|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 14202 | 14203 | 14204 | 14205 | 14206 | 14207 | 14208 | 14209 | 14210 | 14211 | 14212 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
568241IRF630SPBF200V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете D2-PakInternational Rectifier
568242IRF630ST4N-CHANNEL 200V - 0.35 ОМА - 9A - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ TO-220/TO220-FPST Microelectronics
568243IRF630STRL200V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете D2-PakInternational Rectifier
568244IRF630STRR200V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете D2-PakInternational Rectifier
568245IRF631MOSFETs/ 12ЈA/ 150-200 В Силы Н-KanalaFairchild Semiconductor
568246IRF631N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 150В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 9.0a.General Electric Solid State
568247IRF632MOSFETs/ 12ЈA/ 150-200 В Силы Н-KanalaFairchild Semiconductor
568248IRF632N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 200В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 8.0A.General Electric Solid State
568249IRF633MOSFETs/ 12ЈA/ 150-200 В Силы Н-KanalaFairchild Semiconductor
568250IRF633N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 150В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 8.0A.General Electric Solid State
568251IRF634MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 8ЈA TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 250V 0.38ST Microelectronics
568252IRF634250V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете TO-220ABInternational Rectifier
568253IRF634MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 8ЈA TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 250V 0.38SGS Thomson Microelectronics
568254IRF634Предварительный Mosfet СилыFairchild Semiconductor
568255IRF634AПредварительный Mosfet СилыFairchild Semiconductor
568256IRF634BMosfet Н-Kanala 250VFairchild Semiconductor
568257IRF634B_FP001250V Н-Kanal B-FET/zamena IRF634 & IRF634ЈAFairchild Semiconductor
568258IRF634FPMOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 8ЈA TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 250V 0.38ST Microelectronics
568259IRF634FPMOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 8ЈA TO-220/TO-220FP N-CHANNEL 250V 0.38SGS Thomson Microelectronics
568260IRF634N250V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете TO-220ABInternational Rectifier
568261IRF634NL250V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете TO-262International Rectifier
568262IRF634NS250V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете D2-PakInternational Rectifier
568263IRF634PBF250V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете TO-220ABInternational Rectifier
568264IRF634S250V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете D2-PakInternational Rectifier
568265IRF634STRL250V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете D2-PakInternational Rectifier
568266IRF634STRR250V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете D2-PakInternational Rectifier
568267IRF640транзистор TrenchMOS(tm) Н-kanalaPhilips
568268IRF64018ЈA, 200V, 0.180 Ома, MOSFETs Силы Н-KanalaFairchild Semiconductor
568269IRF640N-CHANNEL 200V - 0.150 ОМА - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 18ЈA TO-220/TO-220FPST Microelectronics
568270IRF640200V определяют mosfet силы Н-Kanala HEXFET в пакете TO-220ABInternational Rectifier
568271IRF640Н - КАНАЛ 200V - 0.150Ohm - Mosfet ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 18ЈA TO-220/TO-220FPSGS Thomson Microelectronics
568272IRF640N-CHANNEL 200V - 0.150 ОМА - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 18ЈA TO-220/TO-220FPSGS Thomson Microelectronics
568273IRF640УСТАРЕЛО - Мощность полевой транзисторON Semiconductor
568274IRF64018А, 200В, 0,180 Ом, N-Channel Полевые транзисторыIntersil
568275IRF640-DСтроб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala Транзистора Влияния Поля СилыON Semiconductor
568276IRF640AПредварительный Mosfet СилыFairchild Semiconductor
568277IRF640BMosfet Н-Kanala 200VFairchild Semiconductor
568278IRF640BTSTU_FP001200V Н-Kanal B-FET/zamena IRF640 & IRF640AFairchild Semiconductor
568279IRF640B_FP001200V Н-Kanal B-FET/zamena IRF640 & IRF640AFairchild Semiconductor
568280IRF640FPN-CHANNEL 200V - 0.150 ОМА - MOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 18ЈA TO-220/TO-220FPST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 14202 | 14203 | 14204 | 14205 | 14206 | 14207 | 14208 | 14209 | 14210 | 14211 | 14212 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com