| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 50081 | 2SA1037P | Комплементарный Двойной Общего назначения Транзистор
Усилителя | ON Semiconductor |
| 50082 | 2SA1037P | Комплементарный Двойной Общего назначения Транзистор
Усилителя | ON Semiconductor |
| 50083 | 2SA1038S | Транзисторы > малый сигнал двухполярное
Transistors(up к 0.6W) | ROHM |
| 50084 | 2SA104 | Смещение Ge PNP | Unknow |
| 50085 | 2SA104 | Смещение Ge PNP | Unknow |
| 50086 | 2SA1048 | Применений усилителя тональнозвуковой частоты типа
кремния PNP транзистора применения тональнозвуковой частоты шума
эпитаксиальных (процесса pct) низкие | TOSHIBA |
| 50087 | 2SA1048(L) | Применений усилителя тональнозвуковой частоты типа
кремния PNP транзистора применения тональнозвуковой частоты шума
эпитаксиальных (процесса pct) низкие | TOSHIBA |
| 50088 | 2SA1048L | ТРАНЗИСТОР (ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ
ЧАСТОТЫ) | TOSHIBA |
| 50089 | 2SA1049 | Применений усилителя тональнозвуковой частоты типа
кремния PNP транзистора применения тональнозвуковой частоты шума
эпитаксиальных (процесса pct) низкие | TOSHIBA |
| 50090 | 2SA1052 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 50091 | 2SA1052 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 50092 | 2SA1052 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 50093 | 2SA1060 | Кремния PNP эпитаксиальный база Меса транзистор, 80V, 5A | Panasonic |
| 50094 | 2SA1061 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ EPITAXAL НИЗКОПРОБНЫЙ
LESA | Panasonic |
| 50095 | 2SA1062 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ EPITAXAL НИЗКОПРОБНЫЙ
LESA | Panasonic |
| 50096 | 2SA1064 | МЕЗА SI NPN ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ | Panasonic |
| 50097 | 2SA1065 | МЕЗА SI NPN ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ | Panasonic |
| 50098 | 2SA1069 | Транзистор кремния | NEC |
| 50099 | 2SA1069(1) | Транзистор кремния | NEC |
| 50100 | 2SA1069-S | Транзистор кремния | NEC |
| 50101 | 2SA1069-Z | Транзистор кремния | NEC |
| 50102 | 2SA1069A | Транзистор кремния | NEC |
| 50103 | 2SA1069A-S | Транзистор кремния | NEC |
| 50104 | 2SA1069A-Z | Транзистор кремния | NEC |
| 50105 | 2SA1072 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ КРЕМНИЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ | Fujitsu Microelectronics |
| 50106 | 2SA1073 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ КРЕМНИЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ | Fujitsu Microelectronics |
| 50107 | 2SA1075 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ КРЕМНИЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ | Fujitsu Microelectronics |
| 50108 | 2SA1076 | 160V PNP кремния общего назначения высокоскоростной мощный транзистор | Fujitsu Microelectronics |
| 50109 | 2SA1077 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ КРЕМНИЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ | Fujitsu Microelectronics |
| 50110 | 2SA1078 | ТРАНЗИСТОР ИЗЛУЧАТЕЛЯ КОЛЬЦА КРЕМНИЯ PNP
(ВОЗВРАЩЕНИЕ) | Fujitsu Microelectronics |
| 50111 | 2SA1080 | ИЗЛУЧАТЕЛЬ TRANSISTOR(RET) КОЛЬЦА КРЕМНИЯ
PNP | Fujitsu Microelectronics |
| 50112 | 2SA1080 | ИЗЛУЧАТЕЛЬ TRANSISTOR(RET) КОЛЬЦА КРЕМНИЯ
PNP | Fujitsu Microelectronics |
| 50113 | 2SA1081 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 50114 | 2SA1081 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 50115 | 2SA1081 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 50116 | 2SA1082 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 50117 | 2SA1082 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 50118 | 2SA1083 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 50119 | 2SA1083 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 50120 | 2SA1083 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| | | |
