|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 20578 | 20579 | 20580 | 20581 | 20582 | 20583 | 20584 | 20585 | 20586 | 20587 | 20588 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
823281MGSF3454VT1-DНизкие MOSFETs TMOS Мал-Signala Rds(on) Определяют Транзисторы Влияния Поля Н-KanalaON Semiconductor
823282MGSF3454VT3Low RDS (на) слабого сигнала MOSFET TMOS один N-канальный полевой транзисторMotorola
823283MGSF3454XT1MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOSMotorola
823284MGSF3454XT1Одноместный МОП-транзистор N-канальныйON Semiconductor
823285MGSF3454XT1-DНизкие MOSFETs TMOS Мал-Signala Rds(on) Определяют Транзисторы Влияния Поля Н-KanalaON Semiconductor
823286MGSF3454XT3Low RDS (на) слабого сигнала MOSFET TMOS один N-канальный полевой транзисторMotorola
823287MGSF3455VT1MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOSMotorola
823288MGSF3455VT1-DНизкие MOSFETs TMOS Мал-Signala Rds(on) Определяют Транзисторы Влияния Поля П-KanalaON Semiconductor
823289MGSF3455VT3Low RDS (на) слабого сигнала MOSFET TMOS один N-канальный полевой транзисторMotorola
823290MGSF3455XT1MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOSMotorola
823291MGSF3455XT1Одноместный MOSFET P-канальныйON Semiconductor
823292MGSF3455XT1-DНизкие MOSFETs TMOS Мал-Signala Rds(on) Определяют Транзисторы Влияния Поля П-KanalaON Semiconductor
823293MGSF3455XT3Low RDS (на) слабого сигнала MOSFET TMOS один N-канальный полевой транзисторMotorola
823294MGTO1000Тиристор строба turn-off/$$ET-repetitive пиковое off-state напряжение тока 1000 а в/18 rmsMotorola
823295MGTO1200СТРОБ ПОВОРАЧИВАЕТ ТИРИСТОРЫMotorola
823296MGV12N120DИзолированный транзистор строба двухполярный с Анти-Parallel6nym диодомMotorola
823297MGW12N120Изолированный Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala Транзистора Строба ДвухполярныйMotorola
823298MGW12N120С изолированным затвором биполярного транзистора с pn-ON Semiconductor
823299MGW12N120-DИзолированный Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala Транзистора Строба ДвухполярныйON Semiconductor
823300MGW12N120DИзолированный транзистор строба двухполярный с Анти-Parallel6nym диодомMotorola
823301MGW12N120DС изолированным затвором биполярного транзистора с с-параллельный диод, N-ChannelON Semiconductor
823302MGW12N120D-DИзолированный транзистор строба двухполярный с Анти-Parallel6nym стробом кремния Повышени-Rejima Н-Kanala диодаON Semiconductor
823303MGW14N60EDИзолированный Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala Транзистора Строба ДвухполярныйON Semiconductor
823304MGW14N60ED-DИзолированный Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala Транзистора Строба ДвухполярныйON Semiconductor
823305MGW20N120Изолированный Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala Транзистора Строба ДвухполярныйMotorola
823306MGW20N120УСТАРЕЛО - с изолированным затвором биполярные транзисторы N-каналON Semiconductor
823307MGW20N120-DИзолированный Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala Транзистора Строба ДвухполярныйON Semiconductor
823308MGW20N60DИзолированный транзистор строба двухполярный с Анти-Parallel6nym диодомMotorola
823309MGW21N60EDИзолированный Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala Транзистора Строба ДвухполярныйMotorola
823310MGW21N60ED-DИзолированный Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala Транзистора Строба ДвухполярныйON Semiconductor
823311MGW30N60Изолированный Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala Транзистора Строба ДвухполярныйMotorola
823312MGY20N120DИзолированный транзистор строба двухполярный с Анти-Parallel6nym диодомMotorola
823313MGY20N120DС изолированным затвором биполярного транзистора с с-параллельный диод, N-ChannelON Semiconductor
823314MGY20N120D-DИзолированный транзистор строба двухполярный с Анти-Parallel6nym стробом кремния Повышени-Rejima Н-Kanala диодаON Semiconductor
823315MGY25N120Изолированный Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala Транзистора Строба ДвухполярныйMotorola
823316MGY25N120С изолированным затвором биполярного транзистора с pn-ON Semiconductor
823317MGY25N120-DИзолированный Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala Транзистора Строба ДвухполярныйON Semiconductor
823318MGY25N120DИзолированный транзистор строба двухполярный с Анти-Parallel6nym диодомMotorola
823319MGY25N120DС изолированным затвором биполярного транзистора с с-параллельный диод, N-ChannelON Semiconductor
823320MGY25N120D-DИзолированный транзистор строба двухполярный с Анти-Parallel6nym стробом кремния Повышени-Rejima Н-Kanala диодаON Semiconductor
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 20578 | 20579 | 20580 | 20581 | 20582 | 20583 | 20584 | 20585 | 20586 | 20587 | 20588 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com