ТОКА | SemeLAB |
| 47323 | 2N5323 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47324 | 2N5323 | 10 Сила Кремния Ватта NPN-PNP | Fairchild Semiconductor |
| 47325 | 2N5323 | МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА PNP В TO-5 | ST Microelectronics |
| 47326 | 2N5323 | Общая цель PNP кремния мощный транзистор. | General Electric Solid State |
| 47327 | 2N5323 | Слабый сигнал PNP транзисторы | SGS Thomson Microelectronics |
| 47328 | 2N5330 | 150 В, 30 скоростной NPN-транзистор | Solid State Devices Inc |
| 47329 | 2N5333 | Двухполярное приспособление PNP в герметично
загерметизированном пакете металла TO18 | SemeLAB |
| 47330 | 2N5333 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47331 | 2N5334 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47332 | 2N5335 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47333 | 2N5335 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO39. | SemeLAB |
| 47334 | 2N5336 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN | Central Semiconductor |
| 47335 | 2N5336 | 6 Вт NPN Silicon Power. | Fairchild Semiconductor |
| 47336 | 2N5337 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN | Central Semiconductor |
| 47337 | 2N5337A-220M | ОСНОВАНИЕ КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ В ПАКЕТЕ
МЕТАЛЛА TO220 | SemeLAB |
| 47338 | 2N5338 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN | Central Semiconductor |
| 47339 | 2N5338 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO39. | SemeLAB |
| 47340 | 2N5338 | 6 Вт NPN Silicon Power. | Fairchild Semiconductor |
| 47341 | 2N5338 | 100 V, 5 Высокое напряжение NPN-транзистор | Solid State Devices Inc |
| 47342 | 2N5338X | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN ОТРАЗИЛИ МЕЗУ | SemeLAB |
| 47343 | 2N5339 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
| 47344 | 2N5339 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN | Central Semiconductor |
| 47345 | 2N5339 | Полярность NPN Геометрии 9201 Типа
2C5154 Обломока | Semicoa Semiconductor |
| 47346 | 2N5339 | 100 V, 5 Высокое напряжение NPN-транзистор | Solid State Devices Inc |
| 47347 | 2N5339X | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN ОТРАЗИЛИ МЕЗУ | SemeLAB |
| 47348 | 2N5344 | Высокое напряжение питания PNP кремниевый транзистор. 1, 250 В, 40 Вт | Motorola |
| 47349 | 2N5356 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47350 | 2N5365 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ | General Electric Solid State |
| 47351 | 2N5365 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ | General Electric Solid State |
| 47352 | 2N5366 | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47353 | 2N5366 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47354 | 2N5366 | Planar эпитаксиальных пассивированы PNP кремниевого транзистора. 40V, 300 мА. | General Electric Solid State |
| 47355 | 2N5366_D26Z | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47356 | 2N5366_D27Z | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47357 | 2N5366_D75Z | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47358 | 2N5367 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP | Micro Electronics |
| 47359 | 2N5367 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47360 | 2N5367(R) | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ПЛОСКОСТНЫЕ | Micro Electronics |
| | | |
