Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
692081 | M368L3223ETN-CB3 | Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered
модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb
Б-umiraet | Samsung Electronic |
692082 | M368L3223ETN-CLB3 | Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered
модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb
Б-umiraet | Samsung Electronic |
692083 | M368L3223FTN | модуль 184pin unbuffered основанный на
256Mb Ф-umiraet с 64/72-bit Non-ECC/$$ET-ECC | Sanken |
692084 | M368L3223FTN-CB3LAA | модуль 184pin unbuffered основанный на
256Mb Ф-umiraet с 64/72-bit Non-ECC/$$ET-ECC | Sanken |
692085 | M368L3313BT1 | 32M х 64 DDR SDRAM 184pin
DIMM основанное на листе данных 16Mx8 | Samsung Electronic |
692086 | M368L3313BT1 | 32M х 64 DDR SDRAM 184pin
DIMM основанное на серийном присутсвии 16Mx8 обнаружили | Samsung Electronic |
692087 | M368L3313CT1 | 32Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM
основанное на серийном присутсвии 16Mx8 обнаружили | Samsung Electronic |
692088 | M368L3313CT1 | 32Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM
основанное на листе данных 16Mx8 | Samsung Electronic |
692089 | M368L3324CUS-CLCC | Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered
модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb
Б-umiraet | Samsung Electronic |
692090 | M368L5623MTN | Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered
модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb
Б-umiraet | Samsung Electronic |
692091 | M368L5623MTN-CA2 | Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered
модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb
Б-umiraet | Samsung Electronic |
692092 | M368L5623MTN-CB0 | Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered
модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb
Б-umiraet | Samsung Electronic |
692093 | M368L5623MTN-CB3 | Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered
модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb
Б-umiraet | Samsung Electronic |
692094 | M368L6423DTM-CCC | модуль 184pin unbuffered основанный на
256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECC | Samsung Electronic |
692095 | M368L6423DTM-CCC/C4 | модуль 184pin unbuffered основанный на
256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECC | Samsung Electronic |
692096 | M368L6423DTM-LCC | модуль 184pin unbuffered основанный на
256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECC | Samsung Electronic |
692097 | M368L6423DTM-LCC/C4 | модуль 184pin unbuffered основанный на
256Mb Д-umiraet 64/72-bit non ECC/ECC | Samsung Electronic |
692098 | M368L6423ETM | Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered
модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb
Б-umiraet | Samsung Electronic |
692099 | M368L6423ETM-CC5 | модуль 184pin unbuffered основанный на
256Mb Е-umiraet 64/72-bit ECC/Non ECC | Samsung Electronic |
692100 | M368L6423ETM-CCC4 | Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered
модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb
Б-umiraet | Samsung Electronic |
692101 | M368L6423ETM-LC5 | модуль 184pin unbuffered основанный на
256Mb Е-umiraet 64/72-bit ECC/Non ECC | Samsung Electronic |
692102 | M368L6423ETN-A2 | Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered
модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb
Б-umiraet | Samsung Electronic |
692103 | M368L6423ETN-AA | Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered
модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb
Б-umiraet | Samsung Electronic |
692104 | M368L6423ETN-B0 | Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered
модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb
Б-umiraet | Samsung Electronic |
692105 | M368L6423ETN-CB3 | Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered
модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb
Б-umiraet | Samsung Electronic |
692106 | M368L6423ETN-CLB3 | Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered
модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb
Б-umiraet | Samsung Electronic |
692107 | M368L6423FTN | модуль 184pin unbuffered основанный на
256Mb Ф-umiraet с 64/72-bit Non-ECC/$$ET-ECC | Sanken |
692108 | M368L6423FTN-CB3B0 | модуль 184pin unbuffered основанный на
256Mb Ф-umiraet с 64/72-bit Non-ECC/$$ET-ECC | Sanken |
692109 | M368L6523CUS | Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered
модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb
Б-umiraet | Samsung Electronic |
692110 | M368L6523CUS-CCC | Модуль 18 DDR SDRAM unbuffered
модуль 4 штырей unbuffered основанный на 512Mb
Б-umiraet | Samsung Electronic |
692111 | M36D0R6040T0 | память 64 Mbit (4Mb x16,
множественный крен, страница) внезапная и 16 Mbit (1Mb
x16) PSRAM, пакет Мулти-Oblomoka | ST Microelectronics |
692112 | M36D0R6040T0ZAIT | память 64 Mbit (4Mb x16,
множественный крен, страница) внезапная и 16 Mbit (1Mb
x16) PSRAM, пакет Мулти-Oblomoka | ST Microelectronics |
692113 | M36DR232 | ПАМЯТЬ 32 MBIT (2MB X16,
ДВОЙНОГО КРЕНА, СТРАНИЦЫ) ВНЕЗАПНАЯ И 2 MBIT (128K
X16) SRAM, МНОЖЕСТВЕННЫЙ ПРОДУКТ ПАМЯТИ | ST Microelectronics |
692114 | M36DR232 | ПАМЯТЬ 32 MBIT (2MB X16,
ДВОЙНОГО КРЕНА, СТРАНИЦЫ) ВНЕЗАПНАЯ И 2 MBIT (128K
X16) SRAM, МНОЖЕСТВЕННЫЙ ПРОДУКТ ПАМЯТИ | SGS Thomson Microelectronics |
692115 | M36DR232A | 32 Mbit 2Mb x16, двойной крен,
память страницы внезапная и 2 Mbit 128K x16 SRAM,
множественный продукт памяти | ST Microelectronics |
692116 | M36DR232AZA | 32 Mbit 2Mb x16, двойной крен,
память страницы внезапная и 2 Mbit 128K x16 SRAM,
множественный продукт памяти | ST Microelectronics |
692117 | M36DR232B | 32 Mbit 2Mb x16, двойной крен,
память страницы внезапная и 2 Mbit 128K x16 SRAM,
множественный продукт памяти | ST Microelectronics |
692118 | M36DR232BZA | 32 Mbit 2Mb x16, двойной крен,
память страницы внезапная и 2 Mbit 128K x16 SRAM,
множественный продукт памяти | ST Microelectronics |
692119 | M36DR432-ZAT | 32 Mbit 2Mb x16/dvo1na4 память
крена/страницы внезапная и 4 Mbit 256K x16
SRAM/mnojestvenny1 продукт памяти | ST Microelectronics |
692120 | M36DR432A | ПАМЯТЬ 32 MBIT (2MB X16,
ДВОЙНОГО КРЕНА, СТРАНИЦЫ) ВНЕЗАПНАЯ И 4 MBIT (256K
X16) SRAM, МНОЖЕСТВЕННЫЙ ПРОДУКТ ПАМЯТИ | ST Microelectronics |
| | | |