|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15255 | 15256 | 15257 | 15258 | 15259 | 15260 | 15261 | 15262 | 15263 | 15264 | 15265 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
610361KM416C1004CJ-L55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
610362KM416C1004CJ-L65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610363KM416C1004CJL-451M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 5,0 В, само-регенерацииSamsung Electronic
610364KM416C1004CJL-51M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерацииSamsung Electronic
610365KM416C1004CJL-61M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерацииSamsung Electronic
610366KM416C1004CT-455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
610367KM416C1004CT-55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
610368KM416C1004CT-65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610369KM416C1004CT-L455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
610370KM416C1004CT-L55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
610371KM416C1004CT-L65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610372KM416C1004CTL-451M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 5,0 В, само-регенерацииSamsung Electronic
610373KM416C1004CTL-51M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерацииSamsung Electronic
610374KM416C1004CTL-61M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерацииSamsung Electronic
610375KM416C1200BШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
610376KM416C1200BJ-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610377KM416C1200BJ-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610378KM416C1200BJ-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нсSamsung Electronic
610379KM416C1200BJL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610380KM416C1200BJL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610381KM416C1200BJL-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нсSamsung Electronic
610382KM416C1200BT-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610383KM416C1200BT-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610384KM416C1200BT-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нсSamsung Electronic
610385KM416C1200BTL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610386KM416C1200BTL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610387KM416C1200BTL-71M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нсSamsung Electronic
610388KM416C1200CШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
610389KM416C1200CJ-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610390KM416C1200CJ-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610391KM416C1200CJL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610392KM416C1200CJL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610393KM416C1200CT-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610394KM416C1200CT-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610395KM416C1200CTL-51M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610396KM416C1200CTL-61M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610397KM416C1204BJ-455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
610398KM416C1204BJ-55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
610399KM416C1204BJ-65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610400KM416C1204BJ-75V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15255 | 15256 | 15257 | 15258 | 15259 | 15260 | 15261 | 15262 | 15263 | 15264 | 15265 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com