|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15256 | 15257 | 15258 | 15259 | 15260 | 15261 | 15262 | 15263 | 15264 | 15265 | 15266 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
610401KM416C1204BJ-L455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
610402KM416C1204BJ-L55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
610403KM416C1204BJ-L65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610404KM416C1204BJ-L75V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
610405KM416C1204BT-455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
610406KM416C1204BT-55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
610407KM416C1204BT-65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610408KM416C1204BT-75V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
610409KM416C1204BT-L455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
610410KM416C1204BT-L55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
610411KM416C1204BT-L65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610412KM416C1204BT-L75V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 70nsSamsung Electronic
610413KM416C1204CШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos динамический с выдвинутыми данными внеSamsung Electronic
610414KM416C1204CJ-451M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 45ns, VCC = 5.0V, обновите период = 16мсSamsung Electronic
610415KM416C1204CJ-55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
610416KM416C1204CJ-501M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 50 нс, VCC = 5.0V, обновите период = 16мсSamsung Electronic
610417KM416C1204CJ-65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610418KM416C1204CJ-601M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 60 нс, VCC = 5.0V, обновите период = 16мсSamsung Electronic
610419KM416C1204CJ-L455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
610420KM416C1204CJ-L55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
610421KM416C1204CJ-L65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610422KM416C1204CJL-451M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 5,0 В, само-регенерацииSamsung Electronic
610423KM416C1204CJL-501M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерацииSamsung Electronic
610424KM416C1204CJL-601M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерацииSamsung Electronic
610425KM416C1204CT-455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
610426KM416C1204CT-55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
610427KM416C1204CT-501M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 50 нс, VCC = 5.0V, обновите период = 16мсSamsung Electronic
610428KM416C1204CT-65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610429KM416C1204CT-601M х 16Bit CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными из, 60 нс, VCC = 5.0V, обновите период = 16мсSamsung Electronic
610430KM416C1204CT-L455V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 45nsSamsung Electronic
610431KM416C1204CT-L55V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
610432KM416C1204CT-L65V, 1M х 16 бит CMOS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610433KM416C1204CTL-451M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 45ns, VCC = 5,0 В, само-регенерацииSamsung Electronic
610434KM416C1204CTL-501M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 50 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерацииSamsung Electronic
610435KM416C1204CTL-601M х 16bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне, 60 нс, VCC = 5,0 В, само-регенерацииSamsung Electronic
610436KM416C254DШТОССЕЛЬ 256K х 16Bit cmos динамический с выдвинутыми данными внеSamsung Electronic
610437KM416C254DJ-5256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 5,0 В, 50 нс, 8ms период обновленияSamsung Electronic
610438KM416C254DJ-6256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 5,0 В, 60 нс, 8ms период обновленияSamsung Electronic
610439KM416C254DJ-7256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 5,0 В, 70ns, 8ms период обновленияSamsung Electronic
610440KM416C254DJL-5256 х 16Bit CMOS динамическое ОЗУ с расширенным данных из, Vcc = 5,0 В, 50 нс, само-обновленияSamsung Electronic
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15256 | 15257 | 15258 | 15259 | 15260 | 15261 | 15262 | 15263 | 15264 | 15265 | 15266 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com