| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 912081 | MTD2005F | Сила ICs/De4tel6nost6 Водителей Stepper
Мотора (Серии MTD): Двухполярно | Shindengen |
| 912082 | MTD2006 | Сила ICs/De4tel6nost6 Водителей Stepper
Мотора (Серии MTD): Двухполярно | Shindengen |
| 912083 | MTD2006F | Сила ICs/De4tel6nost6 Водителей Stepper
Мотора (Серии MTD): Двухполярно | Shindengen |
| 912084 | MTD20N03HDL | УРОВЕНЬ ЛОГИКИ Fet СИЛЫ TMOS 20 АМПЕРОВ
30 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.035 ОМА | Motorola |
| 912085 | MTD20N03HDL | Мощность MOSFET 20 А, 30 Вольт, Логический уровень N-канал DPAK | ON Semiconductor |
| 912086 | MTD20N03HDL-D | Mosfet Силы 20 Амперов, 30 Вольтов,
Н-Kanal DPAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 912087 | MTD20N03HL | Fet DPAK силы плотности HDTMOS
E-FET высокий для поверхностного держателя | Motorola |
| 912088 | MTD20N06 | Fet СИЛЫ TMOS 20 АМПЕРОВ 60
ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.080 ОМА | Motorola |
| 912089 | MTD20N06HD | Fet СИЛЫ TMOS 20 АМПЕРОВ 60 ВОЛЬТОВ
RDS(on) = 0.045 ОМА | Motorola |
| 912090 | MTD20N06HD | Мощность MOSFET 20 А, 60 Вольт | ON Semiconductor |
| 912091 | MTD20N06HD-D | Mosfet Силы 20 Амперов, 60 Вольтов
Н-Kanala DPAK | ON Semiconductor |
| 912092 | MTD20N06HDL | УРОВЕНЬ ЛОГИКИ Fet СИЛЫ TMOS 20 АМПЕРОВ
60 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.045 ОМА | Motorola |
| 912093 | MTD20N06HDL | Мощность MOSFET 20 А, 60 Вольт, Логический уровень | ON Semiconductor |
| 912094 | MTD20N06HDL-D | Mosfet Силы 20 Амперов, 60 Вольтов,
Н-Kanal DPAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 912095 | MTD20N06V | Fet СИЛЫ TMOS 20 АМПЕРОВ 60
ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.080 ОМА | Motorola |
| 912096 | MTD20N06V | 20 DPAK N-канал MOSFET, VDSS 60 | ON Semiconductor |
| 912097 | MTD20N06V-D | Транзистор влияния поля DPAK силы TMOS v
для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima Н-Kanala
держателя | ON Semiconductor |
| 912098 | MTD20P03 | УРОВЕНЬ ЛОГИКИ Fet СИЛЫ TMOS 19 АМПЕРОВ
30 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.099 ОМА | Motorola |
| 912099 | MTD20P03HDL | УРОВЕНЬ ЛОГИКИ Fet СИЛЫ TMOS 19 АМПЕРОВ
30 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.099 ОМА | Motorola |
| 912100 | MTD20P03HDL | Mosfet Силы 20 Амперов, 30 Вольтов,
П-Kanal DPAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 912101 | MTD20P03HDL-D | Mosfet Силы 20 Амперов, 30 Вольтов,
П-Kanal DPAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 912102 | MTD20P03HDL1 | Mosfet Силы 20 Амперов, 30 Вольтов,
П-Kanal DPAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 912103 | MTD20P03HDL1G | Mosfet Силы 20 Амперов, 30 Вольтов,
П-Kanal DPAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 912104 | MTD20P03HDLG | Mosfet Силы 20 Амперов, 30 Вольтов,
П-Kanal DPAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 912105 | MTD20P03HDLT4 | Mosfet Силы 20 Амперов, 30 Вольтов,
П-Kanal DPAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 912106 | MTD20P03HDLT4G | Mosfet Силы 20 Амперов, 30 Вольтов,
П-Kanal DPAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 912107 | MTD20P06 | УРОВЕНЬ ЛОГИКИ Fet СИЛЫ TMOS 15 АМПЕРОВ
60 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 175 MOHM | Motorola |
| 912108 | MTD20P06HDL | УРОВЕНЬ ЛОГИКИ Fet СИЛЫ TMOS 15 АМПЕРОВ
60 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 175 MOHM | Motorola |
| 912109 | MTD20P06HDL | Приведите Mosfet В действие 20 Амперов,
60 Вольтов, П-Kanal DPAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 912110 | MTD20P06HDL-D | Приведите Mosfet В действие 20 Амперов,
60 Вольтов, П-Kanal DPAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 912111 | MTD20P06HDLG | Приведите Mosfet В действие 20 Амперов,
60 Вольтов, П-Kanal DPAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 912112 | MTD20P06HDLT4 | Приведите Mosfet В действие 20 Амперов,
60 Вольтов, П-Kanal DPAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 912113 | MTD20P06HDLT4G | Приведите Mosfet В действие 20 Амперов,
60 Вольтов, П-Kanal DPAK Логики Ровный | ON Semiconductor |
| 912114 | MTD214 | Кодер Ethernet / декодер и 10 BaseT трансивер | MYSON TECHNOLOGY |
| 912115 | MTD2955E | Fet СИЛЫ TMOS 12 АМПЕРА 60 ВОЛЬТОВ
RDS(on) = 0.3 ОМА | Motorola |
| 912116 | MTD2955E | Транзистор влияния поля DPAK силы TMOS
E-FET для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima
П-Kanala держателя | ON Semiconductor |
| 912117 | MTD2955E-1 | TMOS мощности на полевых транзисторах. 60 V, 12, RDS (на) 0,3 Ом. | Motorola |
| 912118 | MTD2955E-D | Транзистор влияния поля DPAK силы TMOS
E-FET для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima
П-Kanala держателя | ON Semiconductor |
| 912119 | MTD2955ET4 | Транзистор влияния поля DPAK силы TMOS
E-FET для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima
П-Kanala держателя | ON Semiconductor |
| 912120 | MTD2955V | Fet СИЛЫ TMOS 12 АМПЕРА 60 ВОЛЬТОВ
RDS(on) = 0.230 ОМА | Motorola |
| | | |
