|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22793 | 22794 | 22795 | 22796 | 22797 | 22798 | 22799 | 22800 | 22801 | 22802 | 22803 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
911881MTB4N80EFET СИЛЫ TMOS 4.0 АМПЕРА 800 ВОЛЬТОВMotorola
911882MTB4N80EУСТАРЕЛО - 800 В, 4 А, мощность ФетON Semiconductor
911883MTB4N80E-DFet D2PAK силы высокой энергии TMOS E-FET для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima Н-Kanala держателяON Semiconductor
911884MTB4N80E1FET СИЛЫ TMOS 4.0 АМПЕРА 800 ВОЛЬТОВMotorola
911885MTB4N80E1УСТАРЕЛО - N-канал Повышени-Режим кремния воротаON Semiconductor
911886MTB4N80E1-DСтроб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala Руководства Fet D2PAK-SL Силы Энергии TMOS E-FET Высокий ПрямойON Semiconductor
911887MTB5000-GБлоки Светильника LedMarktech Optoelectronics
911888MTB5000-HRБлоки Светильника LedMarktech Optoelectronics
911889MTB5000-OБлоки Светильника LedMarktech Optoelectronics
911890MTB5000-RGБлоки Светильника LedMarktech Optoelectronics
911891MTB5000-URБлоки Светильника LedMarktech Optoelectronics
911892MTB5000-YБлоки Светильника LedMarktech Optoelectronics
911893MTB50N06ELУРОВЕНЬ ЛОГИКИ FET СИЛЫ TMOS 50 АМПЕРОВ 60 ВОЛЬТОВMotorola
911894MTB50N06VFET СИЛЫ TMOS 42 АМПЕРА 60 ВОЛЬТОВMotorola
911895MTB50N06VPower MOSFET 42, 60В, N-канал D2PAKON Semiconductor
911896MTB50N06V-DТранзистор влияния поля D2PAK силы TMOS v для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima Н-Kanala держателяON Semiconductor
911897MTB50N06VLFET СИЛЫ TMOS 42 АМПЕРА 60 ВОЛЬТОВMotorola
911898MTB50N06VLМощность MOSFET 42 Ампер, 60 Вольт, Логический уровеньON Semiconductor
911899MTB50N06VL-DMosfet Силы 42 Ампера, 60 Вольтов, Н-Kanal D2PAK Логики РовныйON Semiconductor
911900MTB50P03HDLУРОВЕНЬ ЛОГИКИ Fet СИЛЫ TMOS 50 АМПЕРОВ 30 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.025 ОМАMotorola
911901MTB50P03HDLMosfet Силы 50 Амперов, 30 Вольтов, П-Kanal TO-220 Логики РовныйON Semiconductor
911902MTB50P03HDL-DMosfet Силы 50 Амперов, 30 Вольтов, П-Kanal D2PAK Логики РовныйON Semiconductor
911903MTB50P03HDLT4Mosfet Силы 50 Амперов, 30 Вольтов, П-Kanal TO-220 Логики РовныйON Semiconductor
911904MTB50P03HDLT4GMosfet Силы 50 Амперов, 30 Вольтов, П-Kanal TO-220 Логики РовныйON Semiconductor
911905MTB52N06VFet СИЛЫ TMOS 52 АМПЕРА 60 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.025 ОМАMotorola
911906MTB52N06VMosfet Силы 52 Ампера, 60 Вольтов Н-Kanala D2PAKON Semiconductor
911907MTB52N06V-DMosfet Силы 52 Ампера, 60 Вольтов Н-Kanala D2PAKON Semiconductor
911908MTB52N06VLFet СИЛЫ TMOS 52 АМПЕРА 60 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.025 ОМАMotorola
911909MTB52N06VLMosfet Силы 52 Ампера, 60 Вольтов, Н-Kanal D2PAK Логики РовныйON Semiconductor
911910MTB52N06VL-DMosfet Силы 52 Ампера, 60 Вольтов, Н-Kanal D2PAK Логики РовныйON Semiconductor
911911MTB52N06VLT4Mosfet Силы 52 Ампера, 60 Вольтов, Н-Kanal D2PAK Логики РовныйON Semiconductor
911912MTB52N06VT4Mosfet Силы 52 Ампера, 60 Вольтов Н-Kanala D2PAKON Semiconductor
911913MTB55N06ZFET СИЛЫ TMOS 55 АМПЕРОВ 60 ВОЛЬТОВMotorola
911914MTB55N06ZМощность MOSFET 55 Ампер, 60 ВольтON Semiconductor
911915MTB55N06Z-DMosfet Силы 55 Амперов, 60 Вольтов Н-Kanala D2PAKON Semiconductor
911916MTB60N05HDLМощность MOSFET 60 Ампер, 50 Вольт, Логический уровеньON Semiconductor
911917MTB60N05HDL-DMosfet Силы 60 Амперов, 50 Вольтов, Н-Kanal D2PAK Логики РовныйON Semiconductor
911918MTB60N06FET СИЛЫ TMOS 60 АМПЕРОВ 60 ВОЛЬТОВMotorola
911919MTB60N06HDFET СИЛЫ TMOS 60 АМПЕРОВ 60 ВОЛЬТОВMotorola
911920MTB60N06HDМощность MOSFET 60 Ампер, 60 ВольтON Semiconductor
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22793 | 22794 | 22795 | 22796 | 22797 | 22798 | 22799 | 22800 | 22801 | 22802 | 22803 | >>
English Version for this page Version franaise pour cette page Deutsche Version fr diese Seite Verso portuguese para esta pgina



© 2015 - www.DatasheetCatalog.com