Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
598801 | K4E160812D-F | 2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 2K цикл обновления. | Samsung Electronic |
598802 | K4E170411D | ШТОССЕЛЬ 4M х 4Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
598803 | K4E170411D-B | 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
598804 | K4E170411D-F | 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
598805 | K4E170412D | ШТОССЕЛЬ 4M х 4Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
598806 | K4E170412D-B | 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
598807 | K4E170412D-F | 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
598808 | K4E170811D | ШТОССЕЛЬ 2M х 8Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
598809 | K4E170811D-B | 2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
598810 | K4E170811D-F | 2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
598811 | K4E170812D | ШТОССЕЛЬ 2M х 8Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
598812 | K4E170812D-B | 2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
598813 | K4E170812D-F | 2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
598814 | K4E171611D | ШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos
динамический с выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
598815 | K4E171611D-J | 1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
598816 | K4E171611D-T | 1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
598817 | K4E171612D | ШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos
динамический с выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
598818 | K4E171612D-J | 1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
598819 | K4E171612D-T | 1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
598820 | K4E640412D | ШТОССЕЛЬ 16M х 4bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
598821 | K4E640412D-JC_L | 16M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. 3,3, 4K обновить цикл. | Samsung Electronic |
598822 | K4E640412D-TC_L | 16M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. 3,3, 4K обновить цикл. | Samsung Electronic |
598823 | K4E640812B | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
598824 | K4E640812B-JC-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
598825 | K4E640812B-JC-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
598826 | K4E640812B-JC-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
598827 | K4E640812B-JCL-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
598828 | K4E640812B-JCL-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
598829 | K4E640812B-JCL-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
598830 | K4E640812B-TC-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
598831 | K4E640812B-TC-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
598832 | K4E640812B-TC-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
598833 | K4E640812B-TCL-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
598834 | K4E640812B-TCL-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
598835 | K4E640812B-TCL-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
598836 | K4E640812C | ШТОССЕЛЬ 8M х 8bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
598837 | K4E640812C-JC-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
598838 | K4E640812C-JC-5 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
598839 | K4E640812C-JC-6 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
598840 | K4E640812C-JCL-45 | 8M х 8bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
| | | |