| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 987801 | PHD50N03LT | fet уровня логики транзистора TrenchMOS
Н-kanala | Philips |
| 987802 | PHD50N06LT | Fet уровня логики транзистора TrenchMOS | Philips |
| 987803 | PHD55N03LT | fet уровня логики транзистора TrenchMOS
Н-kanala | Philips |
| 987804 | PHD55N03LTA | транзистор field-effect режима повышения
Н-kanala | Philips |
| 987805 | PHD5N20E | Транзистор PowerMOS | Philips |
| 987806 | PHD63NQ03LT | Fet уровня логики TrenchMOS(tm) | Philips |
| 987807 | PHD66NQ03LT | Fet уровня логики TrenchMOS(TM) | Philips |
| 987808 | PHD69N03LT | fet уровня логики транзистора TrenchMOS
Н-kanala | Philips |
| 987809 | PHD6N10E | Транзистор PowerMOS | Philips |
| 987810 | PHD71NQ03LT | Fet уровня логики TrenchMOS (TM) | Philips |
| 987811 | PHD71NQ03LT | N-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровень | NXP Semiconductors |
| 987812 | PHD78NQ03LT | Fet уровня логики TrenchMOS(tm) | Philips |
| 987813 | PHD82NQ03LT | Fet уровня логики TrenchMOS(tm) | Philips |
| 987814 | PHD83N03LT | field-effect режима повышения Н-kanala | Philips |
| 987815 | PHD87N03LT | fet уровня логики транзистора TrenchMOS
Н-kanala | Philips |
| 987816 | PHD95N03LT | Fet уровня логики TrenchMOS(tm) | Philips |
| 987817 | PHD96NQ03LT | Fet уровня логики TrenchMOS(tm) | Philips |
| 987818 | PHD97NQ03LT | N-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровень | NXP Semiconductors |
| 987819 | PHD98N03LT | Fet уровня логики TrenchMos(TM) | Philips |
| 987820 | PHD9NQ20T | транзистор TrenchMOS(TM) Н-kanala | Philips |
| 987821 | PHD9NQ20T | N-канальные TrenchMOS стандартный уровень FET | NXP Semiconductors |
| 987822 | PHE13002AU | Отраженное Кремнием ОПИСАНИЕ Transistor(GENERAL
Силы) | Philips |
| 987823 | PHE13003 | Отраженное Кремнием ОПИСАНИЕ Transistor(GENERAL
Силы) | Philips |
| 987824 | PHE13003A | NPN транзистор питания | NXP Semiconductors |
| 987825 | PHE13003AU | Отраженное Кремнием ОПИСАНИЕ Transistor(GENERAL
Силы) | Philips |
| 987826 | PHE13003C | NPN транзистор питания | NXP Semiconductors |
| 987827 | PHE13005 | Отраженное Кремнием ОПИСАНИЕ Transistor(GENERAL
Силы) | Philips |
| 987828 | PHE13005 | Кремний рассеянный силовой транзистор | NXP Semiconductors |
| 987829 | PHE13005X | Кремний рассеянный силовой транзистор | NXP Semiconductors |
| 987830 | PHE13007 | Отраженное Кремнием ОПИСАНИЕ Transistor(GENERAL
Силы) | Philips |
| 987831 | PHE13007 | NPN транзистор питания | NXP Semiconductors |
| 987832 | PHE13009 | Отраженное Кремнием ОПИСАНИЕ Transistor(GENERAL
Силы) | Philips |
| 987833 | PHE13009 | NPN транзистор питания | NXP Semiconductors |
| 987834 | PHE448 | Конденсатор ИМПА ульс, полипропилен film/foil | etc |
| 987835 | PHE83N03LT | транзистор TrenchMOS(tm) Н-kanala | Philips |
| 987836 | PHE844 | Усмиритель emi, тип X1, металлизированный
полипропилен | etc |
| 987837 | PHE844RD6100MR06L2 | Усмиритель emi, тип X1, металлизированный
полипропилен | etc |
| 987838 | PHE844RD6150MR06L2 | Усмиритель emi, тип X1, металлизированный
полипропилен | etc |
| 987839 | PHE844RD6220MR06L2 | Усмиритель emi, тип X1, металлизированный
полипропилен | etc |
| 987840 | PHE844RD6330MR06L2 | Усмиритель emi, тип X1, металлизированный
полипропилен | etc |
| | | |
