Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
568401 | IRF710B | Mosfet Н-Kanala 400V | Fairchild Semiconductor |
568402 | IRF710S | 400V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568403 | IRF710STRL | 400V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568404 | IRF710STRR | 400V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568405 | IRF711 | MOSFETs/ 2.25ЈA/ 350-400V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
568406 | IRF712 | MOSFETs/ 2.25ЈA/ 350-400V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
568407 | IRF713 | MOSFETs/ 2.25ЈA/ 350-400V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
568408 | IRF720 | 3.3ЈA, 400V, 1.800 Ома, Mosfet Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
568409 | IRF720 | 400V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
568410 | IRF720 | 3.3ЈA/ 400V/ Mosfet Силы Н-Kanala
1.800 Омов | Intersil |
568411 | IRF720 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
568412 | IRF720 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 400В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 3.0A. | General Electric Solid State |
568413 | IRF720 | N-канальный MOSFET, 400В, 3.3A | SGS Thomson Microelectronics |
568414 | IRF7201 | 30V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
568415 | IRF7201PBF | 30V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
568416 | IRF7201TR | 30V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
568417 | IRF7204 | -20V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
568418 | IRF7204TR | -20V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
568419 | IRF7205 | -30V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
568420 | IRF7205PBF | -30V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
568421 | IRF7205TR | -30V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
568422 | IRF7207 | -20V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
568423 | IRF7207TR | -20V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
568424 | IRF720B | Mosfet Н-Kanala 400V | Fairchild Semiconductor |
568425 | IRF720F1 | N-канальный MOSFET, 400В, 2,5А | SGS Thomson Microelectronics |
568426 | IRF720PBF | 400V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
568427 | IRF720S | 400V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568428 | IRF720SPBF | 400V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568429 | IRF720STRL | 400V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568430 | IRF720STRR | 400V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
568431 | IRF721 | MOSFETs/ 3.0 A/ 350-400 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
568432 | IRF721 | ТРАНЗИСТОРЫ N-CHANNEL | International Rectifier |
568433 | IRF721 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
568434 | IRF721 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 350В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 3.0A. | General Electric Solid State |
568435 | IRF721 | N-канальный MOSFET, 350V, 3.3A | SGS Thomson Microelectronics |
568436 | IRF7210 | -12V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
568437 | IRF7210TR | -12V определяют mosfet силы П-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
568438 | IRF721F1 | N-канальный MOSFET, 350V, 2.5A | SGS Thomson Microelectronics |
568439 | IRF722 | MOSFETs/ 3.0 A/ 350-400 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
568440 | IRF722 | ТРАНЗИСТОРЫ N-CHANNEL | International Rectifier |
| | | |