|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 18204 | 18205 | 18206 | 18207 | 18208 | 18209 | 18210 | 18211 | 18212 | 18213 | 18214 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
728321M58CR064P64 ПАМЯТЬ ВСПЫШКИ ПОСТАВКЫ MBIT (4MB X16, ДВОЙНЫХ КРЕНА, ВЗРЫВА) 1.8VSGS Thomson Microelectronics
728322M58CR064P10ZB6T64 Mbit 4Mb x 16/dvo1no1 крен/разрывали память вспышки поставкы 1.8VST Microelectronics
728323M58CR064P10ZB6T64 Мбит 4Mb х 16, двойной банк, взрыв 1.8V питания флэш-памятьSGS Thomson Microelectronics
728324M58CR064P12ZB6T64 Mbit 4Mb x 16/dvo1no1 крен/разрывали память вспышки поставкы 1.8VST Microelectronics
728325M58CR064P12ZB6T64 Мбит 4Mb х 16, двойной банк, взрыв 1.8V питания флэш-памятьSGS Thomson Microelectronics
728326M58CR064P85ZB6T64 Mbit 4Mb x 16/dvo1no1 крен/разрывали память вспышки поставкы 1.8VST Microelectronics
728327M58CR064P85ZB6T64 Мбит 4Mb х 16, двойной банк, взрыв 1.8V питания флэш-памятьSGS Thomson Microelectronics
728328M58CR064P90ZB6T64 ПАМЯТЬ ВСПЫШКИ ПОСТАВКЫ MBIT (4MB X16, ДВОЙНЫХ КРЕНА, ВЗРЫВА) 1.8VST Microelectronics
728329M58CR064P90ZB6T64 Мбит 4Mb х 16, двойной банк, взрыв 1.8V питания флэш-памятьSGS Thomson Microelectronics
728330M58CR064PZB64 Mbit 4Mb x 16/dvo1no1 крен/разрывали память вспышки поставкы 1.8VST Microelectronics
728331M58CR064Q64 ПАМЯТЬ ВСПЫШКИ ПОСТАВКЫ MBIT (4MB X16, ДВОЙНЫХ КРЕНА, ВЗРЫВА) 1.8VST Microelectronics
728332M58CR064Q64 ПАМЯТЬ ВСПЫШКИ ПОСТАВКЫ MBIT (4MB X16, ДВОЙНЫХ КРЕНА, ВЗРЫВА) 1.8VSGS Thomson Microelectronics
728333M58CR064Q10ZB6T64 Mbit 4Mb x 16/dvo1no1 крен/разрывали память вспышки поставкы 1.8VST Microelectronics
728334M58CR064Q10ZB6T64 Мбит 4Mb х 16, двойной банк, взрыв 1.8V питания флэш-памятьSGS Thomson Microelectronics
728335M58CR064Q12ZB6T64 Mbit 4Mb x 16/dvo1no1 крен/разрывали память вспышки поставкы 1.8VST Microelectronics
728336M58CR064Q12ZB6T64 Мбит 4Mb х 16, двойной банк, взрыв 1.8V питания флэш-памятьSGS Thomson Microelectronics
728337M58CR064Q85ZB6T64 Mbit 4Mb x 16/dvo1no1 крен/разрывали память вспышки поставкы 1.8VST Microelectronics
728338M58CR064Q85ZB6T64 Мбит 4Mb х 16, двойной банк, взрыв 1.8V питания флэш-памятьSGS Thomson Microelectronics
728339M58CR064Q90ZB6T64 Mbit 4Mb x 16/dvo1no1 крен/разрывали память вспышки поставкы 1.8VST Microelectronics
728340M58CR064Q90ZB6T64 Мбит 4Mb х 16, двойной банк, взрыв 1.8V питания флэш-памятьSGS Thomson Microelectronics
728341M58CR064QZB64 Mbit 4Mb x 16/dvo1no1 крен/разрывали память вспышки поставкы 1.8VST Microelectronics
