|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 2376 | 2377 | 2378 | 2379 | 2380 | 2381 | 2382 | 2383 | 2384 | 2385 | 2386 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
952015962L9960703TXC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
952025962L9960703TXX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
952035962L9960704QUA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
952045962L9960704QUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
952055962L9960704QUX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
952065962L9960704QXA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
952075962L9960704QXC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
952085962L9960704QXX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
952095962L9960704TUA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
952105962L9960704TUC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
952115962L9960704TUX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
952125962L9960704TXA512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
952135962L9960704TXC512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
952145962L9960704TXX512 х 8 SRAM: SMD. Время доступа 20 нс, операция 3.3. Класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 5E4 (50krad) (Si)Aeroflex Circuit Technology
952155962P0052401VPAКомпараторы Напряжения токаNational Semiconductor
952165962P0052401VPAКомпараторы Напряжения токаNational Semiconductor
952175962P0052401VPAКомпараторы Напряжения токаNational Semiconductor
952185962P0052401VPAКомпараторы Напряжения токаNational Semiconductor
952195962P0052401VPAКомпараторы Напряжения токаNational Semiconductor
952205962P0053601QUA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952215962P0053601QUC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952225962P0053601QUX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952235962P0053601QXA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952245962P0053601QXC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952255962P0053601QXX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952265962P0053601TUA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952275962P0053601TUC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952285962P0053601TUX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952295962P0053601TXA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952305962P0053601TXC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952315962P0053601TXX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952325962P0053602QUA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952335962P0053602QUC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952345962P0053602QUX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952355962P0053602QXA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952365962P0053602QXC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952375962P0053602QXX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс В. Ведущий отделка завод вариант. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952385962P0053602TUA512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка горячей пайки ближнего. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952395962P0053602TUC512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. Ведущий отделка золотом. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
952405962P0053602TUX512 х 8 SRAM MCM: SDM. Время доступа 25 нс, операция 5.0V. QML класс Т. вариант Ведущий отделка завод. Общая доза 3E4 (30krad (Si)).Aeroflex Circuit Technology
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 2376 | 2377 | 2378 | 2379 | 2380 | 2381 | 2382 | 2383 | 2384 | 2385 | 2386 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com