| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 499281 | HM5165165FTT-5 | DRAM 64M EDO (4-Mword х
шестнадцатиразрядный) 8k refresh/4k освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499282 | HM5165165FTT-6 | DRAM 64M EDO (4-Mword х
шестнадцатиразрядный) 8k refresh/4k освежает | Hitachi Semiconductor |
| 499283 | HM5165165J-5 | 64M ОКБ DRAM (4-Mword х 16-битных), 50 нс | Hitachi Semiconductor |
| 499284 | HM5165165J-6 | 64M ОКБ DRAM (4-Mword х 16-битных), 60 нс | Hitachi Semiconductor |
| 499285 | HM5165165LJ-5 | 64M ОКБ DRAM (4-Mword х 16-битных), 50 нс | Hitachi Semiconductor |
| 499286 | HM5165165LJ-6 | 64M ОКБ DRAM (4-Mword х 16-битных), 60 нс | Hitachi Semiconductor |
| 499287 | HM5165165LTT-5 | 64M ОКБ DRAM (4-Mword х 16-битных), 50 нс | Hitachi Semiconductor |
| 499288 | HM5165165LTT-6 | 64M ОКБ DRAM (4-Mword х 16-битных), 60 нс | Hitachi Semiconductor |
| 499289 | HM5165165TT-5 | 64M ОКБ DRAM (4-Mword х 16-битных), 50 нс | Hitachi Semiconductor |
| 499290 | HM5165165TT-6 | 64M ОКБ DRAM (4-Mword х 16-битных), 60 нс | Hitachi Semiconductor |
| 499291 | HM5165405FJ-5 | 16M х 4-битный ОКБ DRAM, 50 нс | Hitachi Semiconductor |
| 499292 | HM5165405FJ-6 | 16M х 4-битный EDO DRAM, 60 нс | Hitachi Semiconductor |
| 499293 | HM5165405FLJ-5 | 16M х 4-битный ОКБ DRAM, 50 нс | Hitachi Semiconductor |
| 499294 | HM5165405FLJ-6 | 16M х 4-битный EDO DRAM, 60 нс | Hitachi Semiconductor |
| 499295 | HM5165405FLTT-5 | 16M х 4-битный ОКБ DRAM, 50 нс | Hitachi Semiconductor |
| 499296 | HM5165405FLTT-6 | 16M х 4-битный EDO DRAM, 60 нс | Hitachi Semiconductor |
| 499297 | HM5165405FTT-5 | 16M х 4-битный ОКБ DRAM, 50 нс | Hitachi Semiconductor |
| 499298 | HM5165405FTT-6 | 16M х 4-битный EDO DRAM, 60 нс | Hitachi Semiconductor |
| 499299 | HM51S4260AJ-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÖ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499300 | HM51S4260AJ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiß оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499301 | HM51S4260AJ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiú оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499302 | HM51S4260ALJ-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÐ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499303 | HM51S4260ALJ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÖ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499304 | HM51S4260ALJ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiæ оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499305 | HM51S4260ALRR-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiú оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499306 | HM51S4260ALRR-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiæ оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499307 | HM51S4260ALRR-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÖ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499308 | HM51S4260ALTT-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiß оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499309 | HM51S4260ALTT-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÈ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499310 | HM51S4260ALTT-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiõ оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499311 | HM51S4260ALZ-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiï оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499312 | HM51S4260ALZ-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamië оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499313 | HM51S4260ALZ-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÌ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499314 | HM51S4260ARR-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiõ оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499315 | HM51S4260ARR-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiú оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499316 | HM51S4260ARR-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiß оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499317 | HM51S4260ATT-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÈ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499318 | HM51S4260ATT-7 | 70 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiÌ оперативное запоминающее устройство | Hitachi Semiconductor |
| 499319 | HM51S4260ATT-8 | 80 не; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamië оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| 499320 | HM51S4260AZ-10 | 100 нс; V (см): -1,0 до + 7.0V; 50 мА; 1W; 262144-слово х 16-бит dynamiæ оперативной памяти | Hitachi Semiconductor |
| | | |
