|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15269 | 15270 | 15271 | 15272 | 15273 | 15274 | 15275 | 15276 | 15277 | 15278 | 15279 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
610921KM44C4000CS-64M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610922KM44C4000CSL-54M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610923KM44C4000CSL-64M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610924KM44C4003CDRAM cas квада 4M х 4Bit cmos с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
610925KM44C4003CK-54M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 50 нсSamsung Electronic
610926KM44C4003CK-64M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 60 нсSamsung Electronic
610927KM44C4003CKL-54M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 50 нсSamsung Electronic
610928KM44C4003CKL-64M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 60 нсSamsung Electronic
610929KM44C4003CS-54M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 50 нсSamsung Electronic
610930KM44C4003CS-64M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 60 нсSamsung Electronic
610931KM44C4003CSL-54M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 50 нсSamsung Electronic
610932KM44C4003CSL-64M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 60 нсSamsung Electronic
610933KM44C4005CDRAM cas квада 4M х 4Bit cmos с выдвинутыми данными внеSamsung Electronic
610934KM44C4005CK-54M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
610935KM44C4005CK-64M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610936KM44C4005CKL-54M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
610937KM44C4005CKL-64M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610938KM44C4005CS-54M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
610939KM44C4005CS-64M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610940KM44C4005CSL-54M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM с расширенными данными вне, 50 нсSamsung Electronic
610941KM44C4005CSL-64M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM с расширенными данными вне, 60 нсSamsung Electronic
610942KM44C4100CШТОССЕЛЬ 4M х 4Bit cmos динамический с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
610943KM44C4100CK-54M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610944KM44C4100CK-64M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610945KM44C4100CKL-54M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610946KM44C4100CKL-64M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610947KM44C4100CS-54M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610948KM44C4100CS-64M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610949KM44C4100CSL-54M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 50 нсSamsung Electronic
610950KM44C4100CSL-64M х 4bit CMOS динамического ОЗУ с быстрым страничным, 5V, 60 нсSamsung Electronic
610951KM44C4103CDRAM cas квада 4M х 4Bit cmos с быстрым режимом страницыSamsung Electronic
610952KM44C4103CK-54M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 50 нсSamsung Electronic
610953KM44C4103CK-64M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 60 нсSamsung Electronic
610954KM44C4103CKL-54M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 50 нсSamsung Electronic
610955KM44C4103CKL-64M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 60 нсSamsung Electronic
610956KM44C4103CS-54M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 50 нсSamsung Electronic
610957KM44C4103CS-64M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 60 нсSamsung Electronic
610958KM44C4103CSL-54M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 50 нсSamsung Electronic
610959KM44C4103CSL-64M х 4bit CMOS четырехъядерный CAS DRAM в режиме быстрого страницы, 5В, 60 нсSamsung Electronic
610960KM44C4104A-550 нс; V (см / вход / выход): -1 до + 7В; 1W; 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными внеSamsung Electronic
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 15269 | 15270 | 15271 | 15272 | 15273 | 15274 | 15275 | 15276 | 15277 | 15278 | 15279 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com