| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 47361 | 2N5368 | УСИЛИТЕЛИ И ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ КРЕМНИЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Micro Electronics |
| 47362 | 2N5369 | УСИЛИТЕЛИ И ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ КРЕМНИЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Micro Electronics |
| 47363 | 2N5369RLRA | Транзисторы Тяпки JFET | ON Semiconductor |
| 47364 | 2N5370 | УСИЛИТЕЛИ И ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ КРЕМНИЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Micro Electronics |
| 47365 | 2N5371 | УСИЛИТЕЛИ И ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ КРЕМНИЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Micro Electronics |
| 47366 | 2N5372 | УСИЛИТЕЛИ И ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ КРЕМНИЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Micro Electronics |
| 47367 | 2N5373 | УСИЛИТЕЛИ И ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ КРЕМНИЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Micro Electronics |
| 47368 | 2N5374 | УСИЛИТЕЛИ И ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ КРЕМНИЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Micro Electronics |
| 47369 | 2N5374 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47370 | 2N5375 | УСИЛИТЕЛИ И ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ КРЕМНИЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Micro Electronics |
| 47371 | 2N5375 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47372 | 2N5376 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47373 | 2N5377 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47374 | 2N5381 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47375 | 2N5383 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47376 | 2N5397 | Транзистор Пол-Vli4ni4 Соединения Кремния
Н-Kanala | InterFET Corporation |
| 47377 | 2N5397 | Транзистор Пол-Vli4ni4 Соединения Кремния
Н-Kanala | InterFET Corporation |
| 47378 | 2N5397 | N-канальный JFET. Частота усилителя высокой. | Intersil |
| 47379 | 2N5398 | Транзистор Пол-Vli4ni4 Соединения Кремния
Н-Kanala | InterFET Corporation |
| 47380 | 2N5398 | Транзистор Пол-Vli4ni4 Соединения Кремния
Н-Kanala | InterFET Corporation |
| 47381 | 2N5398 | N-канальный JFET. Частота усилителя высокой. | Intersil |
| 47382 | 2N5400 | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47383 | 2N5400 | Высоковольтный Транзистор | Korea Electronics (KEC) |
| 47384 | 2N5400 | Применения Переключения Эпитаксиальных Плоскостных
Транзисторов Кремния PNP Высок-V настоящее время | Honey Technology |
| 47385 | 2N5400 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ | Micro Electronics |
| 47386 | 2N5400 | КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРА PNP УСИЛИТЕЛЯ | Boca Semiconductor Corporation |
| 47387 | 2N5400 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 47388 | 2N5400 | Кремний Transistor(PNP Усилителя) | ON Semiconductor |
| 47389 | 2N5400 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | Samsung Electronic |
| 47390 | 2N5400 | Транзистор Expitaxial кремния PNP плоскостной
для применений усилителя общееа назначение высоковольтных | Semtech |
| 47391 | 2N5400 | 0.500W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 120 VCEO, 0.600A Ic, 40 - HFE | Continental Device India Limited |
| 47392 | 2N5400 | Транзисторов усилителя. Напряжение коллектор-эмиттер: VCEO = -120V. Напряжения коллектор-база: VCBO = -130V. Рассеиваемая Коллекционер: ПК (м | USHA India LTD |
| 47393 | 2N5400RA | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47394 | 2N5400RLRA | Усилитель Транзистор PNP | ON Semiconductor |
| 47395 | 2N5400RLRP | Усилитель Транзистор PNP | ON Semiconductor |
| 47396 | 2N5400S | Высоковольтный Транзистор | Korea Electronics (KEC) |
| 47397 | 2N5400_D26Z | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47398 | 2N5400_D27Z | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47399 | 2N5400_D75Z | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| 47400 | 2N5400_D81Z | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
| | | |
