| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 48561 | 2N6288 | Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 40V. | General Electric Solid State |
| 48562 | 2N6289 | EPITAXIAL-BASE, КРЕМНИЙ N-P-N И ТРАНЗИСТОРЫ
P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48563 | 2N6289 | Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 40V. | General Electric Solid State |
| 48564 | 2N6290 | СИЛА TRANSISTORS(7A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48565 | 2N6290 | EPITAXIAL-BASE, КРЕМНИЙ N-P-N И ТРАНЗИСТОРЫ
P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48566 | 2N6290 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48567 | 2N6290 | 40.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 7.000A Ic, 2 HFE. Дополнительные 2N6109 | Continental Device India Limited |
| 48568 | 2N6290 | Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 60V. | General Electric Solid State |
| 48569 | 2N6291 | EPITAXIAL-BASE, КРЕМНИЙ N-P-N И ТРАНЗИСТОРЫ
P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48570 | 2N6291 | Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 60V. | General Electric Solid State |
| 48571 | 2N6292 | СИЛА TRANSISTORS(7A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48572 | 2N6292 | EPITAXIAL-BASE, КРЕМНИЙ N-P-N И ТРАНЗИСТОРЫ
P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48573 | 2N6292 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48574 | 2N6292 | Сила 7A 70V Дискретное NPN | ON Semiconductor |
| 48575 | 2N6292 | 40.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 70V VCEO, 7.000A Ic, 2 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48576 | 2N6292 | Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 80V. | General Electric Solid State |
| 48577 | 2N6292 | Кремний пластик мощность NPN-транзистор. Общего назначения коммутации и усилитель приложений. VCEO = 70Vdc, Vcb = 80VDC, Вэб = 5В, Ic = 7Adc, Ib = 3Adc, PD = | USHA India LTD |
| 48578 | 2N6293 | EPITAXIAL-BASE, КРЕМНИЙ N-P-N И ТРАНЗИСТОРЫ
P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48579 | 2N6293 | Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 80V. | General Electric Solid State |
| 48580 | 2N6294 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ КРЕМНИЙ DARLINGTONl | Central Semiconductor |
| 48581 | 2N6295 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ КРЕМНИЙ DARLINGTONl | Central Semiconductor |
| 48582 | 2N6295 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON
КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ | SemeLAB |
| 48583 | 2N6296 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ КРЕМНИЙ DARLINGTONl | Central Semiconductor |
| 48584 | 2N6296 | Двухполярное приспособление PNP в герметично
загерметизированном пакете металла TO18 | SemeLAB |
| 48585 | 2N6297 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ КРЕМНИЙ DARLINGTONl | Central Semiconductor |
| 48586 | 2N6298 | Транзистор PNP Darlington | Microsemi |
| 48587 | 2N6298 | СИЛА TRANSISTORS(8ЈA, 75W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48588 | 2N6298 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON
КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ | Boca Semiconductor Corporation |
| 48589 | 2N6298 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 48590 | 2N6299 | Транзистор PNP Darlington | Microsemi |
| 48591 | 2N6299 | СИЛА TRANSISTORS(8ЈA, 75W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48592 | 2N6299 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON
КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ | Boca Semiconductor Corporation |
| 48593 | 2N6299 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 48594 | 2N6300 | Транзистор NPN Darlington | Microsemi |
| 48595 | 2N6300 | СИЛА TRANSISTORS(8ЈA, 75W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48596 | 2N6300 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON
КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ | Boca Semiconductor Corporation |
| 48597 | 2N6300 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 48598 | 2N6301 | Транзистор NPN Darlington | Microsemi |
| 48599 | 2N6301 | СИЛА TRANSISTORS(8ЈA, 75W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48600 | 2N6301 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON
КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ | Boca Semiconductor Corporation |
| | | |
