| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 909361 | MT4LC8M8B6TG-5S | DRAM | Micron Technology |
| 909362 | MT4LC8M8B6TG-6 | DRAM | Micron Technology |
| 909363 | MT4LC8M8B6TG-6S | DRAM | Micron Technology |
| 909364 | MT4LC8M8C2DJ-5 | DRAM | Micron Technology |
| 909365 | MT4LC8M8C2DJ-6 | DRAM | Micron Technology |
| 909366 | MT4LC8M8C2TG-5 | DRAM | Micron Technology |
| 909367 | MT4LC8M8C2TG-6 | DRAM | Micron Technology |
| 909368 | MT4LC8M8E1 | DRAM | Micron Technology |
| 909369 | MT4LC8M8E1DJ-5 | DRAM | Micron Technology |
| 909370 | MT4LC8M8E1DJ-5S | DRAM | Micron Technology |
| 909371 | MT4LC8M8E1DJ-6 | DRAM | Micron Technology |
| 909372 | MT4LC8M8E1DJ-6S | DRAM | Micron Technology |
| 909373 | MT4LC8M8E1TG-5 | DRAM | Micron Technology |
| 909374 | MT4LC8M8E1TG-5S | DRAM | Micron Technology |
| 909375 | MT4LC8M8E1TG-6 | DRAM | Micron Technology |
| 909376 | MT4LC8M8E1TG-6S | DRAM | Micron Technology |
| 909377 | MT4LC8M8P4 | DRAM | Micron Technology |
| 909378 | MT4LC8M8P4DJ-5 | DRAM | Micron Technology |
| 909379 | MT4LC8M8P4DJ-6 | DRAM | Micron Technology |
| 909380 | MT4LC8M8P4TG-5 | DRAM | Micron Technology |
| 909381 | MT4LC8M8P4TG-6 | DRAM | Micron Technology |
| 909382 | MT4LDT464H | МОДУЛЬ DRAM SMALL-OUTLINE | Micron Technology |
| 909383 | MT4LDT464HS | МОДУЛЬ DRAM SMALL-OUTLINE | Micron Technology |
| 909384 | MT4LDT464HX | МОДУЛЬ DRAM SMALL-OUTLINE | Micron Technology |
| 909385 | MT4LDT464HXS | МОДУЛЬ DRAM SMALL-OUTLINE | Micron Technology |
| 909386 | MT4LDT832HG-5X | МОДУЛЬ DRAM SMALL-OUTLINE | Micron Technology |
| 909387 | MT4LDT832HG-5XS | МОДУЛЬ DRAM SMALL-OUTLINE | Micron Technology |
| 909388 | MT4LDT832HG-6X | МОДУЛЬ DRAM SMALL-OUTLINE | Micron Technology |
| 909389 | MT4LDT832HG-6XS | МОДУЛЬ DRAM SMALL-OUTLINE | Micron Technology |
| 909390 | MT4S03A | Полосы типа VHF~UHF кремния NPN транзистора
применения усилителя шума эпитаксиальной плоскостной низкие (серия
гигагерца fT=16) | TOSHIBA |
| 909391 | MT4S03AU | Полосы типа VHF~UHF кремния NPN транзистора
применения усилителя шума эпитаксиальной плоскостной низкие (серия
гигагерца fT=16) | TOSHIBA |
| 909392 | MT4S03BU | Радиочастотный биполярный транзистор | TOSHIBA |
| 909393 | MT4S04A | Полосы типа VHF~UHF кремния NPN транзистора
применения усилителя шума эпитаксиальной плоскостной низкие (серия
гигагерца fT=16) | TOSHIBA |
| 909394 | MT4S04AU | Полосы типа VHF~UHF кремния NPN транзистора
применения усилителя шума эпитаксиальной плоскостной низкие (серия
гигагерца fT=16) | TOSHIBA |
| 909395 | MT4S06 | Полосы типа VHF~UHF кремния NPN транзистора
применения усилителя шума эпитаксиальной плоскостной низкие (серия
гигагерца fT=16) | TOSHIBA |
| 909396 | MT4S06U | Полосы типа VHF~UHF кремния NPN транзистора
применения усилителя шума эпитаксиальной плоскостной низкие (серия
гигагерца fT=16) | TOSHIBA |
| 909397 | MT4S07 | Полосы типа VHF~UHF кремния NPN транзистора
применения усилителя шума эпитаксиальной плоскостной низкие (серия
гигагерца fT=16) | TOSHIBA |
| 909398 | MT4S100T | ТИПА PLANER ТРАНЗИСТОРА SILICON-GERMANIUM
NPN ПРИМЕНЕНИЕ УСИЛИТЕЛЯ ШУМА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО UHF НИЗКОЕ | TOSHIBA |
| 909399 | MT4S100U | ТИПА PLANER ТРАНЗИСТОРА SILICON-GERMANIUM
NPN ПРИМЕНЕНИЕ УСИЛИТЕЛЯ ШУМА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО UHF НИЗКОЕ | TOSHIBA |
| 909400 | MT4S101T | ТИПА PLANER ТРАНЗИСТОРА SILICON-GERMANIUM
NPN ПРИМЕНЕНИЕ УСИЛИТЕЛЯ ШУМА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО UHF НИЗКОЕ | TOSHIBA |
| | | |
