|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 22920 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
12012SJ327ПРОМЫШЛЕННОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ FET MOS СИЛЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ P-CHANNELNEC
12022SJ327(JM)fet mos типа повышения П-kanalaNEC
12032SJ327-ZПРОМЫШЛЕННОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ FET MOS СИЛЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ P-CHANNELNEC
12042SJ327-Z-E1fet mos типа повышения П-kanalaNEC
12052SJ327-Z-E2fet mos типа повышения П-kanalaNEC
12062SJ327-Z-T1fet mos типа повышения П-kanalaNEC
12072SJ327-Z-T2fet mos типа повышения П-kanalaNEC
12082SJ328ПРОМЫШЛЕННОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ FET MOS СИЛЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ P-CHANNELNEC
12092SJ328-Sfet mos типа повышения П-kanalaNEC
12102SJ328-ZПРОМЫШЛЕННОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ FET MOS СИЛЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ P-CHANNELNEC
12112SJ328-Z-E1fet mos типа повышения П-kanalaNEC
12122SJ328-Z-E2fet mos типа повышения П-kanalaNEC
12132SJ329ПРОМЫШЛЕННОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ FET MOS СИЛЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ P-CHANNELNEC
12142SJ330ПРОМЫШЛЕННОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ FET MOS СИЛЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ P-CHANNELNEC
12152SJ331ПРОМЫШЛЕННОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ FET MOS СИЛЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ P-CHANNELNEC
12162SJ353FET MOS P-CHANNEL ДЛЯ ВЫСОКОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИNEC
12172SJ353-Tтранзистор влияния поля кремния МОС-tipa П-kanala (-60NEC
12182SJ355FET MOS P-CHANNEL ДЛЯ ВЫСОКОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯNEC
12192SJ355-T1Fet Mos П-kanala (-30V, +-2ЈA)NEC
12202SJ355-T2Fet Mos П-kanala (-30V, +-2ЈA)NEC
12212SJ356FET MOS P-CHANNEL ДЛЯ ВЫСОКОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СКОРОСТИNEC
12222SJ356-T1Mosfet П-kanalaNEC
12232SJ356-T2Mosfet П-kanalaNEC
12242SJ357FET MOS P-CHANNEL ДЛЯ ВЫСОКОГО ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ СКОРОСТИNEC
12252SJ357-T1Mos FET(-30V, +-3ЈA П-kanala)NEC
12262SJ357-T2Mos FET(-30V, +-3ЈA П-kanala)NEC
12272SJ358FET MOS P-CHANNEL ДЛЯ ВЫСОКОГО ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ СКОРОСТИNEC
12282SJ358-T1Fet Mos П-kanala (-60V, +-3ЈA)NEC
12292SJ358-T2Fet Mos П-kanala (-60V, +-3ЈA)NEC
12302SJ411FET MOS СИГНАЛА P-CHANNEL ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯNEC
12312SJ448ПРОМЫШЛЕННОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ FET MOS СИЛЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ P-CHANNELNEC
12322SJ448(JM)Pch вертикальное DMOSFET MP-45FNEC
12332SJ449ПРОМЫШЛЕННОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ FET MOS СИЛЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ P-CHANNELNEC
12342SJ449(JM)Fet MP-45F Pch вертикальный DMOSNEC
12352SJ460ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS P-CHANNEL ДЛЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯNEC
12362SJ460(M)Pch D-MOSFET SST 50V/0.1ANEC
12372SJ460(M)-TPch D-MOSFET SST 50V/0.1ANEC
12382SJ460-T/JMPch D-MOSFET SST 50V/0.1ANEC
12392SJ460/JMPch D-MOSFET SST 50V/0.1ANEC
12402SJ461ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS P-CHANNEL ДЛЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯNEC
12412SJ462ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS P-CHANNEL ДЛЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯNEC
12422SJ463ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS P-CHANNEL ДЛЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯNEC
12432SJ463AТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS P-CHANNEL ДЛЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯNEC
12442SJ492ПРОМЫШЛЕННОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ FET MOS СИЛЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ P-CHANNELNEC
12452SJ492-SПРОМЫШЛЕННОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ FET MOS СИЛЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ P-CHANNELNEC
12462SJ492-ZJПРОМЫШЛЕННОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ FET MOS СИЛЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ P-CHANNELNEC
12472SJ493ПРОМЫШЛЕННОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ FET MOS СИЛЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ P-CHANNELNEC
12482SJ494ПРОМЫШЛЕННОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ FET MOS СИЛЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ P-CHANNELNEC
12492SJ495ПРОМЫШЛЕННОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ FET MOS СИЛЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ P-CHANNELNEC
12502SJ557ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS P-CHANNEL ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯNEC
12512SJ557-T1BPch тип повышение MOS FETNEC
12522SJ557-T2BPch тип повышение MOS FETNEC
12532SJ559ТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOS P-CHANNEL ДЛЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯNEC
12542SJ559-T1Pch тип повышение MOS FETNEC
12552SJ559-T2Pch тип повышение MOS FETNEC
12562SJ598ом TO-251 mosfet 60V RDS(on)MAX.=130m силы П-p-ch, TO-252NEC
12572SJ598-Zом TO-251 mosfet 60V RDS(on)MAX.=130m силы П-p-ch, TO-252NEC
12582SJ599Ом MP-3 mosfet 60V RonMAX=75m силы PchNEC
12592SJ599-ZОм MP-3 mosfet 60V RonMAX=75m силы PchNEC
12602SJ600Максимум ома mosfet 60V RDS(on)1=50m силы Pch. MP-3NEC
12612SJ600-ZМаксимум ома mosfet 60V RDS(on)1=50m силы Pch. MP-3NEC
12622SJ601Максимум ома mosfet 60V RDS(on)1=31m силы Pch. К-2ЩЙ(МП-3), К-2Щ2(МП-ЭЗ)NEC
12632SJ601-ZМаксимум ома mosfet 60V RDS(on)1=31m силы Pch. К-2ЩЙ(МП-3), К-2Щ2(МП-ЭЗ)NEC
12642SJ602Ом TO-220AB mosfet 60V RDS(on)MAX=73m силы Pch, to-262, to-263NEC



12652SJ602-SОм TO-220AB mosfet 60V RDS(on)MAX=73m силы Pch, to-262, to-263NEC
12662SJ602-ZТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOSNEC
12672SJ602-ZТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOSNEC
12682SJ602-ZJОм TO-220AB mosfet 60V RDS(on)MAX=73m силы Pch, to-262, to-263NEC
12692SJ603Ом TO-220AB mosfet 60V RDS(on)MAX=48m силы Pch, to-262, to-263NEC
12702SJ603-SОм TO-220AB mosfet 60V RDS(on)MAX=48m силы Pch, to-262, to-263NEC
12712SJ603-ZТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOSNEC
12722SJ603-ZТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOSNEC
12732SJ603-ZJОм TO-220AB mosfet 60V RDS(on)MAX=48m силы Pch, to-262, to-263NEC
12742SJ604Ом TO-220AB mosfet 60V RonMAX=30m силы Pch, to-262, to-263NEC
12752SJ604-SОм TO-220AB mosfet 60V RonMAX=30m силы Pch, to-262, to-263NEC
12762SJ604-ZОм TO-220AB mosfet 60V RonMAX=30m силы Pch, to-262, to-263NEC
12772SJ604-ZJТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOSNEC
12782SJ604-ZJТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOSNEC
12792SJ605Ом TO-220AB mosfet 60V RonMAX=20m силы Pch, to-262, to-263NEC
12802SJ605-SОм TO-220AB mosfet 60V RonMAX=20m силы Pch, to-262, to-263NEC
12812SJ605-ZТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOSNEC
12822SJ605-ZТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOSNEC
12832SJ605-ZJОм TO-220AB mosfet 60V RonMAX=20m силы Pch, to-262, to-263NEC
12842SJ606Максимум ома mosfet 60V Ron=15m силы Pch. TO-220AB, to-262, to-263NEC
12852SJ606-SМаксимум ома mosfet 60V Ron=15m силы Pch. TO-220AB, to-262, to-263NEC
12862SJ606-ZТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOSNEC
12872SJ606-ZТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOSNEC
12882SJ606-ZJМаксимум ома mosfet 60V Ron=15m силы Pch. TO-220AB, to-262, to-263NEC
12892SJ607Максимум ома mosfet 60V Ron=11m силы Pch. TO-220AB, to-262, to-263NEC
12902SJ607-SМаксимум ома mosfet 60V Ron=11m силы Pch. TO-220AB, to-262, to-263NEC
12912SJ607-ZТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOSNEC
12922SJ607-ZТРАНЗИСТОР ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ MOSNEC
12932SJ607-ZJМаксимум ома mosfet 60V Ron=11m силы Pch. TO-220AB, to-262, to-263NEC
12942SJ621Fet mos типа повышения PchNEC
12952SJ621-T1BFet mos типа повышения PchNEC
12962SJ621-T2BFet mos типа повышения PchNEC
12972SJ624Fet mos типа повышения PchNEC
12982SJ624-T1BFet mos типа повышения PchNEC
12992SJ624-T2BFet mos типа повышения PchNEC
13002SJ625Fet mos типа повышения PchNEC

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 110 | 111 | 112 | 113 | 114 | 115 | 116 | 117 | 118 | 119 | 120 | 121 | 122 | 123 | 124 | 125 | 126 | 127 | 128 | 129 | 130 | 131 | 132 | 133 | 134 | 135 | 136 | 137 | 138 | 139 | 140 | 141 | 142 | 143 | 144 | 145 | 146 | 147 | 148 | 149 | 150 | 151 | 152 | 153 | 154 | 155 | 156 | 157 | 158 | 159 | 160 | 161 | 162 | 163 | 164 | 165 | 166 | 167 | 168 | 169 | 170 | 171 | 172 | 173 | 174 | 175 | 176 | 177 | 178 | 179 | 180 | 181 | 182 | 183 | 184 | 185 | 186 | 187 | 188 | 189 | 190 | 191 | 192 | 193 | 194 | 195 | 196 | 197 | 198 | 199 | 200 | 201 | 202 | 203 | 204 | 205 | 206 | 207 | 208 | 209 | 210 | 211 | 212 | 213 | 214 | 215 | 216 | 217 | 218 | 219 | 220 | 221 | 222 | 223 | 224 | 225 | 226 | 227 | 228 | 229 | 230 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/nec/1/