| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 567561 | IRF230-233 | MOSFETs/ 12ЈA/ 150-200 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567562 | IRF231 | MOSFETs/ 12ЈA/ 150-200 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567563 | IRF231 | 8.0A и 9.0A/ 150V и 200V/
mOSFETs силы Н-Kanala 0.4 и 0.6 омов | Intersil |
| 567564 | IRF231 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567565 | IRF231 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 150В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 9.0a. | General Electric Solid State |
| 567566 | IRF232 | MOSFETs/ 12ЈA/ 150-200 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567567 | IRF232 | 8.0A и 9.0A/ 150V и 200V/
mOSFETs силы Н-Kanala 0.4 и 0.6 омов | Intersil |
| 567568 | IRF232 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567569 | IRF232 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 200В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 567570 | IRF233 | MOSFETs/ 12ЈA/ 150-200 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567571 | IRF233 | 8.0A и 9.0A/ 150V и 200V/
mOSFETs силы Н-Kanala 0.4 и 0.6 омов | Intersil |
| 567572 | IRF233 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567573 | IRF233 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 150В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 567574 | IRF234 | 8.1A и 6.5ЈA/ 275V и 250V/
mOSFETs силы Н-Kanala 0.45 и 0.68 омов | Intersil |
| 567575 | IRF235 | 8.1A и 6.5ЈA/ 275V и 250V/
mOSFETs силы Н-Kanala 0.45 и 0.68 омов | Intersil |
| 567576 | IRF236 | 8.1A и 6.5ЈA/ 275V и 250V/
mOSFETs силы Н-Kanala 0.45 и 0.68 омов | Intersil |
| 567577 | IRF237 | 8.1A и 6.5ЈA/ 275V и 250V/
mOSFETs силы Н-Kanala 0.45 и 0.68 омов | Intersil |
| 567578 | IRF240 | 200V определяют mosfet Н-Kanala
hi-Rel-Rel в пакете TO-204ЈAE | International Rectifier |
| 567579 | IRF240 | MOSFET СИЛЫ N-CHANNEL ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЙ
HI.REL | SemeLAB |
| 567580 | IRF240 | MOSFETs/ 18ЈA/ 150-200V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567581 | IRF240 | 18ЈA/ 200V/ Mosfet Силы Н-Kanala
0.180 Омов | Intersil |
| 567582 | IRF240 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567583 | IRF240-243 | MOSFETs/ 18ЈA/ 150-200V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567584 | IRF240SMD | MOSFET СИЛЫ N.CHANNEL | SemeLAB |
| 567585 | IRF241 | MOSFETs/ 18ЈA/ 150-200V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567586 | IRF241 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567587 | IRF241 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 150В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 18А. | General Electric Solid State |
| 567588 | IRF241 | 16А и 18А, 200В и 150В, 0.18 и 0.22 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 567589 | IRF242 | MOSFETs/ 18ЈA/ 150-200V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567590 | IRF242 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567591 | IRF242 | 16А и 18А, 200В и 150В, 0.18 и 0.22 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 567592 | IRF243 | MOSFETs/ 18ЈA/ 150-200V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567593 | IRF243 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567594 | IRF243 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 150В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 16А. | General Electric Solid State |
| 567595 | IRF243 | 16А и 18А, 200В и 150В, 0.18 и 0.22 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 567596 | IRF244 | 14ЈA и 13ЈA/ 275V и 250V/
mOSFETs силы Н-Kanala 0.28 и 0.34 омов | Intersil |
| 567597 | IRF245 | 14ЈA и 13ЈA/ 275V и 250V/
mOSFETs силы Н-Kanala 0.28 и 0.34 омов | Intersil |
| 567598 | IRF246 | 14ЈA и 13ЈA/ 275V и 250V/
mOSFETs силы Н-Kanala 0.28 и 0.34 омов | Intersil |
| 567599 | IRF247 | 14ЈA и 13ЈA/ 275V и 250V/
mOSFETs силы Н-Kanala 0.28 и 0.34 омов | Intersil |
| 567600 | IRF250 | 200V определяют mosfet Н-Kanala
hi-Rel-Rel в пакете TO-204ЈAE | International Rectifier |
| | | |
