| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 49081 | 2N657A | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 49082 | 2N6581 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 49083 | 2N6583 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 49084 | 2N6594 | СИЛА TRANSISTORS(12ЈA, 40v, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49085 | 2N6594 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ КРЕМНИЯ PNP 7 АМПЕРОВ
70 ВОЛЬТОВ 34 ВАТТА | Boca Semiconductor Corporation |
| 49086 | 2N6594 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 49087 | 2N660 | SCRs | Central Semiconductor |
| 49088 | 2N660 | SCRs | Central Semiconductor |
| 49089 | 2N6605 | Освинцованный Scr Тиристора | Central Semiconductor |
| 49090 | 2N6606 | Освинцованный Scr Тиристора | Central Semiconductor |
| 49091 | 2N6607 | Освинцованный Scr Тиристора | Central Semiconductor |
| 49092 | 2N6608 | Освинцованный Scr Тиристора | Central Semiconductor |
| 49093 | 2N6609 | СИЛА TRANSISTORS(16ЈA, 140v, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49094 | 2N6609 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | Boca Semiconductor Corporation |
| 49095 | 2N6609 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 49096 | 2N6609 | Сила 16ЈA 140V Дискретное PNP | ON Semiconductor |
| 49097 | 2N6609 | Кремния PNP эпитаксиальный-база мощного транзистора. -160V, 150W. | General Electric Solid State |
| 49098 | 2N6619 | 12 В, 30 мА, NPN кремниевый транзистор с низким уровнем шума РФ широкополосного усилителя и применения коммутации высокоскоростных | Siemens |
| 49099 | 2N6620 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ДЛЯ УСИЛИТЕЛЯ RF
НИЗКОГО ШУМА ШИРОКОПОЛОСНОГО | Siemens |
| 49100 | 2N6620 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ДЛЯ УСИЛИТЕЛЯ RF
НИЗКОГО ШУМА ШИРОКОПОЛОСНОГО | Siemens |
| 49101 | 2N6621 | 25 V, 25 Ма, широкополосный РФ NPN кремниевый транзистор | Siemens |
| 49102 | 2N6648 | Транзистор PNP Darlington | Microsemi |
| 49103 | 2N6648 | СИЛА TRANSISTORS(10A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49104 | 2N6648 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 49105 | 2N6648 | 10 PNP Дарлингтона мощный транзистор. -40 В. 70 В. Усиление 1000 в 5 А. | General Electric Solid State |
| 49106 | 2N6649 | Транзистор PNP Darlington | Microsemi |
| 49107 | 2N6649 | СИЛА TRANSISTORS(10A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49108 | 2N6649 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 49109 | 2N6649 | 10 PNP Дарлингтона мощный транзистор. -60 В. 70 В. Усиление 1000 в 5 А. | General Electric Solid State |
| 49110 | 2N6650 | Транзистор PNP Darlington | Microsemi |
| 49111 | 2N6650 | СИЛА TRANSISTORS(10A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49112 | 2N6650 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 49113 | 2N6650 | 10 PNP Дарлингтона мощный транзистор. -80 В. 70 В. Усиление 1000 в 5 А. | General Electric Solid State |
| 49114 | 2N6653 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3. | SemeLAB |
| 49115 | 2N6654 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 49116 | 2N6655 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 49117 | 2N6659 | ТРАНЗИСТОР MOS РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNEL | SemeLAB |
| 49118 | 2N6659 | ТРАНЗИСТОРЫ FET ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ TMOS | Motorola |
| 49119 | 2N6660 | ТРАНЗИСТОРЫ FET ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ TMOS | Motorola |
| 49120 | 2N6660 | FETs Повышени-Rejima Вертикальные DMOS
Н-Kanala | Supertex Inc |
| | | |
