| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 48801 | 2N6430 | 0.500W общего назначения NPN Металл Может транзистора. 200В VCEO, 0.050A Ic, 25 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48802 | 2N6431 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 48803 | 2N6432 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 48804 | 2N6433 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 48805 | 2N6436 | СИЛА TRANSISTORS(25ЈA, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48806 | 2N6436 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ HIGH-POWER PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 48807 | 2N6437 | СИЛА TRANSISTORS(25ЈA, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48808 | 2N6437 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ HIGH-POWER PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 48809 | 2N6437 | КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ PNP | ON Semiconductor |
| 48810 | 2N6437-D | Транзисторы Кремния Высок-Sily PNP | ON Semiconductor |
| 48811 | 2N6438 | СИЛА TRANSISTORS(25ЈA, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48812 | 2N6438 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ HIGH-POWER PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 48813 | 2N6438 | КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ PNP | ON Semiconductor |
| 48814 | 2N6439 | СИЛА TRANSISTORS(10A, 15v, 60w) | Tyco Electronics |
| 48815 | 2N6439 | 60 ш, от 225 до 400 КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРА
СИЛЫ NPN мегацикла CONTROLLED Q. ШИРОКОПОЛОСН RF | Motorola |
| 48816 | 2N6439 | 60 Вт, транзистор питания NPN кремния РФ | MA-Com |
| 48817 | 2N6449 | Транзистор Пол-Vli4ni4 Соединения Кремния
Н-Kanala | InterFET Corporation |
| 48818 | 2N6449 | Транзистор Пол-Vli4ni4 Соединения Кремния
Н-Kanala | InterFET Corporation |
| 48819 | 2N6450 | Транзистор Пол-Vli4ni4 Соединения Кремния
Н-Kanala | InterFET Corporation |
| 48820 | 2N6450 | Транзистор Пол-Vli4ni4 Соединения Кремния
Н-Kanala | InterFET Corporation |
| 48821 | 2N6451 | Транзистор Пол-Vli4ni4 Соединения Кремния
Н-Kanala | InterFET Corporation |
| 48822 | 2N6452 | Транзистор Пол-Vli4ni4 Соединения Кремния
Н-Kanala | InterFET Corporation |
| 48823 | 2N6453 | Транзистор Пол-Vli4ni4 Соединения Кремния
Н-Kanala | InterFET Corporation |
| 48824 | 2N6453 | Транзистор Пол-Vli4ni4 Соединения Кремния
Н-Kanala | InterFET Corporation |
| 48825 | 2N6454 | Транзистор Пол-Vli4ni4 Соединения Кремния
Н-Kanala | InterFET Corporation |
| 48826 | 2N6454 | Транзистор Пол-Vli4ni4 Соединения Кремния
Н-Kanala | InterFET Corporation |
| 48827 | 2N6461 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO39. | SemeLAB |
| 48828 | 2N6462 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 48829 | 2N6462 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 48830 | 2N6463 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO39. | SemeLAB |
| 48831 | 2N6464 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 48832 | 2N6465 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48833 | 2N6465 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 48834 | 2N6466 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48835 | 2N6467 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48836 | 2N6467 | Двухполярное приспособление PNP в герметично
загерметизированном пакете металла TO18 | SemeLAB |
| 48837 | 2N6467 | Кремния PNP средней мощности транзистор. -110V, 40W. | General Electric Solid State |
| 48838 | 2N6468 | Двухполярное приспособление PNP в герметично
загерметизированном пакете металла TO18 | SemeLAB |
| 48839 | 2N6468 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48840 | 2N6468 | Кремния PNP средней мощности транзистор. -130V, 40W. | General Electric Solid State |
| | | |
