| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 567401 | IRF1010NSTRR | те PIC16F877A. Это мощное (исполнение
инструкции 200 наносекунд) но легк-к-programma...<> | International Rectifier |
| 567402 | IRF1010Z | 55V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567403 | IRF1010ZL | 55V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
| 567404 | IRF1010ZS | те PIC16F877A. Это мощное (исполнение
инструкции 200 наносекунд) но легк-к-programma...<> | International Rectifier |
| 567405 | IRF1104 | 40V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567406 | IRF1104L | 40V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
| 567407 | IRF1104PBF | 40V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567408 | IRF1104S | 40V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567409 | IRF1104STRL | 40V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567410 | IRF1104STRR | 40V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567411 | IRF120 | MOSFETs/ 11 A/ 60-100 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567412 | IRF120 | 8.0A и 9.2ЈA/ 80V и 100V/
mOSFETs силы 0.27 и 0.36 омов N-Channel/ | Intersil |
| 567413 | IRF120 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567414 | IRF120 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 100V. Непрерывный ток стока 32A. | General Electric Solid State |
| 567415 | IRF120-123 | MOSFETs/ 11 A/ 60-100 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567416 | IRF121 | MOSFETs/ 11 A/ 60-100 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567417 | IRF121 | 8.0A и 9.2ЈA/ 80V и 100V/
mOSFETs силы 0.27 и 0.36 омов N-Channel/ | Intersil |
| 567418 | IRF121 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567419 | IRF121 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слейте-sourge напряжения 60V. Непрерывный ток стока 32A. | General Electric Solid State |
| 567420 | IRF122 | MOSFETs/ 11 A/ 60-100 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567421 | IRF122 | 8.0A и 9.2ЈA/ 80V и 100V/
mOSFETs силы 0.27 и 0.36 омов N-Channel/ | Intersil |
| 567422 | IRF122 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567423 | IRF122 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 100V. Непрерывный ток стока 28А. | General Electric Solid State |
| 567424 | IRF123 | MOSFETs/ 11 A/ 60-100 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567425 | IRF123 | 8.0A и 9.2ЈA/ 80V и 100V/
mOSFETs силы 0.27 и 0.36 омов N-Channel/ | Intersil |
| 567426 | IRF123 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567427 | IRF123 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слейте-sourge напряжения 60V. Непрерывный ток стока 28А. | General Electric Solid State |
| 567428 | IRF130 | 100V определяют mosfet Н-Kanala
hi-Rel-Rel в пакете TO-204ЈAA | International Rectifier |
| 567429 | IRF130 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | SemeLAB |
| 567430 | IRF130 | MOSFETs/ 20 A/ 60-100 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567431 | IRF130 | 14ЈA/ 100V/ Mosfet Силы Н-Kanala
0.160 Омов | Intersil |
| 567432 | IRF130 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567433 | IRF130 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 100V. Непрерывный ток стока 56A. | General Electric Solid State |
| 567434 | IRF130-133 | MOSFETs/ 20 A/ 60-100 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567435 | IRF1302 | 20V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567436 | IRF1302L | 20V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
| 567437 | IRF1302S | 20V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567438 | IRF130SMD | MOSFET СИЛЫ N-CHANNEL ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЙ
HI.REL | SemeLAB |
| 567439 | IRF131 | MOSFETs/ 20 A/ 60-100 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567440 | IRF131 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| | | |
