Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
47401 | 2N5401 | Транзистор PNP высоковольтный | Philips |
47402 | 2N5401 | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | National Semiconductor |
47403 | 2N5401 | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
47404 | 2N5401 | Высоковольтный Кремний Transistor(PNP) | Korea Electronics (KEC) |
47405 | 2N5401 | Применения Переключения Эпитаксиальных Плоскостных
Транзисторов Кремния PNP Высок-V настоящее время | Honey Technology |
47406 | 2N5401 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ | Micro Electronics |
47407 | 2N5401 | Транзистор кремния PNP (применение общего
назначения усилителя высоковольтное) | AUK Corp |
47408 | 2N5401 | КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРА PNP УСИЛИТЕЛЯ | Boca Semiconductor Corporation |
47409 | 2N5401 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
47410 | 2N5401 | Малый Усилитель PNP Сигнала | ON Semiconductor |
47411 | 2N5401 | Малый Усилитель PNP Сигнала | ON Semiconductor |
47412 | 2N5401 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | Samsung Electronic |
47413 | 2N5401 | Транзистор Expitaxial кремния PNP плоскостной
для применений усилителя общееа назначение высоковольтных | Semtech |
47414 | 2N5401 | 0.625W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 150V VCEO, 0.600A Ic, 50 - HFE | Continental Device India Limited |
47415 | 2N5401 | Транзисторов усилителя. Напряжение коллектор-эмиттер: VCEO = -150V. Напряжения коллектор-база: VCBO = -160V. Рассеиваемая Коллекционер: ПК (м | USHA India LTD |
47416 | 2N5401-D | Кремний Транзисторов PNP Усилителя | ON Semiconductor |
47417 | 2N5401AI | 0.625W общего назначения PNP Пластиковые выводами транзистора. 150V VCEO, 0.600A Ic, 50 - HFE | Continental Device India Limited |
47418 | 2N5401BU | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
47419 | 2N5401C | Высоковольтный Кремний Transistor(PNP) | Korea Electronics (KEC) |
47420 | 2N5401CTA | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
47421 | 2N5401G | Кремний Transistor(PNP Усилителя) | Motorola |
47422 | 2N5401G | Кремний Transistor(PNP Усилителя) | Motorola |
47423 | 2N5401HR | Привет-Rel PNP биполярный транзистор 150 В, 0,5 | ST Microelectronics |
47424 | 2N5401HRG | Привет-Rel PNP биполярный транзистор 150 В, 0,5 | ST Microelectronics |
47425 | 2N5401HRT | Привет-Rel PNP биполярный транзистор 150 В, 0,5 | ST Microelectronics |
47426 | 2N5401NLBU | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
47427 | 2N5401RHRG | Привет-Rel PNP биполярный транзистор 150 В, 0,5 | ST Microelectronics |
47428 | 2N5401RHRT | Привет-Rel PNP биполярный транзистор 150 В, 0,5 | ST Microelectronics |
47429 | 2N5401RL1 | Малый Усилитель PNP Сигнала | ON Semiconductor |
47430 | 2N5401RL1 | Малый Усилитель PNP Сигнала | ON Semiconductor |
47431 | 2N5401RLRA | Малый Усилитель PNP Сигнала | ON Semiconductor |
47432 | 2N5401RLRA | Малый Усилитель PNP Сигнала | ON Semiconductor |
47433 | 2N5401RLRAG | Кремний Транзисторов NPN Усилителя | ON Semiconductor |
47434 | 2N5401RLRAG | Кремний Транзисторов NPN Усилителя | ON Semiconductor |
47435 | 2N5401RLRM | Малый Усилитель PNP Сигнала | ON Semiconductor |
47436 | 2N5401RLRM | Малый Усилитель PNP Сигнала | ON Semiconductor |
47437 | 2N5401RLRP | Усилитель Транзистор PNP | ON Semiconductor |
47438 | 2N5401RUBG | Привет-Rel PNP биполярный транзистор 150 В, 0,5 | ST Microelectronics |
47439 | 2N5401RUBT | Привет-Rel PNP биполярный транзистор 150 В, 0,5 | ST Microelectronics |
47440 | 2N5401S | Высоковольтный Кремний Transistor(PNP) | Korea Electronics (KEC) |
| | | |