|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 14201 | 14202 | 14203 | 14204 | 14205 | 14206 | 14207 | 14208 | 14209 | 14210 | 14211 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
568201IRF623N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 150В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 4.0A.General Electric Solid State
568202IRF624250V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете TO-220ABInternational Rectifier
568203IRF624Mosfet Н-Kanala 250VFairchild Semiconductor
568204IRF624BMosfet Н-Kanala 250VFairchild Semiconductor
568205IRF624B_FP001250V Н-Kanal B-FET/zamena IRF624 & IRF624ЈAFairchild Semiconductor
568206IRF624S250V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете D2-PakInternational Rectifier
568207IRF624STRL250V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете D2-PakInternational Rectifier
568208IRF624STRR250V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете D2-PakInternational Rectifier
568209IRF630транзистор TrenchMOS(tm) Н-kanalaPhilips
568210IRF6309A, 200V, 0.400 Ома, MOSFETs Силы Н-KanalaFairchild Semiconductor
568211IRF630N-CHANNEL 200V - 0.35 ОМА - 9A - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ TO-220/TO220-FPST Microelectronics
568212IRF630200V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете TO-220ABInternational Rectifier
568213IRF630Н - КАНАЛ 200V - 0.35W - 9A - Mosfet ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ TO-220/FPSGS Thomson Microelectronics
568214IRF630N-CHANNEL 200V - 0.35 ОМА - 9A - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ TO-220/TO220-FPSGS Thomson Microelectronics
568215IRF6309A/ 200V/ MOSFETs Силы Н-Kanala 0.400 ОмовIntersil
568216IRF630N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 200В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 9.0a.General Electric Solid State
568217IRF630AПредварительный Mosfet СилыFairchild Semiconductor
568218IRF630BMosfet Н-Kanala 200VFairchild Semiconductor
568219IRF630BTSTU_FP001200V Н-Kanal B-FET/zamena IRF630 & IRF630AFairchild Semiconductor
568220IRF630B_FP001200V Н-Kanal B-FET/zamena IRF630 & IRF630AFairchild Semiconductor
568221IRF630FPN-CHANNEL 200V - 0.35 ОМА - 9A - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ TO-220/TO220-FPST Microelectronics
568222IRF630FPН - КАНАЛ 200V - 0.35W - 9A - Mosfet ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ TO-220/FPSGS Thomson Microelectronics
568223IRF630FPN-CHANNEL 200V - 0.35 ОМА - 9A - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ TO-220/TO220-FPSGS Thomson Microelectronics
568224IRF630MMOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 9A TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 200V 0.35ST Microelectronics
568225IRF630MMOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 9A TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 200V 0.35SGS Thomson Microelectronics
568226IRF630MFPMOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 9A TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 200V 0.35ST Microelectronics
568227IRF630MFPMOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 9A TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 200V 0.35SGS Thomson Microelectronics
568228IRF630NMOSFETs 200V Силы Н-Kanala, 9.3ЈA, 0.э0-OmFairchild Semiconductor
568229IRF630N200V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете TO-220ABInternational Rectifier
568230IRF630NL200V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете TO-262International Rectifier
568231IRF630NLPBF200V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете TO-262International Rectifier
568232IRF630NPBF200V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете TO-220ABInternational Rectifier
568233IRF630NS200V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете D2-PakInternational Rectifier
568234IRF630NSPBF200V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете D2-PakInternational Rectifier
568235IRF630NSTRL200V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете D2-PakInternational Rectifier
568236IRF630NSTRR200V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете D2-PakInternational Rectifier
568237IRF630S200V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете D2-PakInternational Rectifier
568238IRF630SН - КАНАЛ 200V - Mosfet ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 0.35 Омов -9A-D 2 PAKSGS Thomson Microelectronics
568239IRF630Sтранзистор TrenchMOS Н-kanalaPhilips
568240IRF630SН - КАНАЛ 200V - 0.35Јohm - 9A - Mosfet ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ D2PAK ]ST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 14201 | 14202 | 14203 | 14204 | 14205 | 14206 | 14207 | 14208 | 14209 | 14210 | 14211 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com