Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
568201 | IRF623 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 150В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
568202 | IRF624 | 250V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
568203 | IRF624 | Mosfet Н-Kanala 250V | Fairchild Semiconductor |
568204 | IRF624B | Mosfet Н-Kanala 250V | Fairchild Semiconductor |
568205 | IRF624B_FP001 | 250V Н-Kanal B-FET/zamena IRF624 &
IRF624ЈA | Fairchild Semiconductor |
568206 | IRF624S | 250V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568207 | IRF624STRL | 250V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568208 | IRF624STRR | 250V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568209 | IRF630 | транзистор TrenchMOS(tm) Н-kanala | Philips |
568210 | IRF630 | 9A, 200V, 0.400 Ома, MOSFETs Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
568211 | IRF630 | N-CHANNEL 200V - 0.35 ОМА - 9A -
MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ TO-220/TO220-FP | ST Microelectronics |
568212 | IRF630 | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
568213 | IRF630 | Н - КАНАЛ 200V - 0.35W - 9A -
Mosfet ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ TO-220/FP | SGS Thomson Microelectronics |
568214 | IRF630 | N-CHANNEL 200V - 0.35 ОМА - 9A -
MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ TO-220/TO220-FP | SGS Thomson Microelectronics |
568215 | IRF630 | 9A/ 200V/ MOSFETs Силы Н-Kanala
0.400 Омов | Intersil |
568216 | IRF630 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 200В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 9.0a. | General Electric Solid State |
568217 | IRF630A | Предварительный Mosfet Силы | Fairchild Semiconductor |
568218 | IRF630B | Mosfet Н-Kanala 200V | Fairchild Semiconductor |
568219 | IRF630BTSTU_FP001 | 200V Н-Kanal B-FET/zamena IRF630 &
IRF630A | Fairchild Semiconductor |
568220 | IRF630B_FP001 | 200V Н-Kanal B-FET/zamena IRF630 &
IRF630A | Fairchild Semiconductor |
568221 | IRF630FP | N-CHANNEL 200V - 0.35 ОМА - 9A -
MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ TO-220/TO220-FP | ST Microelectronics |
568222 | IRF630FP | Н - КАНАЛ 200V - 0.35W - 9A -
Mosfet ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ TO-220/FP | SGS Thomson Microelectronics |
568223 | IRF630FP | N-CHANNEL 200V - 0.35 ОМА - 9A -
MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ TO-220/TO220-FP | SGS Thomson Microelectronics |
568224 | IRF630M | MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 9A
TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 200V 0.35 | ST Microelectronics |
568225 | IRF630M | MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 9A
TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 200V 0.35 | SGS Thomson Microelectronics |
568226 | IRF630MFP | MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 9A
TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 200V 0.35 | ST Microelectronics |
568227 | IRF630MFP | MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 9A
TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 200V 0.35 | SGS Thomson Microelectronics |
568228 | IRF630N | MOSFETs 200V Силы Н-Kanala, 9.3ЈA,
0.э0-Om | Fairchild Semiconductor |
568229 | IRF630N | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
568230 | IRF630NL | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
568231 | IRF630NLPBF | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
568232 | IRF630NPBF | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
568233 | IRF630NS | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568234 | IRF630NSPBF | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568235 | IRF630NSTRL | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568236 | IRF630NSTRR | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568237 | IRF630S | 200V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568238 | IRF630S | Н - КАНАЛ 200V - Mosfet ВЕРХНЕГО СЛОЯ
СЕТКИ 0.35 Омов -9A-D 2 PAK | SGS Thomson Microelectronics |
568239 | IRF630S | транзистор TrenchMOS Н-kanala | Philips |
568240 | IRF630S | Н - КАНАЛ 200V - 0.35Јohm - 9A -
Mosfet ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ D2PAK ] | ST Microelectronics |
| | | |