| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 610801 | KM418RD32C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610802 | KM418RD32D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610803 | KM418RD4AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610804 | KM418RD4AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610805 | KM418RD4C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610806 | KM418RD4D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610807 | KM418RD8AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610808 | KM418RD8AC(D)-RG60 | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610809 | KM418RD8AC(D)-RK70 | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610810 | KM418RD8AC(D)-RK80 | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610811 | KM418RD8AC-RG60 | 256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 53.3 нс, скорость: 600 Мбит (300 МГц). | Samsung Electronic |
| 610812 | KM418RD8AC-RK70 | 256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота вращения: 711 Мбит (356 МГц). | Samsung Electronic |
| 610813 | KM418RD8AC-RK80 | 256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота вращения: 800 Мбит (400 МГц). | Samsung Electronic |
| 610814 | KM418RD8AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610815 | KM418RD8AD-RG60 | 256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 53.3 нс, скорость: 600 Мбит (300 МГц). | Samsung Electronic |
| 610816 | KM418RD8AD-RK70 | 256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота вращения: 711 Мбит (356 МГц). | Samsung Electronic |
| 610817 | KM418RD8AD-RK80 | 256K х 18 х 32s зависимые банки прямым RDRAM. Время доступа: 45 нс, частота вращения: 800 Мбит (400 МГц). | Samsung Electronic |
| 610818 | KM418RD8C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610819 | KM418RD8D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18
крены бита x 2*16 зависимые направляют RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610820 | KM41C4000D | ШТОССЕЛЬ cmos 1Bit 4M х динамический с
быстрым режимом страницы | Samsung Electronic |
| 610821 | KM41C4000DJ-5 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 16 мс обновлять, 50 нс | Samsung Electronic |
| 610822 | KM41C4000DJ-6 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 16 мс обновлять, 60 нс | Samsung Electronic |
| 610823 | KM41C4000DJ-7 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 16 мс обновлять, 70 нс | Samsung Electronic |
| 610824 | KM41C4000DLJ-5 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 128мс обновления, 50 нс | Samsung Electronic |
| 610825 | KM41C4000DLJ-6 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 128мс обновления, 60 нс | Samsung Electronic |
| 610826 | KM41C4000DLJ-7 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 128мс обновления, 70ns | Samsung Electronic |
| 610827 | KM41C4000DLT-5 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 128мс обновления, 50 нс | Samsung Electronic |
| 610828 | KM41C4000DLT-6 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 128мс обновления, 60 нс | Samsung Electronic |
| 610829 | KM41C4000DLT-7 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 5В, 128мс обновления, 70ns | Samsung Electronic |
| 610830 | KM41C4000DT-5 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 16 мс обновлять, 50 нс | Samsung Electronic |
| 610831 | KM41C4000DT-6 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 16 мс обновлять, 60 нс | Samsung Electronic |
| 610832 | KM41C4000DT-7 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 16 мс обновлять, 70 нс | Samsung Electronic |
| 610833 | KM41V4000D | ШТОССЕЛЬ cmos 1Bit 4M х динамический с
быстрым режимом страницы | Samsung Electronic |
| 610834 | KM41V4000DJ-6 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 16 мс обновления, 60 нс | Samsung Electronic |
| 610835 | KM41V4000DJ-7 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 16 мс обновления, 70ns | Samsung Electronic |
| 610836 | KM41V4000DLJ-6 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 128мс обновления, 60 нс | Samsung Electronic |
| 610837 | KM41V4000DLJ-7 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 128мс обновления, 70ns | Samsung Electronic |
| 610838 | KM41V4000DLT-6 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 128мс обновления, 60 нс | Samsung Electronic |
| 610839 | KM41V4000DLT-7 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 128мс обновления, 70ns | Samsung Electronic |
| 610840 | KM41V4000DT-6 | 4M х 1 бит CMOS динамического ОЗУ с режимом быстрой страницу, 3,3, 16 мс обновления, 60 нс | Samsung Electronic |
| | | |
