Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
57201 | 2SD1399 | Применения Выхода Отклонения Qvetnogo ТВ
Горизонтальные | SANYO |
57202 | 2SD1400 | NPN УТРАИВАЮТ ОТРАЖЕННЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР
КРЕМНИЯ ТИПА ДЛЯ ВЫХОДА ОТКЛОНЕНИЯ CTV ГОРИЗОНТАЛЬНОГО | SANYO |
57203 | 2SD1400 | NPN УТРАИВАЮТ ОТРАЖЕННЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР
КРЕМНИЯ ТИПА ДЛЯ ВЫХОДА ОТКЛОНЕНИЯ CTV ГОРИЗОНТАЛЬНОГО | SANYO |
57204 | 2SD1401 | NPN УТРАИВАЮТ ОТРАЖЕННЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР
КРЕМНИЯ ТИПА ДЛЯ ВЫХОДА ОТКЛОНЕНИЯ CTV ГОРИЗОНТАЛЬНОГО | SANYO |
57205 | 2SD1401 | NPN УТРАИВАЮТ ОТРАЖЕННЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР
КРЕМНИЯ ТИПА ДЛЯ ВЫХОДА ОТКЛОНЕНИЯ CTV ГОРИЗОНТАЛЬНОГО | SANYO |
57206 | 2SD1402 | ВЫХОД NPN ВТРОЙНЕ DIFFUSED(COLOR TV
ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ) | Wing Shing Computer Components |
57207 | 2SD1403 | Отраженное Кремнием ОПИСАНИЕ Transistor(GENERAL
Силы) | Wing Shing Computer Components |
57208 | 2SD1406 | Применения Усилителя Силы Тональнозвуковой Частоты | TOSHIBA |
57209 | 2SD1407 | УСИЛИТЕЛЯ КРЕМНИЯ TRANSISTOR(POWER PNP ОЕ
ОТКЛОНЕНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЕРТИКАЛЬНОЕ) | Wing Shing Computer Components |
57210 | 2SD1407A | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ NPN
ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЕ | TOSHIBA |
57211 | 2SD1408 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
57212 | 2SD1408 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
57213 | 2SD1409 | ОПИСАНИЕ КРЕМНИЯ NPN DARLINGTON
TRANSISTOR(GENERAL) | Wing Shing Computer Components |
57214 | 2SD1409 | 6А; 25W; V (генеральный директор): 400; NPN транзистор Дарлингтона | TOSHIBA |
57215 | 2SD1409A | ПРИМЕНЕНИЯ ИНИЦИАТОРА ВОСПЛАМЕНЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ
NPN ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЕ (СИЛЫ DARLINGTON),
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | TOSHIBA |
57216 | 2SD1410 | 6А; 25W; V (генеральный директор): 250; NPN транзистор Дарлингтона | TOSHIBA |
57217 | 2SD1410A | ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ПРИМЕНЕНИЙ ИНИЦИАТОРА
ВОСПЛАМЕНЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЕ
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ. | TOSHIBA |
57218 | 2SD1411A | ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN
ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЕ ВЫСОКИЕ В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ.
ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ | TOSHIBA |
57219 | 2SD1412A | ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN
ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЕ ВЫСОКИЕ В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ.
ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ | TOSHIBA |
57220 | 2SD1413 | Транзистор BJT | TOSHIBA |
57221 | 2SD1414 | ТРАНЗИСТОРЫ Rf & МИКРОВОЛНЫ ПРИМЕНЕНИЯ
800-900 Мегациклов | ST Microelectronics |
57222 | 2SD1414 | RF & СВЧ транзисторы 800-900 МГц ПРИМЕНЕНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
57223 | 2SD1414 | 4А; 20W; V (генеральный директор): 80V; NPN транзистор Дарлингтона | TOSHIBA |
57224 | 2SD1415 | 7А; 30W; V (генеральный директор): 100v; NPN транзистор Дарлингтона | TOSHIBA |
57225 | 2SD1415A | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ВЫСОКОЙ СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ NPN
ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЕ (DARLINGTON) И ПРИВОД МОЛОТКА,
ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА МОТОРА ИМПА УЛЬС | TOSHIBA |
57226 | 2SD1416 | 7А; 30W; V (генеральный директор): 80V; NPN транзистор Дарлингтона | TOSHIBA |
57227 | 2SD1417 | 2SD1417 | TOSHIBA |
57228 | 2SD1417 | 2SD1417 | TOSHIBA |
57229 | 2SD1418 | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Hitachi Semiconductor |
57230 | 2SD1418 | Кремний NPN Эпитаксиальный | Hitachi Semiconductor |
57231 | 2SD1418 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
57232 | 2SD1419 | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Hitachi Semiconductor |
57233 | 2SD1419 | Кремний NPN Эпитаксиальный | Hitachi Semiconductor |
57234 | 2SD1419 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
57235 | 2SD1420 | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Hitachi Semiconductor |
57236 | 2SD1420 | Кремний NPN Эпитаксиальный | Hitachi Semiconductor |
57237 | 2SD1420 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
57238 | 2SD1421 | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Hitachi Semiconductor |
57239 | 2SD1421 | Кремний NPN Эпитаксиальный | Hitachi Semiconductor |
57240 | 2SD1421 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| | | |