|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1395 | 1396 | 1397 | 1398 | 1399 | 1400 | 1401 | 1402 | 1403 | 1404 | 1405 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
559612SC5172РЕГУЛЯТОР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС PCT) И ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ. ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ КОНВЕРТЕРА DC-DCTOSHIBA
559622SC5173ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И УСИЛИТЕЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЕ (ПРОЦЕССА PCT) ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ. ПРИМЕНЕНИЯ ВОДИТЕЛЯ QVETNOGO ТВ ГОРИЗОНТАЛЬНЫЕ. ПРИМЕНЕНИЯ ВЫХОДА CHROMA QVETNOGO ТВTOSHIBA
559632SC5174ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ЭТАПА УСИЛИТЕЛЯ И ВОДИТЕЛЯ СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕTOSHIBA
559642SC5175ТИП КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ. ВЫСОКИЕ В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ.TOSHIBA
559652SC5176ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА PCT) ВЫСОКИЕ В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ. ПРИМЕНЕНИЯ КОНВЕРТЕРА DC-DC.TOSHIBA
559662SC5177ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ПАКЕТЕ MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559672SC5177-T1Высокая FT, высокий коэффициент усиления транзистораNEC
559682SC5177-T2Высокая FT, высокий коэффициент усиления транзистораNEC
559692SC5178ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ПАКЕТЕ 4-WTYRE1 MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559702SC5178-T1ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ПАКЕТЕ 4-WTYRE1 MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559712SC5178-T2ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ПАКЕТЕ 4-WTYRE1 MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559722SC5178RВысокая FT, высокий коэффициент усиления транзистораNEC
559732SC5178R-T1Высокая FT, высокий коэффициент усиления транзистораNEC
559742SC5178R-T2Высокая FT, высокий коэффициент усиления транзистораNEC
559752SC5179ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В МАЛОМ ПАКЕТЕ MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559762SC5179-T1ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В МАЛОМ ПАКЕТЕ MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559772SC5179-T2ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В МАЛОМ ПАКЕТЕ MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559782SC5180ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В СУПЕР ПАКЕТЕ MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559792SC5180-T1Высокая FT, высокий коэффициент усиления транзистораNEC
559802SC5180-T2Высокая FT, высокий коэффициент усиления транзистораNEC
559812SC5181ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В УЛЬТРА СУПЕР ПАКЕТЕ MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559822SC5181-T1ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В УЛЬТРА СУПЕР ПАКЕТЕ MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559832SC5182ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPS ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ПАКЕТЕ MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559842SC5182-T1ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPS ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ПАКЕТЕ MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559852SC5182-T2ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPS ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ПАКЕТЕ MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559862SC5183ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ПАКЕТЕ 4-WTYRE1 MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559872SC5183-T1ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ПАКЕТЕ 4-WTYRE1 MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559882SC5183-T2ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В ПАКЕТЕ 4-WTYRE1 MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559892SC518383RПОВЕРХНОСТНЫЙ ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ NPNNEC
559902SC518383RПОВЕРХНОСТНЫЙ ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ NPNNEC
559912SC5183RВысокая FT, высокий коэффициент усиления транзистораNEC
559922SC5183R-T1Высокая FT, высокий коэффициент усиления транзистораNEC
559932SC5183R-T2Высокая FT, высокий коэффициент усиления транзистораNEC
559942SC5184ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В СУПЕР ПАКЕТЕ MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559952SC5184-T1ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В СУПЕР ПАКЕТЕ MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559962SC5184-T2ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В СУПЕР ПАКЕТЕ MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559972SC5185ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В СУПЕР ПАКЕТЕ MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559982SC5185-T1ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В СУПЕР ПАКЕТЕ MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
559992SC5185-T2ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В СУПЕР ПАКЕТЕ MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
560002SC5186ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ В УЛЬТРА СУПЕР ПАКЕТЕ MINI-MOLD ДЛЯ АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ LOW-NOISENEC
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1395 | 1396 | 1397 | 1398 | 1399 | 1400 | 1401 | 1402 | 1403 | 1404 | 1405 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com