|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1739 | 1740 | 1741 | 1742 | 1743 | 1744 | 1745 | 1746 | 1747 | 1748 | 1749 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
697213SMC9.0AПОВЕРХНОСТНЫМ УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ ОДНОНАПРАВЛЕННЫМ ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ПЕРЕХОДНЫЙ 3000 ВАТТ, 5.0 ЧЕРЕЗ 170 ВОЛЬТАCentral Semiconductor
697223SMC9.0CAПОВЕРХНОСТНЫМ УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ ДВУХНАПРАВЛЕННЫМ ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ПЕРЕХОДНЫЙ 3000 ВАТТ, 5.0 ЧЕРЕЗ 170 ВОЛЬТАCentral Semiconductor
697233SMC90AПОВЕРХНОСТНЫМ УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ ОДНОНАПРАВЛЕННЫМ ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ПЕРЕХОДНЫЙ 3000 ВАТТ, 5.0 ЧЕРЕЗ 170 ВОЛЬТАCentral Semiconductor
697243SMC90CAПОВЕРХНОСТНЫМ УСМИРИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА СОЕДИНЕНИЯ ДЕРЖАТЕЛЯ ДВУХНАПРАВЛЕННЫМ ЗАПАССИВИРОВАННЫЙ СТЕКЛОМ ПЕРЕХОДНЫЙ 3000 ВАТТ, 5.0 ЧЕРЕЗ 170 ВОЛЬТАCentral Semiconductor
697253STF1640Низкое напряжение высокой производительности NPN транзистор питанияST Microelectronics
697263STL2540Низкое напряжение высокой производительности PNP транзистор питанияST Microelectronics
697273STR1630Низкое напряжение высокой производительности NPN транзистор питанияST Microelectronics
697283T064A58V; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697293T064B58V; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697303T072A65V; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697313T072B65V; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697323T080A75V; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697333T080B75V; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697343T110A90V; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697353T110B90V; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697363T130A120; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697373T130B120; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697383T150A140В; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697393T150B140В; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697403T180A160В; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697413T180B160В; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697423T230A190В; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697433T230B190В; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697443T260A220; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697453T260B220; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697463T310A275V; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697473T310B275V; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697483T350A300В; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697493T350B300В; 1А; поверхностного монтажа и осевой привести два терминала тиристора (3Т) ГрозоразрядникMDE Semiconductor
697503TH41ТИП ОТРАЖЕННЫЙ КРЕМНИЕМ (ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ВЫХОД ОТКЛОНЕНИЯ ДЛЯ HIGH RESOLUTION QVETNOGO ТВ ИНДИКАЦИИ)TOSHIBA
697513TH41AТИП ОТРАЖЕННЫЙ КРЕМНИЕМ (ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ВЫХОД ОТКЛОНЕНИЯ ДЛЯ HIGH RESOLUTION QVETNOGO ТВ ИНДИКАЦИИ)TOSHIBA
697523TK28XXИнтегрированное Безопасностью Руководство ПримененияSiemens
697533W525Поверхностный Balun ДержателяAnaren
697543X38FTROCTAL-FET (быстрый приемопередатчик ethernet) для 10Base-T/100Base-TX/FXAgere Systems
697553Z12ZENER DIODE (ПРИМЕНЕНИЯ ДЕТЕКТОРА И УСМИРИТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКА)TOSHIBA
697564-1462000-12 релеий полюса telecom/signal через тип отверстия (THT) Non-polarized. нон-zapira4 на задвижку 1 катушкуTyco Electronics
697574-1462000-52 релеий полюса telecom/signal через тип отверстия (THT) Non-polarized. нон-zapira4 на задвижку 1 катушкуTyco Electronics
697584-1462000-72 релеий полюса telecom/signal через тип отверстия (THT) Non-polarized. нон-zapira4 на задвижку 1 катушкуTyco Electronics
697594-1462000-82 релеий полюса telecom/signal через тип отверстия (THT) Non-polarized. нон-zapira4 на задвижку 1 катушкуTyco Electronics
697604.3BSДИОДЫ КРЕМНИЯ ПЛОСКОСТНЫЕ ZENER, 500MW, ПАКЕТ SOT-23Semtech
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1739 | 1740 | 1741 | 1742 | 1743 | 1744 | 1745 | 1746 | 1747 | 1748 | 1749 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com