| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 54281 | 2SC3504 | Транзистора Кремния NPN Индикация Crt
Эпитаксиального Плоскостного High-Definition, Видео- Применения
Выхода | SANYO |
| 54282 | 2SC3505 | ОТРАЖЕННОЕ ТРИППЕЛЕМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ТИПА PLANER
ВЫСОКОВОЛЬТНОЕ ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ | Fuji Electric |
| 54283 | 2SC3506 | Приспособление Силы - Транзисторы Силы -
Swicthing | Panasonic |
| 54284 | 2SC3507 | Приспособление Силы - Транзисторы Силы -
Swicthing | Panasonic |
| 54285 | 2SC3509 | Мощность транзистор - кремния NPN Triple-планарной Дарлингтон Тип | Panasonic |
| 54286 | 2SC3510 | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Hitachi Semiconductor |
| 54287 | 2SC3510 | Кремний NPN Эпитаксиальный | Hitachi Semiconductor |
| 54288 | 2SC3512 | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Hitachi Semiconductor |
| 54289 | 2SC3512 | Кремний NPN Эпитаксиальный | Hitachi Semiconductor |
| 54290 | 2SC3512 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 54291 | 2SC3513 | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Hitachi Semiconductor |
| 54292 | 2SC3513 | Кремний NPN Эпитаксиальный | Hitachi Semiconductor |
| 54293 | 2SC3514 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP/NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ
УСИЛИТЕЛЕЙ СИЛЫ LOW-FREQUENCY | Unknow |
| 54294 | 2SC3514 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP/NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ
УСИЛИТЕЛЕЙ СИЛЫ LOW-FREQUENCY | Unknow |
| 54295 | 2SC3514 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP/NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ
УСИЛИТЕЛЕЙ СИЛЫ LOW-FREQUENCY | Unknow |
| 54296 | 2SC3515 | Индикация плазмы применений управлением типа кремния
NPN транзистора втройне отраженная (процесса pct)
высоковольтная, применения управлением яркости электронно-лучевой
трубки применений водителя пробки Nixie | TOSHIBA |
| 54297 | 2SC3518 | Кремниевый транзистор | NEC |
| 54298 | 2SC3518-Z | ТРАНЗИСТОР MP-3 КРЕМНИЯ NPN
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | NEC |
| 54299 | 2SC3519 | СИЛА TRANSISTORS(15ЈA, 130w) | MOSPEC Semiconductor |
| 54300 | 2SC3519 | Кремний NPN эпитаксиальное плоскостное
Transistor(Audio и general purpose) | Sanken |
| 54301 | 2SC3519A | СИЛА TRANSISTORS(15ЈA, 130w) | MOSPEC Semiconductor |
| 54302 | 2SC3519A | Кремний NPN эпитаксиальное плоскостное
Transistor(Audio и general purpose) | Sanken |
| 54303 | 2SC3526 | Индикации type(For planer кремния NPN
выход эпитаксиальной видео-) | Panasonic |
| 54304 | 2SC3526(H) | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 54305 | 2SC3526H | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 54306 | 2SC3527 | Тип Кремния Втройне-Otrajenny1 PNP
Плоскостной | Panasonic |
| 54307 | 2SC3527 | Тип Кремния Втройне-Otrajenny1 PNP
Плоскостной | Panasonic |
| 54308 | 2SC3527 | Тип Кремния Втройне-Otrajenny1 PNP
Плоскостной | Panasonic |
| 54309 | 2SC3528 | Мощность транзистор - кремния PNP Triple-планарной Тип | Panasonic |
| 54310 | 2SC3545 | UHF OSCILLTOR И ПРЕССФОРМА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО
ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ СМЕСИТЕЛЯ NPN МИНИАЯ | NEC |
| 54311 | 2SC3545-L | Для УВЧ-тюнер, миксер и OSC. | NEC |
| 54312 | 2SC3545-T1B | Для УВЧ-тюнер, миксер и OSC. | NEC |
| 54313 | 2SC3545-T2B | Для УВЧ-тюнер, миксер и OSC. | NEC |
| 54314 | 2SC3545-VM | Для УВЧ-тюнер, миксер и OSC. | NEC |
| 54315 | 2SC3545R-T1B | Для УВЧ-тюнер, миксер и OSC. | NEC |
| 54316 | 2SC3547 | ТИП NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ (СБОРНИК
ГЕНЕРАТОРА APPLICATIONS)(COMMON ТЮНЕРА TV UHF) | TOSHIBA |
| 54317 | 2SC3547A | Тюнер tv типа кремния NPN транзистора
эпитаксиальный плоскостной, UHF применения генератора (общий
сборник) | TOSHIBA |
| 54318 | 2SC3547B | Тюнер tv типа кремния NPN транзистора
эпитаксиальный плоскостной, UHF применения генератора (общий
сборник) | TOSHIBA |
| 54319 | 2SC3549 | ОТРАЖЕННОЕ ТРИППЕЛЕМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ТИПА PLANER
ВЫСОКОВОЛЬТНОЕ ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ | Fuji Electric |
| 54320 | 2SC3552 | Применения Регулятора Переключения Транзистора
800V/12ЈA Кремния NPN Втройне Отраженные Плоскостные | SANYO |
| | | |
