| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 48161 | 2N6032 | Высокая тока, высокой мощности, высокой скорости кремния NPN-транзистор. | General Electric Solid State |
| 48162 | 2N6033 | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
| 48163 | 2N6033 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 48164 | 2N6033 | Высокая тока, высокой мощности, высокой скорости кремния NPN-транзистор. | General Electric Solid State |
| 48165 | 2N6034 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 48166 | 2N6034 | СИЛА DAR;OMGTONS MIDIUM | ST Microelectronics |
| 48167 | 2N6034 | W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 40V VCEO, Ic, HFE. | Continental Device India Limited |
| 48168 | 2N6034 | PNP среднего Дарлингтона мощный транзистор, 4А, 40V | SGS Thomson Microelectronics |
| 48169 | 2N6035 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 48170 | 2N6035 | Пластичные Транзисторы Силы Кремния Darlington
Комплементарные | ON Semiconductor |
| 48171 | 2N6035 | СИЛА DAR;OMGTONS MIDIUM | ST Microelectronics |
| 48172 | 2N6035 | PNP среднего Дарлингтона мощный транзистор, 4А, 60V | SGS Thomson Microelectronics |
| 48173 | 2N6035-D | Пластичные Транзисторы Силы Кремния Darlington
Комплементарные | ON Semiconductor |
| 48174 | 2N6036 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON
КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
| 48175 | 2N6036 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON
КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 48176 | 2N6036 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON
КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 48177 | 2N6036 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 48178 | 2N6036 | Сила 4ЈA 80V PNPD | ON Semiconductor |
| 48179 | 2N6036 | 40.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 4.000A Ic, 100 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48180 | 2N6037 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 48181 | 2N6037 | СИЛА DAR;OMGTONS MIDIUM | ST Microelectronics |
| 48182 | 2N6037 | 40.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 40V VCEO, 4.000A Ic, 750 - 15000 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48183 | 2N6037 | NPN средней Дарлингтона мощный транзистор, 4А, 40V | SGS Thomson Microelectronics |
| 48184 | 2N6038 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 48185 | 2N6038 | Пластичные Транзисторы Силы Кремния Darlington
Комплементарные | ON Semiconductor |
| 48186 | 2N6038 | СИЛА DAR;OMGTONS MIDIUM | ST Microelectronics |
| 48187 | 2N6038 | 40.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 4.000A Ic, 750 - 15000 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48188 | 2N6038 | NPN средней Дарлингтона мощный транзистор, 4А, 60V | SGS Thomson Microelectronics |
| 48189 | 2N6039 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON
КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
| 48190 | 2N6039 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON
КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 48191 | 2N6039 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON
КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 48192 | 2N6039 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 48193 | 2N6039 | Сила 4ЈA 80V NPND | ON Semiconductor |
| 48194 | 2N6039 | W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 40V VCEO, Ic, HFE. | Continental Device India Limited |
| 48195 | 2N6040 | СИЛА TRANSISTORS(10A, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48196 | 2N6040 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON
КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ | Boca Semiconductor Corporation |
| 48197 | 2N6040 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 48198 | 2N6040 | Приведите 8ЈA В действие 60V Darlington
PNP | ON Semiconductor |
| 48199 | 2N6040-D | Транзисторы Кремния Пластичной Средств-Sily
Комплементарные | ON Semiconductor |
| 48200 | 2N6041 | СИЛА TRANSISTORS(10A, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
| | | |
