Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
48681 | 2N6353 | Транзистор NPN Darlington | Microsemi |
48682 | 2N6354 | 120, 10A, 140W кремния NPN плоская транзистор. | General Electric Solid State |
48683 | 2N6371 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
48684 | 2N6371 | 40V высокой мощности кремния NPN-транзистор | Comset Semiconductors |
48685 | 2N6371 | Мощный кремниевый NPN-транзистор. 50V, 117W. | General Electric Solid State |
48686 | 2N6371HV | Транзисторы Пакета Силы TO-3 (NPN) | Unknow |
48687 | 2N6371HV | Транзисторы Пакета Силы TO-3 (NPN) | Unknow |
48688 | 2N6372 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
48689 | 2N6373 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
48690 | 2N6374 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
48691 | 2N6383 | Транзистор NPN Darlington | Microsemi |
48692 | 2N6383 | СИЛА TRANSISTORS(10A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
48693 | 2N6383 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
48694 | 2N6383 | 10 NPN Дарлингтон транзистор питания. 40 В. 100 Вт Усиление 1000 в 5 А. | General Electric Solid State |
48695 | 2N6384 | Транзистор NPN Darlington | Microsemi |
48696 | 2N6384 | СИЛА TRANSISTORS(10A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
48697 | 2N6384 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
48698 | 2N6384 | 10 NPN Дарлингтон транзистор питания. 60 В. 100 Вт Усиление 1000 в 5 А. | General Electric Solid State |
48699 | 2N6385 | Транзистор NPN Darlington | Microsemi |
48700 | 2N6385 | СИЛА TRANSISTORS(10A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
48701 | 2N6385 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
48702 | 2N6385 | 10 NPN Дарлингтон транзистор питания. 80 В. 100 Вт Усиление 1000 в 5 А. | General Electric Solid State |
48703 | 2N6386 | СИЛА TRANSISTORS(65W) | MOSPEC Semiconductor |
48704 | 2N6386 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON | Boca Semiconductor Corporation |
48705 | 2N6386 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
48706 | 2N6386 | 10 NPN Дарлингтон транзистор питания. 40 В. 65 Вт Усиление 1000 в 3 А. | General Electric Solid State |
48707 | 2N6387 | СИЛА TRANSISTORS(65W) | MOSPEC Semiconductor |
48708 | 2N6387 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON | Boca Semiconductor Corporation |
48709 | 2N6387 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
48710 | 2N6387 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON NPN | ON Semiconductor |
48711 | 2N6387 | 10 NPN Дарлингтон транзистор питания. 60 В. 65 Вт Усиление 1000 в 5 А. | General Electric Solid State |
48712 | 2N6387-D | Пластичные Транзисторы Кремния Средств-Sily | ON Semiconductor |
48713 | 2N6388 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯ NPN | ST Microelectronics |
48714 | 2N6388 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯ NPN | SGS Thomson Microelectronics |
48715 | 2N6388 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯ NPN | SGS Thomson Microelectronics |
48716 | 2N6388 | СИЛА TRANSISTORS(65W) | MOSPEC Semiconductor |
48717 | 2N6388 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ DARLINGTON | Boca Semiconductor Corporation |
48718 | 2N6388 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
48719 | 2N6388 | Сила 8ЈA 80V Darlington NPN | ON Semiconductor |
48720 | 2N6388 | 10 NPN Дарлингтон транзистор питания. 80 В. 65 Вт Усиление 1000 в 5 А. | General Electric Solid State |
| | | |