|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1397 | 1398 | 1399 | 1400 | 1401 | 1402 | 1403 | 1404 | 1405 | 1406 | 1407 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
560412SC5216Small-signal приспособление - small-signal транзистор - Высок-Castota для тюнеровPanasonic
560422SC5218Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN, Высокоскоростной ПереключательHitachi Semiconductor
560432SC5218Кремний NPN ЭпитаксиальныйHitachi Semiconductor
560442SC5218Transistors>Amplifiers/BipolarRenesas
560452SC5223Type(For диффузии кремния NPN переключение скорости втройне плоскостного высокое)Panasonic
560462SC5225Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN, Высокоскоростной ПереключательHitachi Semiconductor
560472SC5225Транзистор Кремния NPN ЭпитаксиальныйHitachi Semiconductor
560482SC5226Vhf транзистора кремния NPN эпитаксиальный плоскостной к UHF широкополосным применениям усилителя Низк-WumaSANYO
560492SC5226AРФ транзистор, 10В, 70 мА, FT = 7GHz, NPN Одноместный MCPON Semiconductor
560502SC5227Vhf транзистора кремния NPN эпитаксиальный плоскостной к UHF широкополосным применениям усилителя Низк-WumaSANYO
560512SC5227AРФ транзистор, 10В, 70 мА, FT = 7GHz, NPN Одноместный СРON Semiconductor
560522SC5228Vhf транзистора кремния NPN эпитаксиальный плоскостной к UHF широкополосным применениям усилителя Низк-WumaSANYO
560532SC5229Vhf транзистора кремния NPN эпитаксиальный плоскостной к UHF широкополосным применениям усилителя Низк-WumaSANYO
560542SC5230Vhf транзистора кремния NPN эпитаксиальный плоскостной к UHF широкополосным применениям усилителя Низк-WumaSANYO
560552SC5231Vhf транзистора кремния NPN эпитаксиальный плоскостной к UHF широкополосным применениям усилителя Низк-WumaSANYO
560562SC5232Применения усилителя типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса pct) общего назначения переключая и приглушая применение переключателяTOSHIBA
560572SC5233Применения усилителя типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса pct) общего назначения переключая и приглушая применение переключателяTOSHIBA
560582SC5238Применения Выхода Отклонения Индикации Цвета Ультравысок-Opredeleni4 ГоризонтальныеSANYO
560592SC5239Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN, Высокоскоростной ПереключательSanken
560602SC5241Высокая Серия Транзисторов Переключения Скорости/FXShindengen
560612SC5241Высокая скорость переключения биполярного NPN-транзисторShindengen
560622SC5242ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЕTOSHIBA
560632SC5242NPN эпитаксиальный кремниевый транзисторFairchild Semiconductor
560642SC5243Type(For мезы диффузии кремния NPN ое отклонение втройне горизонтальное)Panasonic
560652SC5244Type(For мезы диффузии кремния NPN ое отклонение втройне горизонтальное)Panasonic
560662SC5244AType(For мезы диффузии кремния NPN ое отклонение втройне горизонтальное)Panasonic
560672SC5245Усилитель Низк-Wuma С-Polosy uhf транзистора кремния NPN эпитаксиальный плоскостной, применения ГЕНЕРАТОРАSANYO
560682SC5245AРФ транзистор, 10В, 30 мА, FT = 8 ГГц, NPN Одноместный MCPON Semiconductor
560692SC5246Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN, Высокоскоростной ПереключательHitachi Semiconductor
560702SC5246Кремний NPN ЭпитаксиальныйHitachi Semiconductor
560712SC5247Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN, Высокоскоростной ПереключательHitachi Semiconductor
560722SC5247Кремний NPN ЭпитаксиальныйHitachi Semiconductor
560732SC5248Транзистор для вывода аудио усилитель этапах / скорости модуляции ТВROHM
560742SC5249Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN, Высокоскоростной ПереключательSanken
560752SC5250Регулятор и general purpose кремния NPN втройне отраженный плоскостной Transistor(Switching)Hitachi Semiconductor
560762SC5251Регулятор и general purpose кремния NPN втройне отраженный плоскостной Transistor(Switching)Hitachi Semiconductor
560772SC5252Регулятор и general purpose кремния NPN втройне отраженный плоскостной Transistor(Switching)Hitachi Semiconductor
560782SC5254Полосы типа VHF~UHF кремния NPN транзистора применения усилителя шума эпитаксиальной плоскостной низкие (серия гигагерца fT=16)TOSHIBA
560792SC5255Полосы типа VHF~UHF кремния NPN транзистора применения усилителя шума эпитаксиальной плоскостной низкие (серия гигагерца fT=16)TOSHIBA
560802SC5256Полосы типа VHF~UHF кремния NPN транзистора применения усилителя шума эпитаксиальной плоскостной низкие (серия гигагерца fT=16)TOSHIBA
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1397 | 1398 | 1399 | 1400 | 1401 | 1402 | 1403 | 1404 | 1405 | 1406 | 1407 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com