Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
51281 | 2SA673 | УСИЛИТЕЛЬ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ ТРАНЗИСТОРА
КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Micro Electronics |
51282 | 2SA673 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
51283 | 2SA673A | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
51284 | 2SA673A | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
51285 | 2SA673A | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
51286 | 2SA673A | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | Micro Electronics |
51287 | 2SA673A | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
51288 | 2SA673A | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
51289 | 2SA673A(K) | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
51290 | 2SA673AB | PNP транзистор для усилителя низкой частоты, 50В, 500 мА | Hitachi Semiconductor |
51291 | 2SA673AC | PNP транзистор для усилителя низкой частоты, 50В, 500 мА | Hitachi Semiconductor |
51292 | 2SA673AD | PNP транзистор для усилителя низкой частоты, 50В, 500 мА | Hitachi Semiconductor |
51293 | 2SA673AK | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
51294 | 2SA673B | PNP транзистор для усилителя низкой частоты, 50В, 500 мА | Hitachi Semiconductor |
51295 | 2SA673C | PNP транзистор для усилителя низкой частоты, 50В, 500 мА | Hitachi Semiconductor |
51296 | 2SA673D | PNP транзистор для усилителя низкой частоты, 50В, 500 мА | Hitachi Semiconductor |
51297 | 2SA675 | Транзистор кремния | NEC |
51298 | 2SA675(A) | Транзистор кремния | NEC |
51299 | 2SA675(A)-T | Транзистор кремния | NEC |
51300 | 2SA675(C) | Транзистор кремния | NEC |
51301 | 2SA675(C)-T | Транзистор кремния | NEC |
51302 | 2SA675-T | Транзистор кремния | NEC |
51303 | 2SA675-T/JD | Транзистор кремния | NEC |
51304 | 2SA675-T/JM | Транзистор кремния | NEC |
51305 | 2SA675/JD | Транзистор кремния | NEC |
51306 | 2SA675/JM | Транзистор кремния | NEC |
51307 | 2SA679 | ТРАНЗИСТОР МЕЗЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
(ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЙ) | Unknow |
51308 | 2SA679 | ТРАНЗИСТОР МЕЗЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
(ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЙ) | Unknow |
51309 | 2SA680 | ТРАНЗИСТОР МЕЗЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
(ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЙ) | Unknow |
51310 | 2SA680 | ТРАНЗИСТОР МЕЗЫ КРЕМНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
(ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЙ) | Unknow |
51311 | 2SA683 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
51312 | 2SA684 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
51313 | 2SA684 | ТРАНЗИСТОР PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ | Unisonic Technologies |
51314 | 2SA699 | ПЛОСКОСТНОЕ SI PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ | Panasonic |
51315 | 2SA699A | ПЛОСКОСТНОЕ SI PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ | Panasonic |
51316 | 2SA701 | ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ
ТИПА | Unknow |
51317 | 2SA701 | ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ
ТИПА | Unknow |
51318 | 2SA702 | ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ
ТИПА | Unknow |
51319 | 2SA702 | ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ
ТИПА | Unknow |
51320 | 2SA708 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СКОРОСТИ УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
СРЕДСТВ | USHA India LTD |
| | | |