| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 48881 | 2N6488 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ NPN/PNP ПЛАСТИЧНЫЕ | Boca Semiconductor Corporation |
| 48882 | 2N6488 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48883 | 2N6488 | Сила 15ЈA 80V Дискретное NPN | ON Semiconductor |
| 48884 | 2N6488 | 75.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 15.000A Ic, 20 - 150 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48885 | 2N6488 | 15A, 75W, кремния NPN эпитаксиальный-база VERSAWATT транзистор. 90V. | General Electric Solid State |
| 48886 | 2N6489 | СИЛА TRANSISTORS(15ЈA, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48887 | 2N6489 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ NPN/PNP ПЛАСТИЧНЫЕ | Boca Semiconductor Corporation |
| 48888 | 2N6489 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48889 | 2N6489 | 75.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 40V VCEO, 15.000A Ic, 20 - 150 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48890 | 2N6489 | 15A, 75W, кремния PNP эпитаксиальный-база VERSAWATT транзистор. -50 В. | General Electric Solid State |
| 48891 | 2N6490 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
| 48892 | 2N6490 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 48893 | 2N6490 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 48894 | 2N6490 | СИЛА TRANSISTORS(15ЈA, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48895 | 2N6490 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ NPN/PNP ПЛАСТИЧНЫЕ | Boca Semiconductor Corporation |
| 48896 | 2N6490 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48897 | 2N6490 | Сила 15ЈA 80V Дискретное NPN | ON Semiconductor |
| 48898 | 2N6490 | 75.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 15.000A Ic, 20 - 150 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48899 | 2N6490 | 15A, 75W, кремния PNP эпитаксиальный-база VERSAWATT транзистор. -70V. | General Electric Solid State |
| 48900 | 2N6491 | СИЛА TRANSISTORS(15ЈA, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48901 | 2N6491 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ NPN/PNP ПЛАСТИЧНЫЕ | Boca Semiconductor Corporation |
| 48902 | 2N6491 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48903 | 2N6491 | Сила 15ЈA 80V Дискретное PNP | ON Semiconductor |
| 48904 | 2N6491 | 75.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 80V VCEO, 15.000A Ic, 20 - 150 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48905 | 2N6491 | 15A, 75W, кремния PNP эпитаксиальный-база VERSAWATT транзистор. -90V. | General Electric Solid State |
| 48906 | 2N6494 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ КРЕМНИЯ PNP 7 АМПЕРОВ
70 ВОЛЬТОВ 34 ВАТТА | Boca Semiconductor Corporation |
| 48907 | 2N6496 | Высокий ток, высокая мощность, высокая скорость кремния NPN плоская транзистор. | General Electric Solid State |
| 48908 | 2N6497 | СИЛА TRANSISTORS(5ЈA, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48909 | 2N6497 | ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 48910 | 2N6497 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48911 | 2N6497 | Сила 5ЈA 250V Дискретное NPN | ON Semiconductor |
| 48912 | 2N6497-D | Высоковольтные Транзисторы Силы Кремния NPN | ON Semiconductor |
| 48913 | 2N6498 | СИЛА TRANSISTORS(5ЈA, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48914 | 2N6498 | ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 48915 | 2N6498 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48916 | 2N6498 | КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ NPN | ON Semiconductor |
| 48917 | 2N6499 | СИЛА TRANSISTORS(5ЈA, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48918 | 2N6499 | ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 48919 | 2N6499 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48920 | 2N6500 | ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ
NPN СБОРНИКА ПЛОСКОСТНЫЕ | General Electric Solid State |
| | | |
