|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22829 | 22830 | 22831 | 22832 | 22833 | 22834 | 22835 | 22836 | 22837 | 22838 | 22839 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
913321MTW16N40E-DMosfet Силы 16 Амперов, 400 Вольтов Н-Kanala TO-247ON Semiconductor
913322MTW20N50EFet СИЛЫ TMOS 20 АМПЕРОВ 500 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.24 ОМАMotorola
913323MTW20N50EСПИСАННОЕ - мощность MOSFET 20 А, 500 ВольтON Semiconductor
913324MTW20N50E-DMosfet Силы 20 Амперов, 500 Вольтов Н-Kanala TO-247ON Semiconductor
913325MTW23N25EFet СИЛЫ TMOS 23 АМПЕРОВ 250 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.11 ОМАMotorola
913326MTW24N40EFet СИЛЫ TMOS 24 АМПЕРА 400 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.16 ОМАMotorola
913327MTW24N40EСПИСАННОЕ - мощность MOSFET 24 Ампер, 400 ВольтON Semiconductor
913328MTW24N40E-DMosfet Силы 24 Ампера, 400 Вольтов Н-Kanala TO-247ON Semiconductor
913329MTW26N15EFet СИЛЫ TMOS 26 АМПЕРОВ 150 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.095 ОМАMotorola
913330MTW32N20EFet СИЛЫ TMOS 32 АМПЕРА 200 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.075 ОМАMotorola
913331MTW32N20EMosfet Силы 32 Ампера, 200 Вольтов Н-Kanala TO-247ON Semiconductor
913332MTW32N20E-DMosfet Силы 32 Ампера, 200 Вольтов Н-Kanala TO-247ON Semiconductor
913333MTW32N25Fet СИЛЫ TMOS 32 АМПЕРА 250 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.08 ОМАMotorola
913334MTW32N25EFet СИЛЫ TMOS 32 АМПЕРА 250 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.08 ОМАMotorola
913335MTW32N25EМощность MOSFET 32 Ампер, 250 ВольтON Semiconductor
913336MTW32N25E-DПриведите Mosfet В действие 32 Ампера, 250 Вольтов Н-Kanala TO-247ON Semiconductor
913337MTW33N10EFet СИЛЫ TMOS 33 АМПЕРА 100 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.06 ОМАMotorola
913338MTW35N15EFet СИЛЫ TMOS 35 АМПЕРОВ 150 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.05 ОМАMotorola
913339MTW35N15EСПИСАННОЕ - мощность MOSFET 35 Ампер, 150 ВольтON Semiconductor
913340MTW35N15E-DMosfet Силы 35 Амперов, 150 Вольтов Н-Kanala TO-247ON Semiconductor
913341MTW45N10Fet СИЛЫ TMOS 45 АМПЕРОВ 100 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.035 ОМАMotorola
913342MTW45N10EFet СИЛЫ TMOS 45 АМПЕРОВ 100 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.035 ОМАMotorola
913343MTW45N10E-DMosfet Силы 45 Амперов, 100 ВольтовON Semiconductor
913344MTW4N80СТРОБ КРЕМНИЯ ВЛИЯНИЯ TRANSISITOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE ПОЛЯ СИЛЫ TMOS E-FETMotorola
913345MTW4N80EСТРОБ КРЕМНИЯ ВЛИЯНИЯ TRANSISITOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE ПОЛЯ СИЛЫ TMOS E-FETMotorola
913346MTW54N05EВысокая энергия в режимах лавины и коммутированияMotorola
913347MTW6N100Fet СИЛЫ TMOS 6.0 АМПЕРА 1000 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 1.5 ОМАMotorola
913348MTW6N100EFet СИЛЫ TMOS 6.0 АМПЕРА 1000 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 1.5 ОМАMotorola
913349MTW6N100EМощность MOSFET 6 А, 1000 ВольтON Semiconductor
913350MTW6N100E-DMosfet Силы 6 Амперов, 1000 ВольтовON Semiconductor
913351MTW6N60EСтроб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala Транзистора Влияния Поля СилыMotorola
913352MTW7N80EFet СИЛЫ TMOS 7.0 АМПЕРА 800 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 1.0 ОМАMotorola
913353MTW7N80EСПИСАННОЕ - мощность MOSFET 7 усилители, 800 ВольтON Semiconductor
913354MTW7N80E-DMosfet Силы 7 Амперов, 800 ВольтовON Semiconductor
913355MTW8N50EТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ СИЛЫ Fet TMOS ЕMotorola
913356MTW8N60EFet СИЛЫ TMOS 8.0 АМПЕРА 600 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.55 ОМАMotorola
913357MTW8N60EFet СИЛЫ TMOS 8.0 АМПЕРА 600 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.55 ОМАON Semiconductor
913358MTW8N60E-DMosfet Силы 8 Амперов, 600 Вольтов Н-Kanala TO-247ON Semiconductor
913359MTW8N60E/DFet СИЛЫ TMOS 8.0 АМПЕРА 600 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.55 ОМАMotorola
913360MTY100N10EFet СИЛЫ TMOS 100 АМПЕРОВ 100 ВОЛЬТОВ RDS(on) = 0.011 ОМАMotorola
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22829 | 22830 | 22831 | 22832 | 22833 | 22834 | 22835 | 22836 | 22837 | 22838 | 22839 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com