|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22801 | 22802 | 22803 | 22804 | 22805 | 22806 | 22807 | 22808 | 22809 | 22810 | 22811 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
912201MTD6N10ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ СИЛЫ, СТРОБ КРЕМНИЯ N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, DPAK ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕРЖАТЕЛЯ ИЛИ ДЕРЖАТЕЛЯ ВВОДАMotorola
912202MTD6N10EFet СИЛЫ TMOS 6.0 АМПЕРА 100 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.400 ОМАMotorola
912203MTD6N10E6 Amp DPAK поверхностного монтажа Продукция, N-канал, VDSS 100ON Semiconductor
912204MTD6N10E-DТранзистор влияния поля DPAK силы TMOS E-FET для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima Н-Kanala держателяON Semiconductor
912205MTD6N15Fet СИЛЫ TMOS 6.0 АМПЕРА 150 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.3 ОМАMotorola
912206MTD6N153R Силы 150V TMOSON Semiconductor
912207MTD6N15-DТранзистор влияния поля DPAK силы для поверхностного строба кремния Повышени-Rejima Н-Kanala держателяON Semiconductor
912208MTD6N15T43R Силы 150V TMOSON Semiconductor
912209MTD6N15T4G3R Силы 150V TMOSON Semiconductor
912210MTD6N20EMosfet Силы 6 Амперов, 200 Вольтов П-Kanala TO-220ON Semiconductor
912211MTD6N20E-DMosfet Силы 6 Амперов, 200 Вольтов Н-Kanala DPAKON Semiconductor
912212MTD6N20ET4Mosfet Силы 6 Амперов, 200 Вольтов П-Kanala TO-220ON Semiconductor
912213MTD6N20ET4GMosfet Силы 6 Амперов, 200 Вольтов П-Kanala TO-220ON Semiconductor
912214MTD6P10EFet СИЛЫ TMOS 6.0 АМПЕРА 100 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.66 ОМАMotorola
912215MTD6P10EMosfet Силы 6 Амперов, 100 Вольтов П-Kanala DPAKON Semiconductor
912216MTD6P10E-DMosfet Силы 6 Амперов, 100 Вольтов П-Kanala DPAKON Semiconductor
912217MTD6P10EGMosfet Силы 6 Амперов, 100 Вольтов П-Kanala DPAKON Semiconductor
912218MTD6P10ET4Mosfet Силы 6 Амперов, 100 Вольтов П-Kanala DPAKON Semiconductor
912219MTD6P10ET4GMosfet Силы 6 Амперов, 100 Вольтов П-Kanala DPAKON Semiconductor
912220MTD7030ШТЫРЬ КРЕМНИЯ ДИОДА ФОТОЕГОMarktech Optoelectronics
912221MTD7030AШТЫРЬ КРЕМНИЯ ДИОДА ФОТОЕГОMarktech Optoelectronics
912222MTD800Встроенный быстрый контроллер EthernetMYSON TECHNOLOGY
912223MTD8000NДетекторы ФотоегоMarktech Optoelectronics
912224MTD8000NWДетекторы ФотоегоMarktech Optoelectronics
912225MTD8000PДетекторы ФотоегоMarktech Optoelectronics
912226MTD8N06EFet СИЛЫ TMOS 8.0 АМПЕРА 60 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.12 ОМАMotorola
912227MTD907Кодер Ethernet / декодер и 10 BaseT трансиверMYSON TECHNOLOGY
912228MTD981AF10/100 Ethernet трансиверMYSON TECHNOLOGY
912229MTD981AG10/100 Ethernet трансиверMYSON TECHNOLOGY
912230MTD9N10EFet СИЛЫ TMOS 9.0 АМПЕРА 100 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.25 ОМАMotorola
912231MTD9N10EСПИСАННОЕ - мощность MOSFET 9 Усилители, 100 ВольтON Semiconductor
912232MTD9N10E-DMosfet Силы 9 Амперов, 100 Вольтов Н-Kanala DPAKON Semiconductor
912233MTDF1C02HDКОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ ДВОЙНОЙ FET СИЛЫ TMOS 30 ВОЛЬТОВMotorola
912234MTDF1C02HDPower MOSFET 1 А, 20 ВольтON Semiconductor
912235MTDF1C02HD-DMosfet Силы 1 Ампер, 20 Вольтов Комплементарного Micro8ON Semiconductor
912236MTDF1N02HDДВОЙНОЙ Mosfet СИЛЫ TMOS 1.7 АМПЕРА 20 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.120 ОМАMotorola
912237MTDF1N02HDPower MOSFET 1 А, 20 ВольтON Semiconductor
912238MTDF1N02HD-DMosfet Силы 1 Ампер, 20 Вольтов Н-Kanala Micro8, ДвойногоON Semiconductor
912239MTDF1N03HDДВОЙНОЙ Mosfet СИЛЫ TMOS 2.0 АМПЕРА 30 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.120 ОМАMotorola
912240MTDF1N03HDPower MOSFET 1 А, 30 ВольтON Semiconductor
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22801 | 22802 | 22803 | 22804 | 22805 | 22806 | 22807 | 22808 | 22809 | 22810 | 22811 | >>
English Version for this page Version franaise pour cette page Deutsche Version fr diese Seite Verso portuguese para esta pgina



© 2017 - www.DatasheetCatalog.com