|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22553 | 22554 | 22555 | 22556 | 22557 | 22558 | 22559 | 22560 | 22561 | 22562 | 22563 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
902281MRF5S19100LMRF5S19100LR3, MRF5S19100LSR3 1990 мегацикл, 22 ш Avg., 2 х N-CDMA, 28 mOSFETs силы rf Н-Kanala в боковыхMotorola
902282MRF5S19100LR31990 мегацикл, 22 ш Avg., 2 х N–CDMA, 28 mosfet силы в боковой N–Channel rfFreescale (Motorola)
902283MRF5S19100LSR31990 мегацикл, 22 ш Avg., 2 х N–CDMA, 28 mosfet силы в боковой N–Channel rfFreescale (Motorola)
902284MRF5S19130MRF5S19130R3, MRF5S19130SR3 1990 мегацикл, 26 ш Avg., 2 х N-CDMA, 28 mOSFETs силы rf Н-Kanala в боковыхMotorola
902285MRF5S19130HR3Целесообразно для TDMA, CDMA и более multicarrier применений усилителя.Freescale (Motorola)
902286MRF5S19130HSR3Целесообразно для TDMA, CDMA и более multicarrier применений усилителя.Freescale (Motorola)
902287MRF5S19130R31990 мегацикл, 26 ш AVG., 2 х N–CDMA, 28 mosfet силы в боковой N–Channel rfFreescale (Motorola)
902288MRF5S19130SR31990 мегацикл, 26 ш AVG., 2 х N–CDMA, 28 mosfet силы в боковой N–Channel rfFreescale (Motorola)
902289MRF5S19150MRF5S19150, MRF5S19150R3, MRF5S19150S, MRF5S19150SR3 1990 Мегацикл, 32 Ш, 28 MOSFETs Силы Rf Н-Kanala В БоковыхMotorola
902290MRF5S19150R3Транзисторы Влияния Поля Силы RfMotorola
902291MRF5S19150R31990 Мегацикл, 32 Ш, 28 Mosfet Силы В Боковой N–Channel RfFreescale (Motorola)
902292MRF5S19150SR3Транзисторы Влияния Поля Силы RfMotorola
902293MRF5S19150SR31990 Мегацикл, 32 Ш, 28 Mosfet Силы В Боковой N–Channel RfFreescale (Motorola)
902294MRF5S21090HR3Быть использованным в типе ab для применений PCN-PCS/cellularradio и WLL.Freescale (Motorola)
902295MRF5S21090HSR3Быть использованным в типе ab для применений PCN-PCS/cellularradio и WLL.Freescale (Motorola)
902296MRF5S21090LMRF5S21090L MRF5S21090LR3 MRF5S21090LSR3 2170 мегациклов, 19 ш Avg., 2 х CDMA, 28 mOSFETs силы rf Н-Kanala в боковыхMotorola
902297MRF5S21090LR3Транзисторы Влияния Поля Силы RfMotorola
902298MRF5S21090LR32170 мегациклов, 19 ш AVG., 2 х W–CDMA, 28 mosfet силы в боковой N–Channel rfFreescale (Motorola)
902299MRF5S21090LSR3Транзисторы Влияния Поля Силы RfMotorola
902300MRF5S21090LSR32170 мегациклов, 19 ш AVG., 2 х W–CDMA, 28 mosfet силы в боковой N–Channel rfFreescale (Motorola)
902301MRF5S21100HMRF5S21100HR3, MRF5S21100HSR3 2170 мегациклов, 23 ш Avg., 2 х W-CDMA, 28 mOSFETs силы rf Н-Kanala в боковыхMotorola
902302MRF5S21100HR32170 мегациклов, 23 ш Avg., 2 х W–CDMA, 28 mosfet силы в боковой N–Channel rfFreescale (Motorola)
902303MRF5S21100HSR32170 мегациклов, 23 ш Avg., 2 х W–CDMA, 28 mosfet силы в боковой N–Channel rfFreescale (Motorola)
902304MRF5S21100LMRF5S21100L, MRF5S21100LR3, MRF5S21100LSR3 2170 мегациклов, 23 ш Avg., 2 х W-CDMA, 28 mOSFETs силы rf Н-Kanala в боковыхMotorola
902305MRF5S21100LR32170 мегациклов, 23 ш Avg., 2 х W–CDMA, 28 mosfet силы в боковой N–Channel rfFreescale (Motorola)
902306MRF5S21100LSR32170 мегациклов, 23 ш Avg., 2 х W–CDMA, 28 mosfet силы в боковой N–Channel rfFreescale (Motorola)
902307MRF5S21130MRF5S21130, MRF5S21130R3, MRF5S21130S, MRF5S21130SR3 2170 мегациклов, 28 ш Avg., 2 х W-CDMA, 28 mOSFETs силы rf Н-Kanala в боковыхMotorola
902308MRF5S21130HR32170 мегациклов, 28 ш AVG., 28 в, 2 х W–CDMA, боковой mosfet силы N–Channel rfFreescale (Motorola)
902309MRF5S21130HSR32170 мегациклов, 28 ш AVG., 28 в, 2 х W–CDMA, боковой mosfet силы N–Channel rfFreescale (Motorola)
902310MRF5S21130R32170 мегациклов, 28 ш AVG., 2 х W–CDMA, 28 mosfet силы в боковой N–Channel rfFreescale (Motorola)
902311MRF5S21130SR32170 мегациклов, 28 ш AVG., 2 х W–CDMA, 28 mosfet силы в боковой N–Channel rfFreescale (Motorola)
902312MRF5S21150MRF5S21150, MRF5S21150R3, MRF5S21150S, MRF5S21150SR3 2170 мегациклов, 33 ш Avg., 2 х W-CDMA, 28 mOSFETs силы rf Н-Kanala в боковыхMotorola
902313MRF5S21150R3MOSFETS БОКОВОЙ ЧАСТИ РЕЖИМА ТРАНЗИСТОРОВ ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ N-CHANNEL СИЛЫ RF ENANCEMENT-Motorola
902314MRF5S21150R32170 мегациклов, 33 ш AVG., 2 х W–CDMA, 28 mosfet силы в боковой N–Channel rfFreescale (Motorola)
902315MRF5S21150SMOSFETS БОКОВОЙ ЧАСТИ РЕЖИМА ТРАНЗИСТОРОВ ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ N-CHANNEL СИЛЫ RF ENANCEMENT-Motorola
902316MRF5S21150SR3MOSFETS БОКОВОЙ ЧАСТИ РЕЖИМА ТРАНЗИСТОРОВ ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ N-CHANNEL СИЛЫ RF ENANCEMENT-Motorola
902317MRF5S21150SR32170 мегациклов, 33 ш AVG., 2 х W–CDMA, 28 mosfet силы в боковой N–Channel rfFreescale (Motorola)
902318MRF5S9070NR1880 Мегациклов, 70 Ш, 26 Mosfet Силы В Боковой N–Channel Широкополосный RfFreescale (Motorola)
902319MRF5S9100MBR1MOSFETs Боковой части Повышени-Rejima Н-KanalaFreescale (Motorola)
902320MRF5S9100MR1MOSFETs Боковой части Повышени-Rejima Н-KanalaFreescale (Motorola)
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22553 | 22554 | 22555 | 22556 | 22557 | 22558 | 22559 | 22560 | 22561 | 22562 | 22563 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com