|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 2307 | 2308 | 2309 | 2310 | 2311 | 2312 | 2313 | 2314 | 2315 | 2316 | 2317 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
924415962D9960601TUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс Т. Mil темп. Ведущий отделка золотом. Общая доза 1E4 (10krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
924425962D9960601TUX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс Т. Mil темп. Ведущий вариант отделки завод. Общая доза 1E4 (10krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
924435962D9960602QUA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс В. Extended промышленный темп. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 1E4 (Aeroflex Circuit Technology
924445962D9960602QUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс В. Extended промышленный темп. Ведущий отделка золотом. Общая доза 1E4 (10krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
924455962D9960602QUX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс В. Extended промышленный темп. Ведущий вариант отделки завод. Общая доза 1E4 (10krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
924465962D9960602TUA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс Т. Extended промышленный темп. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 1E4 (Aeroflex Circuit Technology
924475962D9960602TUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс Т. Extended промышленный темп. Ведущий отделка золотом. Общая доза 1E4 (10krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
924485962D9960602TUX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 100 нс, операция 5V. QML класс Т. Extended промышленный темп. Ведущий вариант отделки завод. Общая доза 1E4 (10krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
924495962D9960701QUA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924505962D9960701QUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924515962D9960701QUX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924525962D9960701QXA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924535962D9960701QXC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924545962D9960701QXX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924555962D9960701TUA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924565962D9960701TUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924575962D9960701TUX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924585962D9960701TXA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924595962D9960701TXC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924605962D9960701TXX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924615962D9960702QUA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924625962D9960702QUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924635962D9960702QUX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924645962D9960702QXA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924655962D9960702QXC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924665962D9960702QXX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924675962D9960702TUA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924685962D9960702TUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924695962D9960702TUX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924705962D9960702TXA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924715962D9960702TXC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924725962D9960702TXX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 25 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924735962D9960703QUA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924745962D9960703QUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924755962D9960703QUX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924765962D9960703QXA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924775962D9960703QXC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924785962D9960703QXX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924795962D9960703TUA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
924805962D9960703TUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 1E4 (10krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 2307 | 2308 | 2309 | 2310 | 2311 | 2312 | 2313 | 2314 | 2315 | 2316 | 2317 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com