728342M58LR016C100ZC6T1Mb x16/$$ET-Mux I/O/Dvo1no1 Крен 16 Mbit/Razryvalo Память Вспышки Поставкы 1.8VST Microelectronics
728343M58LR016C100ZC6T16 Мбит 1Mb x16, Mux I / O, Dual банк, взрыв 1.8V питания флэш-памятьSGS Thomson Microelectronics
728344M58LR016C120ZC6T1Mb x16/$$ET-Mux I/O/Dvo1no1 Крен 16 Mbit/Razryvalo Память Вспышки Поставкы 1.8VST Microelectronics
728345M58LR016C120ZC6T16 Мбит 1Mb x16, Mux I / O, Dual банк, взрыв 1.8V питания флэш-памятьSGS Thomson Microelectronics
728346M58LR016D100ZC6T1Mb x16/$$ET-Mux I/O/Dvo1no1 Крен 16 Mbit/Razryvalo Память Вспышки Поставкы 1.8VST Microelectronics
728347M58LR016D100ZC6T16 Мбит 1Mb x16, Mux I / O, Dual банк, взрыв 1.8V питания флэш-памятьSGS Thomson Microelectronics
728348M58LR016D120ZC6T1Mb x16/$$ET-Mux I/O/Dvo1no1 Крен 16 Mbit/Razryvalo Память Вспышки Поставкы 1.8VST Microelectronics
728349M58LR016D120ZC6T16 Мбит 1Mb x16, Mux I / O, Dual банк, взрыв 1.8V питания флэш-памятьSGS Thomson Microelectronics
728350M58LR128FB128 Память Вспышки Поставкы Mbit (8Mb x16, Множественных Крена, Многоуровнево, Взрыв) 1.8VST Microelectronics
728351M58LR128FB85ZB6128 Память Вспышки Поставкы Mbit (8Mb x16, Множественных Крена, Многоуровнево, Взрыв) 1.8VST Microelectronics
728352M58LR128FB85ZB6T128 Память Вспышки Поставкы Mbit (8Mb x16, Множественных Крена, Многоуровнево, Взрыв) 1.8VST Microelectronics
728353M58LV064A64 ПАМЯТИ ВСПЫШКИ ПОСТАВКЫ 3V MBIT (4MB X16 ИЛИ 2MB X32, РАВНОМЕРНЫХ БЛОКА, ВЗРЫВА)ST Microelectronics
728354M58LV064A64 Мбит (4 Мб X16 ИЛИ 2MB X32, единый блок, взрыв) 3В ПИТАНИЯ флэш-памятиSGS Thomson Microelectronics
728355M58LV064A150N1T64 Mbit 4Mb x16 или 2Mb x32/ravnomerny1 блок/разрывали памяти вспышки поставкы 3VST Microelectronics
728356M58LV064A150N1T64 Мбит 4Mb x16 или 2Mb x32, Единый блок, взрыв 3V питания флэш-памятьSGS Thomson Microelectronics
728357M58LV064A150N6T64 Mbit 4Mb x16 или 2Mb x32/ravnomerny1 блок/разрывали памяти вспышки поставкы 3VST Microelectronics
728358M58LV064A150N6T64 Мбит 4Mb x16 или 2Mb x32, Единый блок, взрыв 3V питания флэш-памятьSGS Thomson Microelectronics
728359M58LV064A150ZA1T64 Mbit 4Mb x16 или 2Mb x32/ravnomerny1 блок/разрывали памяти вспышки поставкы 3VST Microelectronics
728360M58LV064A150ZA1T64 Мбит 4Mb x16 или 2Mb x32, Единый блок, взрыв 3V питания флэш-памятьSGS Thomson Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 18204 | 18205 | 18206 | 18207 | 18208 | 18209 | 18210 | 18211 | 18212 | 18213 | 18214 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com