| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 58561 | 2SD582 | 80~100W ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ампер, пара ВЫХОДНОЙ
МОЩНОСТИ комплементарная с 2SB612/A | Unknow |
| 58562 | 2SD582A | 80~100W ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ампер, пара ВЫХОДНОЙ
МОЩНОСТИ комплементарная с 2SB612/A | Unknow |
| 58563 | 2SD582A | 80~100W ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ампер, пара ВЫХОДНОЙ
МОЩНОСТИ комплементарная с 2SB612/A | Unknow |
| 58564 | 2SD592 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ | Micro Electronics |
| 58565 | 2SD592 | Type(For planer кремния NPN амплификация
выхода эпитаксиального низкочастотная) | Panasonic |
| 58566 | 2SD592 | Type(For planer кремния PNP амплификация
выхода эпитаксиального низкочастотная) | Panasonic |
| 58567 | 2SD592A | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 58568 | 2SD592A | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ | Micro Electronics |
| 58569 | 2SD596 | ПРЕССФОРМА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ
УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ NPN ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ МИНИАЯ | NEC |
| 58570 | 2SD596-L | Транзистор кремния | NEC |
| 58571 | 2SD596-T1B | Транзистор кремния | NEC |
| 58572 | 2SD596-T2B | Транзистор кремния | NEC |
| 58573 | 2SD600 | Транзистор 100V/120V Кремния NPN
Эпитаксиальный Плоскостной, Применения Усилителя Силы
Низк-Castoty 1A | SANYO |
| 58574 | 2SD600K | Транзистор 100V/120V Кремния NPN
Эпитаксиальный Плоскостной, Применения Усилителя Силы
Низк-Castoty 1A | SANYO |
| 58575 | 2SD601 | Si NPN Эпитаксиальные Плоскостные. Генеральный усилитель. | Panasonic |
| 58576 | 2SD601A | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 58577 | 2SD602 | Type(For planer кремния NPN усилитель
эпитаксиального видео-) | Panasonic |
| 58578 | 2SD602A | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 58579 | 2SD612 | Транзистор 25V/35V Кремния NPN Эпитаксиальный
Плоскостной, Применения Усилителя Силы Низк-Castoty 2ЈA | SANYO |
| 58580 | 2SD612K | Транзистор 25V/35V Кремния NPN Эпитаксиальный
Плоскостной, Применения Усилителя Силы Низк-Castoty 2ЈA | SANYO |
| 58581 | 2SD613 | СИЛА TRANSISTORS(6ЈA, 85v, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 58582 | 2SD613 | 85V/6ЈA, af 25 к применениям выхода
35W | SANYO |
| 58583 | 2SD613 | УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ TRANSISTOR(LOW
NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ) | Wing Shing Computer Components |
| 58584 | 2SD613P | Транзисторы Усилителя Вообще-Qeli | SANYO |
| 58585 | 2SD620 | Переключение Силы Низкой частотности Fet Mos
Н-Kanala Кремния | Panasonic |
| 58586 | 2SD621 | Для Ю-Otkloneni4 ого с высоким напряжением | SANYO |
| 58587 | 2SD621 | Для Ю-Otkloneni4 ого с высоким напряжением | SANYO |
| 58588 | 2SD627 | 2SD627 | SANYO |
| 58589 | 2SD627 | 2SD627 | SANYO |
| 58590 | 2SD633 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ.
ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ. ПРИВОД МОЛОТКА,
ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА МОТОРА ИМПА УЛЬС | TOSHIBA |
| 58591 | 2SD633 | СИЛА TRANSISTORS(7A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 58592 | 2SD633P | V (СВО): 100v; V (генеральный директор): 85V; V (EBO): 6В; 6А; 60W; эпитаксиальных плоская кремниевый транзистор. Для 85В / 6А, AF 35 до 45W выходных прил | SANYO |
| 58593 | 2SD634 | СИЛА TRANSISTORS(7A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 58594 | 2SD635 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ.
ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ. ПРИВОД МОЛОТКА,
ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА МОТОРА ИМПА УЛЬС | TOSHIBA |
| 58595 | 2SD635 | СИЛА TRANSISTORS(7A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 58596 | 2SD637 | Type(For planer кремния NPN усилитель
эпитаксиального видео-) | Panasonic |
| 58597 | 2SD638 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 58598 | 2SD639 | Type(For planer кремния PNP амплификация
эпитаксиального малоэнергичная вообще) | Panasonic |
| 58599 | 2SD639 | Средств-sily type(For planer кремния
NPN амплификация эпитаксиальной вообще) | Panasonic |
| 58600 | 2SD640 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ DIFFUSEO | TOSHIBA |
| | | |
