| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 50401 | 2SA1362 | Транзисторы > Сложные Транзисторы Цифров | TOSHIBA |
| 50402 | 2SA1363 | 500 мВт SMD PNP транзистор, максимальная оценка: -16V VCEO, -2a Ic, от 150 до 800 HFE. Дополнительные 2SC3443 | Isahaya Electronics Corporation |
| 50403 | 2SA1364 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP | Isahaya Electronics Corporation |
| 50404 | 2SA1364 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ PNP | Isahaya Electronics Corporation |
| 50405 | 2SA1365 | ДЛЯ ВЫСОКО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО | Isahaya Electronics Corporation |
| 50406 | 2SA1365 | ДЛЯ ВЫСОКО В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО | Isahaya Electronics Corporation |
| 50407 | 2SA1366 | 150mW SMD PNP транзистор, максимальная оценка: -50 В VCEO, -400mA Ic, от 90 до 500 HFE. Дополнительные 2SC3441 | Isahaya Electronics Corporation |
| 50408 | 2SA1368 | 2SA1368 | Isahaya Electronics Corporation |
| 50409 | 2SA1368 | 2SA1368 | Isahaya Electronics Corporation |
| 50410 | 2SA1369 | ДЛЯ МАЛОГО МОТОРА ТИПА, ТИП КРЕМНИЯ PNP
ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ПЛУНЖЕРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
| 50411 | 2SA1369 | ДЛЯ МАЛОГО МОТОРА ТИПА, ТИП КРЕМНИЯ PNP
ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА ПЛУНЖЕРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
| 50412 | 2SA1370 | High-Definition Индикация Crt, Видео-
Применения Выхода | SANYO |
| 50413 | 2SA1371 | High-Definition Индикация Crt, Видео-
Применения Выхода | SANYO |
| 50414 | 2SA1374 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 50415 | 2SA1374 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 50416 | 2SA1374 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 50417 | 2SA1376 | Транзистор кремния | NEC |
| 50418 | 2SA1376-T | Транзистор кремния | NEC |
| 50419 | 2SA1376-T/JD | Транзистор кремния | NEC |
| 50420 | 2SA1376-T/JM | Транзистор кремния | NEC |
| 50421 | 2SA1376/JD | Транзистор кремния | NEC |
| 50422 | 2SA1376/JM | Транзистор кремния | NEC |
| 50423 | 2SA1376A | Транзистор кремния | NEC |
| 50424 | 2SA1376A-T | Транзистор кремния | NEC |
| 50425 | 2SA1376A-T/JD | Транзистор кремния | NEC |
| 50426 | 2SA1376A-T/JM | Транзистор кремния | NEC |
| 50427 | 2SA1376A/JD | Транзистор кремния | NEC |
| 50428 | 2SA1376A/JM | Транзистор кремния | NEC |
| 50429 | 2SA1380 | Индикация Crt Ультравысок-Opredeleni4, Видео-
Применения Выхода | SANYO |
| 50430 | 2SA1381 | Транзисторов Кремния PNP Индикация Crt
Эпитаксиальных Плоскостных High-Definition, Видео- Применения
Выхода | SANYO |
| 50431 | 2SA1381 | Pnp эпитаксиальный кремниевый транзистор | Fairchild Semiconductor |
| 50432 | 2SA1382 | УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ PNP ТРАНЗИСТОРА
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕССА Pct), Высокоскоростные Применения
Переключения | TOSHIBA |
| 50433 | 2SA1383 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP/NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ
УСИЛИТЕЛЕЙ СИЛЫ LOW-FREQUENCY | Unknow |
| 50434 | 2SA1383 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP/NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ
УСИЛИТЕЛЕЙ СИЛЫ LOW-FREQUENCY | Unknow |
| 50435 | 2SA1384 | Индикация плазмы применений управлением типа кремния
PNP транзистора втройне отраженная (процесса pct)
высоковольтная, применения управлением яркости электронно-лучевой
трубки применений водителя пробки Nixie | TOSHIBA |
| 50436 | 2SA1385 | ТРАНЗИСТОР MP-3 КРЕМНИЯ PNP
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | NEC |
| 50437 | 2SA1385-Z | ТРАНЗИСТОР MP-3 КРЕМНИЯ PNP
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | NEC |
| 50438 | 2SA1385Z | ТРАНЗИСТОР MP-3 КРЕМНИЯ PNP
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | NEC |
| 50439 | 2SA1385Z | ТРАНЗИСТОР MP-3 КРЕМНИЯ PNP
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | NEC |
| 50440 | 2SA1386 | СИЛА TRANSISTORS(15ЈA, 130w) | MOSPEC Semiconductor |
| | | |
