| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 598761 | K4D553238F-JC2A | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 598762 | K4D553238F-JC33 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 598763 | K4D553238F-JC36 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 598764 | K4D553238F-JC40 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 598765 | K4D553238F-JC50 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 598766 | K4D623237 | 512K х 32Bit x 4 крена удваивают лист
данным по DRAM тарифа данных одновременный | Samsung Electronic |
| 598767 | K4D623238B-G(Q)C | 512K х 32Bit x 4 крена удваивают данные
по ШТОССЕЛЯ тарифа данных одновременным расширенные wi из листа
данных | Samsung Electronic |
| 598768 | K4D623238B-GC | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 598769 | K4D623238B-GC/L33 | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 598770 | K4D623238B-GC/L40 | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 598771 | K4D623238B-GC/L45 | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 598772 | K4D623238B-GC/L50 | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 598773 | K4D623238B-GC/L55 | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 598774 | K4D623238B-GC/L60 | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 598775 | K4D64163HF | 1M x 16Bit x 4 крена удваивает
DRAM тарифа данных одновременный | Samsung Electronic |
| 598776 | K4D64163HF-TC33 | 1M x 16Bit x 4 крена удваивает
DRAM тарифа данных одновременный | Samsung Electronic |
| 598777 | K4D64163HF-TC36 | 1M x 16Bit x 4 крена удваивает
DRAM тарифа данных одновременный | Samsung Electronic |
| 598778 | K4D64163HF-TC40 | 1M x 16Bit x 4 крена удваивает
DRAM тарифа данных одновременный | Samsung Electronic |
| 598779 | K4D64163HF-TC50 | 1M x 16Bit x 4 крена удваивает
DRAM тарифа данных одновременный | Samsung Electronic |
| 598780 | K4D64163HF-TC60 | 1M x 16Bit x 4 крена удваивает
DRAM тарифа данных одновременный | Samsung Electronic |
| 598781 | K4E151611 | ШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos
динамический с выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
| 598782 | K4E151611D | ШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos
динамический с выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
| 598783 | K4E151611D-J | 1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 1K цикл обновления. | Samsung Electronic |
| 598784 | K4E151611D-T | 1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 1K цикл обновления. | Samsung Electronic |
| 598785 | K4E151612D | ШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos
динамический с выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
| 598786 | K4E151612D-J | 1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 1K цикл обновления. | Samsung Electronic |
| 598787 | K4E151612D-T | 1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 1K цикл обновления. | Samsung Electronic |
| 598788 | K4E16(7)0411(2)D | ШТОССЕЛЬ 4M х 4Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
| 598789 | K4E16(7)0811(2)D | ШТОССЕЛЬ 2M х 8Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
| 598790 | K4E160411D | ШТОССЕЛЬ 4M х 4Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
| 598791 | K4E160411D-B | 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 2K цикл обновления. | Samsung Electronic |
| 598792 | K4E160411D-F | 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 2K цикл обновления. | Samsung Electronic |
| 598793 | K4E160412D | ШТОССЕЛЬ 4M х 4Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
| 598794 | K4E160412D-B | 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 2K цикл обновления. | Samsung Electronic |
| 598795 | K4E160412D-F | 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 2K цикл обновления. | Samsung Electronic |
| 598796 | K4E160811D | ШТОССЕЛЬ 2M х 8Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
| 598797 | K4E160811D-B | 2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 2K цикл обновления. | Samsung Electronic |
| 598798 | K4E160811D-F | 2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 2K цикл обновления. | Samsung Electronic |
| 598799 | K4E160812D | ШТОССЕЛЬ 2M х 8Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
| 598800 | K4E160812D-B | 2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 2K цикл обновления. | Samsung Electronic |
| | | |
