|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 17298 | 17299 | 17300 | 17301 | 17302 | 17303 | 17304 | 17305 | 17306 | 17307 | 17308 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
692081M368L3223ETN-CB3Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
692082M368L3223ETN-CLB3Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
692083M368L3223FTNмодуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Ф-umiraet с 64/72-bit Non-ECC/$$ET-ECCSanken
692084M368L3223FTN-CB3LAAмодуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Ф-umiraet с 64/72-bit Non-ECC/$$ET-ECCSanken
692085M368L3313BT132M х 64 DDR SDRAM 184pin DIMM основанное на листе данных 16Mx8Samsung Electronic
692086M368L3313BT132M х 64 DDR SDRAM 184pin DIMM основанное на серийном присутсвии 16Mx8 обнаружилиSamsung Electronic
692087M368L3313CT132Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM основанное на серийном присутсвии 16Mx8 обнаружилиSamsung Electronic
692088M368L3313CT132Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM основанное на листе данных 16Mx8Samsung Electronic
692089M368L3324CUS-CLCCМодуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
692090M368L5623MTNМодуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
692091M368L5623MTN-CA2Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
692092M368L5623MTN-CB0Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
692093M368L5623MTN-CB3Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
692094M368L6423DTM-CCCмодуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECCSamsung Electronic
692095M368L6423DTM-CCC/C4модуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECCSamsung Electronic
692096M368L6423DTM-LCCмодуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECCSamsung Electronic
692097M368L6423DTM-LCC/C4модуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECCSamsung Electronic
692098M368L6423ETMМодуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
692099M368L6423ETM-CC5модуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Е-umiraet 64/72-bit ECC/Non ECCSamsung Electronic
692100M368L6423ETM-CCC4Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
692101M368L6423ETM-LC5модуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Е-umiraet 64/72-bit ECC/Non ECCSamsung Electronic
692102M368L6423ETN-A2Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
692103M368L6423ETN-AAМодуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
692104M368L6423ETN-B0Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
692105M368L6423ETN-CB3Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
692106M368L6423ETN-CLB3Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
692107M368L6423FTNмодуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Ф-umiraet с 64/72-bit Non-ECC/$$ET-ECCSanken
692108M368L6423FTN-CB3B0модуль 184pin unbuffered основанный на 256Mb Ф-umiraet с 64/72-bit Non-ECC/$$ET-ECCSanken
692109M368L6523CUSМодуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
692110M368L6523CUS-CCCМодуль 18 DDR SDRAM unbuffered модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb Б-umiraetSamsung Electronic
692111M36D0R6040T0память 64 Mbit (4Mb x16, множественный крен, страница) внезапная и 16 Mbit (1Mb x16) PSRAM, пакет Мулти-OblomokaST Microelectronics
692112M36D0R6040T0ZAITпамять 64 Mbit (4Mb x16, множественный крен, страница) внезапная и 16 Mbit (1Mb x16) PSRAM, пакет Мулти-OblomokaST Microelectronics
692113M36DR232ПАМЯТЬ 32 MBIT (2MB X16, ДВОЙНОГО КРЕНА, СТРАНИЦЫ) ВНЕЗАПНАЯ И 2 MBIT (128K X16) SRAM, МНОЖЕСТВЕННЫЙ ПРОДУКТ ПАМЯТИST Microelectronics
692114M36DR232ПАМЯТЬ 32 MBIT (2MB X16, ДВОЙНОГО КРЕНА, СТРАНИЦЫ) ВНЕЗАПНАЯ И 2 MBIT (128K X16) SRAM, МНОЖЕСТВЕННЫЙ ПРОДУКТ ПАМЯТИSGS Thomson Microelectronics
692115M36DR232A32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 2 Mbit 128K x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692116M36DR232AZA32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 2 Mbit 128K x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692117M36DR232B32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 2 Mbit 128K x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692118M36DR232BZA32 Mbit 2Mb x16, двойной крен, память страницы внезапная и 2 Mbit 128K x16 SRAM, множественный продукт памятиST Microelectronics
692119M36DR432-ZAT32 Mbit 2Mb x16/dvo1na4 память крена/страницы внезапная и 4 Mbit 256K x16 SRAM/mnojestvenny1 продукт памятиST Microelectronics
692120M36DR432AПАМЯТЬ 32 MBIT (2MB X16, ДВОЙНОГО КРЕНА, СТРАНИЦЫ) ВНЕЗАПНАЯ И 4 MBIT (256K X16) SRAM, МНОЖЕСТВЕННЫЙ ПРОДУКТ ПАМЯТИST Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 17298 | 17299 | 17300 | 17301 | 17302 | 17303 | 17304 | 17305 | 17306 | 17307 | 17308 | >>
English Version for this page Version franaise pour cette page Deutsche Version fr diese Seite Verso portuguese para esta pgina



© 2017 - www.DatasheetCatalog.com