| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 499001 | HM514100DLS-7 | 4194304-слово х 1-битный динамический RAM, 70 нс | Hitachi Semiconductor |
| 499002 | HM514100DLS-8 | 4194304-слово х 1-битный динамический RAM, 80 не | Hitachi Semiconductor |
| 499003 | HM514100DS-6 | 4194304-слово х 1-битный динамический RAM, 60 нс | Hitachi Semiconductor |
| 499004 | HM514100DS-7 | 4194304-слово х 1-битный динамический RAM, 70 нс | Hitachi Semiconductor |
| 499005 | HM514100DS-8 | 4194304-слово х 1-битный динамический RAM, 80 не | Hitachi Semiconductor |
| 499006 | HM514258AJP-10 | 100 нс; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499007 | HM514258AJP-12 | 120ns; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499008 | HM514258AJP-6 | 60 нс; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499009 | HM514258AJP-7 | 70 нс; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499010 | HM514258AJP-8 | 80 не; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499011 | HM514258AP-10 | 100 нс; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499012 | HM514258AP-12 | 120ns; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499013 | HM514258AP-6 | 60 нс; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499014 | HM514258AP-7 | 70 нс; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499015 | HM514258AP-8 | 80 не; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499016 | HM514258AZP-10 | 100 нс; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499017 | HM514258AZP-12 | 120ns; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499018 | HM514258AZP-6 | 60 нс; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499019 | HM514258AZP-7 | 70 нс; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499020 | HM514258AZP-8 | 80 не; V (см / т): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 4-битный CMOS динамическое ОЗУ | Hitachi Semiconductor |
| 499021 | HM514260AJ-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiã оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499022 | HM514260AJ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит динамин оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499023 | HM514260AJ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит динамической памяти с произвольным доступом | Hitachi Semiconductor |
| 499024 | HM514260ALJ-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiò оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499025 | HM514260ALJ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiã оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499026 | HM514260ALJ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÔ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499027 | HM514260ALRR-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит динамической памяти с произвольным доступом | Hitachi Semiconductor |
| 499028 | HM514260ALRR-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÔ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499029 | HM514260ALRR-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiã оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499030 | HM514260ALTT-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит динамин оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499031 | HM514260ALTT-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamié оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499032 | HM514260ALTT-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÓ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499033 | HM514260ALZ-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÎ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499034 | HM514260ALZ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÊ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499035 | HM514260ALZ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamií оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499036 | HM514260ARR-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÓ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499037 | HM514260ARR-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит динамической памяти с произвольным доступом | Hitachi Semiconductor |
| 499038 | HM514260ARR-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит динамин оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499039 | HM514260ATT-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamié оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499040 | HM514260ATT-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamií оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| | | |
