Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
610361 | KM416C1004CJ-L5 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
610362 | KM416C1004CJ-L6 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
610363 | KM416C1004CJL-45 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 5,0 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
610364 | KM416C1004CJL-5 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
610365 | KM416C1004CJL-6 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
610366 | KM416C1004CT-45 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
610367 | KM416C1004CT-5 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
610368 | KM416C1004CT-6 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
610369 | KM416C1004CT-L45 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
610370 | KM416C1004CT-L5 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
610371 | KM416C1004CT-L6 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
610372 | KM416C1004CTL-45 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 5,0 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
610373 | KM416C1004CTL-5 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
610374 | KM416C1004CTL-6 | 1M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерации | Samsung Electronic |
610375 | KM416C1200B | ШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos
динамический с быстрым режимом страницы | Samsung Electronic |
610376 | KM416C1200BJ-5 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нс | Samsung Electronic |
610377 | KM416C1200BJ-6 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нс | Samsung Electronic |
610378 | KM416C1200BJ-7 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нс | Samsung Electronic |
610379 | KM416C1200BJL-5 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нс | Samsung Electronic |
610380 | KM416C1200BJL-6 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нс | Samsung Electronic |
610381 | KM416C1200BJL-7 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нс | Samsung Electronic |
610382 | KM416C1200BT-5 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нс | Samsung Electronic |
610383 | KM416C1200BT-6 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нс | Samsung Electronic |
610384 | KM416C1200BT-7 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нс | Samsung Electronic |
610385 | KM416C1200BTL-5 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нс | Samsung Electronic |
610386 | KM416C1200BTL-6 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нс | Samsung Electronic |
610387 | KM416C1200BTL-7 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 70 нс | Samsung Electronic |
610388 | KM416C1200C | ШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos
динамический с быстрым режимом страницы | Samsung Electronic |
610389 | KM416C1200CJ-5 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нс | Samsung Electronic |
610390 | KM416C1200CJ-6 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нс | Samsung Electronic |
610391 | KM416C1200CJL-5 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нс | Samsung Electronic |
610392 | KM416C1200CJL-6 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нс | Samsung Electronic |
610393 | KM416C1200CT-5 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нс | Samsung Electronic |
610394 | KM416C1200CT-6 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нс | Samsung Electronic |
610395 | KM416C1200CTL-5 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нс | Samsung Electronic |
610396 | KM416C1200CTL-6 | 1M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нс | Samsung Electronic |
610397 | KM416C1204BJ-45 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45ns | Samsung Electronic |
610398 | KM416C1204BJ-5 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нс | Samsung Electronic |
610399 | KM416C1204BJ-6 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нс | Samsung Electronic |
610400 | KM416C1204BJ-7 | 5V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70ns | Samsung Electronic |
| | | |