|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1291 | 1292 | 1293 | 1294 | 1295 | 1296 | 1297 | 1298 | 1299 | 1300 | 1301 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
518012SB1085СВЯЗАННЫЙ ТЕСЬМОЙ ПАКЕТ ТРАНЗИСТОРА СИЛЫ ДЛЯ ПОЛЬЗЫ С МАШИНОЙ АВТОМАТИЧЕСКОГО РАЗМЕЩЕНИЯROHM
518022SB1085AЭпитаксиальный Плоскостной Транзистор Кремния PNPROHM
518032SB1085AСВЯЗАННЫЙ ТЕСЬМОЙ ПАКЕТ ТРАНЗИСТОРА СИЛЫ ДЛЯ ПОЛЬЗЫ С МАШИНОЙ АВТОМАТИЧЕСКОГО РАЗМЕЩЕНИЯROHM
518042SB1091Транзистор Кремния PNP DarlingtonHitachi Semiconductor
518052SB1091Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP Втройне ОтраженныйHitachi Semiconductor
518062SB1091Transistors>Switching/BipolarRenesas
518072SB1093ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ DARLINGTON PNPNEC
518082SB1094Транзистор кремнияNEC
518092SB1096Выход Отклонения Qvetnogo ТВ ВертикальныйUnknow
518102SB1101ПАРА УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ КОМПЛЕМЕНТАРНАЯ С 2SD1601,2SD1602Hitachi Semiconductor
518112SB1102ПАРА УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ КОМПЛЕМЕНТАРНАЯ С 2SD1601,2SD1602Hitachi Semiconductor
518122SB1103Транзистор Кремния PNP DarlingtonHitachi Semiconductor
518132SB1103Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP Втройне ОтраженныйHitachi Semiconductor
518142SB1103Transistors>Switching/BipolarRenesas
518152SB1108Средств скорость переключая комплементарную пару с 2SD1608Panasonic
518162SB1109КРЕМНИЙ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (УСИЛИТЕЛЬ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ)Hitachi Semiconductor
518172SB1110КРЕМНИЙ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (УСИЛИТЕЛЬ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ)Hitachi Semiconductor
518182SB1114Транзистор кремнияNEC
518192SB1114-T1Транзистор кремнияNEC
518202SB1114-T2Транзистор кремнияNEC
518212SB1115СИЛЫ ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ PNP ПРЕССФОРМА ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ МИНИАЯNEC
518222SB111560 V, 2, 2 Вт кремниевый транзисторEIC discrete Semiconductors
518232SB1115-T1Транзистор кремнияNEC
518242SB1115-T2Транзистор кремнияNEC
518252SB1115AСИЛЫ ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ PNP ПРЕССФОРМА ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ МИНИАЯNEC
518262SB1115A80 V, 2, 2 Вт кремниевый транзисторEIC discrete Semiconductors
518272SB1115A-T1Транзистор кремнияNEC
518282SB1115A-T2Транзистор кремнияNEC
518292SB1116Транзистор кремнияNEC
518302SB1116Аудио частота усилителя мощности коммутации средней скорости. Напряжения коллектор-база: VCBO = -60V. Напряжение коллектор-эмиттер: VCEOUSHA India LTD
518312SB1116(C)-TТранзистор кремнияNEC
518322SB1116-TТранзистор кремнияNEC
518332SB1116-T/JDТранзистор кремнияNEC
518342SB1116-T/JMТранзистор кремнияNEC
518352SB1116/JDТранзистор кремнияNEC
518362SB1116/JMТранзистор кремнияNEC
518372SB1116AТранзистор кремнияNEC
518382SB1116AАудио частота усилителя мощности коммутации средней скорости. Напряжения коллектор-база VCBO = -80V. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO =USHA India LTD
518392SB1116A-TТранзистор кремнияNEC
518402SB1116A-T/JDТранзистор кремнияNEC
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1291 | 1292 | 1293 | 1294 | 1295 | 1296 | 1297 | 1298 | 1299 | 1300 | 1301 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com